Эмиссия электронная вторичная

Значительно более чувствительными приемниками света являются фотоумножители (рис. 2.8), действие которых основано на внешнем фотоэффекте и вторичной электронной эмиссии. Расположение электродов и фокусирующее поле выбирают так, чтобы первичный электронный поток, попадая на первый эмиттер, вызывал вторичную электронную эмиссию, электроны вторичной эмиссии направлялись на следующий эмиттер и т. д. Усиление подчиняется закону геометрической прогрессии [c.26]

Эмиссионный электронный микроскоп. В эмиссионном микроскопе изображение объекта создается электронами, испускаемыми поверхностью самого объекта. Эмиссия электронов с поверхности образца инициируется нагреванием последнего (термоэлектронная эмиссия), бомбардировкой поверхности электронами или ионами (вторичная электронная эмиссия) и облучением фотонами (фотоэлектронная эмиссия). Испускаемые поверхностью электроны собирательной линзой (иммерсионным объективом) ускоряются и направляются на экран. Вследствие того что разные участки поверхности объекта имеют различную эмиссионную способность, на экране возникают участки неодинаковой яркости, что и является изображением реальной поверхности. На яркость изображения влияет также и рельеф поверхности. [c.155]

Разрешающая способность эмиссионных микроскопов составляет 15—60 нм и изменяется в зависимости от способа возбуждения эмиссии. Так, эмиссионный микроскоп ЕР2 = 26 (ГДР) при увеличении 200—ЗООО имеет разрешение при термоэмиссии 15 нм и при вторичной эмиссии электронов 30 нм. Объект в микроскопе разогревается до 2500°С. Напряжение на объекте 20—40 кВ. [c.155]

Принцип работы фотоэлектронного умножителя основан на явлении вторичной эмиссии электронов. На рис. 129 приведена схема ФЭУ. Он представляет собой стеклянный баллон, в котором создан глубокий вакуум. В баллоне расположены фотокатод 2, диноды 3 и анод (коллектор) 4. Фотокатод примыкает непосредственно к фосфору 1. На ди-нодах создается последовательно возрастающий по отношению к катоду положительный потенциал. [c.338]

Механизм возбуждения. Чтобы атом испустил квант рентгеновского излучения hv, ему необходимо сообщить энергию. Это можно осуществить облучением пробы потоком электронов эмиссионная спектроскопия) или рентгеновским излучением достаточной энергии рентгенофлуоресцентная спектроскопия). Практически ввиду более легкого осуществления используют только второй способ возбуждения. Его преимущество заключается еще в том, что возникающий спектр флуоресценции имеет только характеристические спектральные линии, в то время как на эмиссионный спектр накладывается спектр непрерывного излучения. В рентгенофлуоресцентной спектроскопии пробу облучают полихроматическим излучением рентгеновской трубки и наблюдают возникающее вторичное излучение. Для перемещения электрона с занимаемого им основного уровня необходимо, чтобы энергия поглощаемого рентгеновского кванта hv была по меньшей мере равна работе ионизации. Если поглощаемая энергия больше, то избыточная энергия высвобождается в виде кинетической энергии фотоэлектрона. По истечении 10 с ионизированный атом ступенчато переходит в основное состояние. Рассматривая уменьшение энергии электрона при его переходе с верхнего уровня на нижний, можно заметить, что рентгеновский квант излучается не при каждом электронном переходе. Эффективной в этом отношении оказывается только часть переходов (/ij). Остальное число переходов п — () вызывает эмиссию электронов из внешних электронных оболочек атома, поскольку они воспринимают всю энергию, освобождающуюся при осуществлении внутренних электронных переходов, и вследствие этого отрываются от атома оже-эффект). Под выходом флуоресценции W понимают отношение /if/n. Величина W для различных оболочек не одинакова и возрастает с увеличением атомного номера элемента. Зависимость выхода флуоресценции для /С-оболочки от атомного номера элемента можно представить следующей полу эмпирической формулой [c.201]

Кроме того, бомбардируя поверхность ванны, электроны пучка вызывают появление вторичных электронов, а также рентгеновских лучей. Наконец, поверхность расплавленной и перегретой ванны представляет собой мощный источник термической эмиссии электронов. Все эти статьи расхода энергии покрываются в конечном счете за счет энергии попадающих на ванну электронов пучка. [c.255]

Рассмотрим явления, связанные со вторичной эмиссией электронов с бомбардируемой электронным пучком поверхности металла. Уходящие с этой поверхности электроны можно разделить на истинно вторичные, электроны термоэмиссии и отраженные электроны. [c.237]

Электронный спектр. Воздействие пучка рентгеновского излучения (РФЭС) или электронов (ОЭС) приводит к эмиссии электронов с поверхности образца. Электронный спектр представляет собой распределение эмитируемых электронов по кинетическим энергиям. Поскольку энергия источника возбуждения составляет единицы кэВ, то эмиссия электронов происходит с внутренних электронных уровней атома. Обычно в электронном спектре присутствует небольшое число характеристических линий. Фоновый сигнал электронного спектра формируется неупруго рассеянными электронами. Пример рентгеноэлектронного спектра приведен на рис. 11.33, а. Интенсивность оже-линий крайне мала. Устройство оже-спектрометров позволяет измерять не только спектр вторичных электронов, но и его первую производную по кинетической энергии электронов. Данный прием позволяет не только значительно повысить интенсивность линий, но и линеаризовать фоновый сигнал. На рис. 11.33, б изображен обзорный оже-электронный спектр поверхности серебра в интегральном и дифференциальном вариантах. [c.258]

Прежде всего он нашел применение в радиотехнике. Вакуумные фотоэлементы со сложным серебряно-цезиевым фотокатодом особенно ценны для радиолокации они чувствительны не только к видимому свету, но и к невидимым инфракрасным лучам и, в отличие, например, от селеновых, работают без инерции. В телевидении и звуковом кино широко распространены вакуумные сурьмяно-цезиевые фотоэлементы их чувствительность даже после 250 часов работы падает всего на 5—6%, они надежно работают в интервале температур от—30° до +90° С. Из них составляют так называемые многокаскадные фотоэлементы в этом случае под действием электронов, вызванных лучами света в одном из катодов, наступает вторичная эмиссия — электроны испускаются добавочными фотокатодами прибора. В результате обш,ий электрический ток, возникающий в фотоэлементе, многократно усиливается. Усиление тока и повышение чувствительности достигаются также в цезиевых фотоэлементах, заполненных инертным газом (аргоном или неоном). [c.97]

Вторичная электронная эмиссия. Электронную эмиссию под действием электронной бомбардировки характеризуют отношением полного числа электронов, испускаемых поверхностью объекта в единицу времени (т. е, силы тока эмиссии, эм), к числу первичных электронов,падающих на поверхность в единицу времени (т. е. к току первичного пучка, 1п) [c.428]

Каналирование электронов. Эффект эмиссии электронов— интенсивность и направление отраженных электронов (и вторичных электронов) в случае кристалли- [c.559]

Таким образом, ионы аргона не достигают катода и не могут вызвать вторичной эмиссии электронов, разряд в счетчике прекращается. В самогасящемся счетчике процесс разряда является одноступенчатым. Постоянная времени ЯС в этом случае мало влияет на длительность разряда. [c.10]

В работе [22] предложен новый радиоизотопный источник тока, основанный на вторичной электронной эмиссии, вызванной прохождением а-частиц через тонкие многослойные плёнки. Этот источник тока содержит расположенный в герметичном вакуумном корпусе слой радиоактивного изотопа, по обеим сторонам от которого помещены многослойные, последовательно чередующиеся, электрически изолированные плёночные эмиттеры из двух различных металлов, коэффициенты вторичной эмиссии которых отличаются. Согласно оценкам, проведённым в [22], КПД такого источника тока может достигать 1%, а плотность снимаемого тока — 7 A/ ш . Авторы работы [23] обосновывают возможность создания лазера на углекислом газе с использованием атомной батареи на со вторичной эмиссией электронов [24. [c.266]

Низкая вторичная эмиссия электронов, позволяющая использовать его для изготовления сеток электронных ламп. [c.240]

Таким образом, ионы аргона не достигают катода, а, следовательно, не могут вызвать вторичной эмиссии электронов. [c.90]

С катода 2, под действием частиц или квантов, вырываются вторичные электроны, которые, ускоряясь электрическим полем, попадают на эмиттер 5 и в свою очередь выбивают электроны вторичной эмиссии последние летят на эмиттер и т. д., до тех пор, пока все электроны не попадут на анод 7. [c.95]

Нагрев с помощью электронных пушек. Применение для плавки металлов потока электронов, фокусируемых электронной пушкой, хорошо известно. В основе работы такой пушки лежит принцип диода. Для окислов эта схема неприменима, так как эти материалы электрический ток практически не проводят и не могут служить анодом. В 1961 г. Ньюмен и Хаггинс предложили схему тетрода для плавки диэлектриков, обладающих значительной вторичной эмиссией электронов [40]. Положительный потенциал от высоковольтного источника постоянного тока подается на экранирующую сетку. Когда потенциал образца (анода) становится отрицательным относительно сетки, начинается эмиссия вторичных электронов с поверхности образца. Если поверхность сетки мала и она удалена от образца, то на ней выделяется малая часть мощности. [c.234]

Принцип действия фотоумножителя основан на использовании двух явлений — фотоэффекта и вторичной электронной эмиссии. Электроны, вылетевшие с поверхности катода под действием света (фотоэффект) и ускоренные электрическим полем, устремляются к первому эмиттеру и выбивают из него вторичные электроны — вторичная электронная эмиссия. Последние вследствие более высокого положительного потенциала во втором эмиттере направляются к нему и вновь выбивают вторичные электроны. Этот процесс повторяется на последующих эмиттерах. При этом каждый первичный электрон может выбить а вторичных. Здесь о — коэффициент вторичной эмиссии эмиттера. В зависимости от материала эмиттера а может изменяться от 3 до 30. Для большего усиления фототока эмиттеры обычно изготовляют из материала, имеющего высокий коэффициент вторичной эмиссии. [c.154]

Наибольшее распространение получили вторично-ионная масс-спектрометрия (поток ионов вызывает эмиссию иоиов), электронная оже-спектроскопия (поток электронов вызывает эмиссию электронов), полевая ионная микроскопия (ионизадняи испарение атомов поверхности под действием электрического поля) и др. Теория и пркмененяе этих методов, интерпретация получаемвй [c.246]

В печной теплотехнике тормозное излучение электронов имеет практическое применение в электрор олутевых -печах (см рис. 62). Поток электронов со скоростью, достигающей десятых долей скорости света, бьющий в анод, вызывает теплогенерацию в результате превращения кинетической энергии электронов. Однако часть этой энергии в виде тормозного излучения рассеивается и поглощается охлаждаемым ограждением печи. Таким образом, тормозное излучение в электроннолучевых печах наряду с вторичной эмиссией электронов (с анода) уменьшает коэффициент полезного использования энергии. [c.233]

Применение вакуума возможно только при использовании кессонного охлаждения, так как требуется абсолютная тазоплотность ограждения. В данных случаях не может быть использовано понятие температуры в термодинамическом смысле, и поэтому нельзя говорить о разности температур между внутрипечным пространством и внутренней поверхностью ограждения. Тепло генерируется на внутренней поверхности ограждения за счет облучения ее плазмой (тормозное и рекомбинационное излучения), а также за счет кинетической энергии электронов и ионов, попадающих на внутреннюю поверхность ограждения вследствие эффекта рассеивания заряженных частиц и вторичной эмиссии электронов с анода. Сюда следует, однако, добавить непосредственное излучение раскаленного анода, а также поверхности расплава. Все вместе взятое создает приток тепла на внутреннюю поверхность ограждения, требующий отвода его за счет охлаждения водой. Унос тепла с водой охлаждения может быть существенным и в энергетическом балансе достигает 20—40%-Таким образом, ограждение вакуумно-дуговых и электроннолучевых печей энергетически несовершенно, однако этот недостаток перекрывается многими другими достоинствами печей данного типа, оправдывающими с технико-экономической точки зрения применение холодного ограждения. [c.243]

У М. наблюдается термоэлектронная эмиссия (способность испускать электроны при высокой т-ре). Эмиссия электронов возникает также под действием электромагн. излучения в видимой и УФ областях спектра (фотоэлектронная эмиссия), внеш. электрич. поля высокой напряженности (туннельная, или автоэлектронная, эмиссия), при бомбардировке пов-сти М. электронами (вторичная электронная эмиссия) или ионами (ионно-электронная эмиссия), при взаимод. пов-сти М. с хшазмой (взрывная электронная эмиссия). Перепад т-ры вызывает в М. появление электрич. тока (термоэдс). [c.53]

Растровая (сканирующая) микроскопия. В растровых электронных микроскопах (РЭМ рис. 2) электронный луч, сжатый магн. линзами в тонкий (1-10 нм) зонд, сканирует пов-сть образца, формируя на ней растр из неск. тыс. параллельных линий. Возникающее при электронной бомбардировке пов-сги вторичные излучения (вторичная эмиссия электронов, оже-электронная эмиссия и др.) регистрируются разл. детекторами и преобразуются в видеосигаалы, модулирующие электронный луч в ЭЛТ. Развертки лучей в колонне РЭМ и в ЭЛТ синхронны, поэтому на экране ЭЛТ появляется изображение, представляющее собой картину распределения интенсивности одного из вторичных излучений по сканируемой [c.440]

После взаимод. пучка первичных электронов с пов-стью исследуемого образца можно регистрировать упруго или неупруго рассеянные электроны, вторичную элегаронную эмиссию, эмиссию десорбированных атомов или ионов, алектро-мага. излучение в рентгеновской или оптич. области, наведенный в образце электрич. ток или эдс. [c.443]

Акустическое изображение, т. е, распределение звукового давления, передаваемое для получения оптического изображения, возникает на плоском (пластинчатом) пьезоэлектрическом приемном преобразователе. В соответствии с различной интенсивностью падающих ультразвуковых волн на различных участках пластины на ней образуются пьезоэлектрические заряды, которые не могут стекать с неметаллизированной поверхно( ти. Пластина образует затворное окно электроннолучевой сканирующей трубки. При помощи обычной системы сканирования задняя сторона пластины сканируется построчечно, причем возникающая вторичная эмиссия электронов модулируется заряда- [c.299]

Явление эмиссии электронов при отрыве полимерной пленки от стекла и при раскалывании твердых тел было открыто Дерягиным, Кротовой и Карасевым [5.71, 5.72]. Поток электронов идет с свежеобразовапных (ювенильных) поверхностей, возникающих при нарушении адгезионного контакта или раскалывании, и отчетливо наблюдается при проведении опытов в вакууме, где отсутствует поглощение излучения воздухом. Основной причиной вырывания электронов с поверхности является образование нри разрыве тела двойного электрического слоя (противоположные поверхности заряжаются разноименно). Было показано, что при медленном отрыве поток электронов практически отсутствует. Это объясняется тем, что возникшие электрические заряды успевают вследствие проводимости стечь с поверхностей. В результате взаимодействия электронов с веществом как вторичное явление возникает рентгеновское, световое и радиоизлучение. [c.139]

Частицы считались электропроводящими как известно, при достаточно высоких температурах даже оксиды обладают довольно большой проводимостью. Вторичная эмиссия электронов от ударов ионов пренебрежимо мала, когда падающие ионы имеют энергии, меньшие 5 эВ. В теории oy, Ву и Димика [16] рассматривалась как объемная, так и поверхностная рекомбинация ионов. Отражения ионов и электронов от поверхности частиц практически не происходит из-за наличия больших сил изображения. Диффузионные уравнения для электронов и ионов можно записать [32] в виде [c.161]

Вторичная э.11ектронная эмиссия. . Коэффициенты вторичной электронной эмиссии и неупругого отражения электронов. . . Эффективные эмиттеры вторичных электронов. ............ [c.5]

Вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) — эмиссия электронов, вызываемая бомбардировкой тел электронами [7]. Электроны, бомбардирующие поверхность тела, называются первичными электроны, эмиттирован-ные телом, — вторичными. Вторичные электроны могут эмиттироваться как со стороны облучаемой первичным пучком поверхности тела (ВЭЭ на отражение ), так и — в тонкопленочных эмиттерах — со стороны поверхности, противоположной облучаемой (ВЭЭ на прострел ), Отношение числа электронов N2, испускаемых телом, к числу падающих на него за то же время первичных электронов N1 называется коэффициентом ВЭЭ о данного тела 0 = N 2 N1 = ИгОи /а — первичный и вторичный токи соответственно). Значение а зависит от свойств и структуры эмиттера, состояния его поверхности, энергии первичных электронов Ер и угла падения первичного пучка на поверхность эмиттера. В потоке вторичных электронов имеются две группы электронов истинно вторичные — электроны вещества, получившие от первичного пучка достаточно энергии для выхода в вакуум, и отраженные (упруго и неупруго) — часть первичного пучка, отразившаяся от поверхности эмиттера. При малых Ер (Ер < < 0,1 кэв) основную долю вторичных электронов составляют упруго отраженные электроны. С ростом Ер доля упруго отраженных электронов быстро уменьшается и при Ер > 0,1 кав составляет лишь несколько процентов всей ВЭЭ. Истинно первичные электроны имеют энергии от О до 50 эе. Наиболее вероятная энергия истинно вторичных электронов составляет 1,5—3,5 эв и при Ер > > 20 эв практически не зависит от Ер. Неупруго отраженными условно принято считать электроны вторичного пучка, энергия которых превышает 50 эв. Отношение числа неупруго отраженных электронов к числу первичных электронов Т] = N2 (Е2 > 50 эв)Иг называется коэффициентом неупругого отражения (в /2 входят и упруго отраженные электроны, но число их мало и на величинеТ1 не сказывается). В металлах и полупроводниках максимальное значение ст лежит в пределах 0,5—1,8. В некоторых диэлектриках (MgO, щелочногалоидные кристаллы) о значительно больше (10—20). Это обусловлено тем, что в таких материалах запрещенная зона велика Eg 6-Н12 эв), сродство к электрону мало (х < 1 эв), вследствие чего медленные электроны с энергией, лежащей между % и Eg, могут из большой глубины без потерь энергии подходить к поверхности тела и выходить в вакуум. При наложении на диэлектрик сильного электрического поля, направленного от эмиттирующей поверхности вглубь слоя (т. е. ускоряющего вторичные электроны к поверхности), о значительно возрастает. Обычно сильное поле создается бомбардировкой тонкого слоя диэлектрика на металлической подложке электронами с Ер, при котором о > 1. В результате поверхность диэлектрика заряжается положительно относительно металлической подложки до потенциала, близкого к потенциалу коллектора, на который отсасывается ток ВЭЭ. Ток ВЭЭ, возникающий в присутствии сильного электрического поля в эмиттере, состоит из двух компонент малоинерционной, быстро следующей за изменениями первичного тока (эта часть ВЭЭ называется вторичной электронной эмиссией, усиленной полем, ее инерционность <10 сек), и само-поддерживающейся, существующей и при отсутствии первичного пучка, после того как осуществлена первоначальная зарядка слоя. В некоторых случаях ВЭЭ с электродов вакуумных приборов, подвергающихся бомбардировке электронами, является нежелательным паразитным эффектом. Для его устранения электроды покрывают веществами с малым а углерод (сажа, ак-вадаг), титан, цирконий, дисилициды переходных ме- [c.457]

Под действием потока электронов в диэлектриках происходят различные процессы, в том числе возникает вторичная эмиссия электронов. Если первичные электроны имеют такие энергии, что коэффициенты вторичной эмиссии превышают единицу, то можно установить величину поверхностного потенциала, как это было сделано в опытах Хейдта [49] с Л Оз. [c.673]

Применение спектроскопии Оже-электронов. Явления эмиссии электронов в результате внутренней конверсии было обнаружено и получило правильное обьнснение в 1925 г. (иьер Оже). В 1953 г. были зарегистрированы пики Оже-электронов при экспериментальном изучении спектра вторичных электронов и предложен метод Оже-спектроскопии. Однако только в конце 60-х годов метод Оже-спектроскопии получил распространение и признание как уникальный метод анализа химического состава поверхности и распределения химических элементов в самых тонких слоях, примыкающих к поверхности. Развитие и применение метода Оже-электронной спектроскопии, конечно, зависело от уровня техники в приборостроении (Оже-спектрометры требуют такого вакуума в рабочем пространстве, который и сейчас называют сверхвакуумом ). Однако развитие и распространение Оже-спектроскопии определилось проблемами в науке и технике. Можно в качестве примеров назвать проблемы развития материалов для космической сверхвакуумной техники, получения пленочных материалов и покрытий, в частности, проблему [c.576]

В прямой связи с электропроводностью стекла находится важный в техническом отношении процесс образования трещин вблизи вплавленных электродов при повышенных температурах, когда проводимость стекла становится уже заметной. Растрескивание штенгелей в полнопериодных трубках-выпрямителях, согласно Гал-дупу23, может достигать такой степени, которая ведет к значительному сокращению времени их работы. Образование трещин происходит вблизи электродов и вызывается бомбардировкой электронов вторичной эмиссии из анодов выпрямителя. Этот процесс сопровождается заметным выделением газа, состоящего, по данным масс-спектрометрического исследования, из водорода, водяного пара, кислорода, окиси и двуокиси углерода и азота в очень малых количествах (см. Е 1, 61). При 100°С растрескиванием можно практически пренебречь, так как при такой низкой температуре, согласно экспе-рйментальным результатам Шумахера , электропроводность еще незначительна. Наблюдается типичная поляризация, которая достигает максимальной величины тока, когда ток изменяет свое направление, но затем быстро падает. Удельное сопротивление данного стекла определяется по числу перемен направления тока до момента появления трещин. Самопроизвольное растрескивание бывает тем более резко выраженным, чем выше содержание натрия в стекле. Электропроводность стекла снижается по мере замещения ионов натрия ионами более тяжелых металлов. Склонность к образованию трещин уменьшается при понижении сил натяжения в стекле, что связано с миграцией ионов. Кроме того, проводимость увеличивается вследствие поверхностной адсорбции стеклом водяного пара, которая, в свою очередь, [c.884]

В результате разряда образуются положительные ионы спирта и лишь малое количество положительных ионов аргона, так как спирт обладает меньшим ионизационным потенциалом, чем аргон. Положительные ионы спирта, приближаясь к катоду, вырывают из него электроны и превращаются в возбужденные молекулы. Длительность жизни возбулсденной молекулы спирта настолько мала, что молекула разлагается раньше, чем приблизится к катоду на расстояние, где возможна вторичная эмиссия электронов. Фотоэмиссия электронов за счет высвечивания воз- бужденных атомов спирта также очень мало вероятна. [c.90]

Последующие ошибки могут быть связаны с самой системой регистрации. Например, при собирании ионов коллектором приемника энергии ионов вполне достаточно, чтобы выбить из материала коллектора электроны (вторичная электронная эмиссия), в результате чего потенциал коллектора повышается и, следовательно, вносится систематическая ошибка. В общем случае эффективность вторичной электронной эмиссии зависит от энергии иона и свойств материала коллектора. Полностью этот эффект не изучен. Некоторую интерпретацию эджекций из металлической поверхности дал Гош [99] и Измайлов [100]. Кроме того, анализируемое вещество можег осаждаться на коллекторе в виде нейтральных молекул, изменяя тем самым характеристики материала коллектора, что также влечет за собой ошибку. Причиной такого эффекта при регистрации изотопов урана может служить тот фа1кт,1у что когда ионы иГс, + с высокой энергией ударяются о поверхность коллектора, получается разбрызгивание материала коллектора с освобождением нейтральных молекул и положительных ионов. В результате этого ионы иГа + будут формировать монослой ир4. Сама электронная схема также не свободна от искажений, особенно в случае применения электронных умножителей. Нелинейность входных высокоомных сопротивлений (зависимость от напряжения), вариации коэффициента усиления усилителя постоянного тока, погрешность компенсационных схем [72, 76] и выходных регистрирующих приборов —все эти ошибки приводят к большому искажению результатов при измерении распространенности изотопов элементов. Иногда приходится калибровать отдельные узлы масс-спектро-метра. Например, сул1мар1Ное искажение, соответствующее регистрационной части маос-спектро-метрической установки, в которое входят все погрешности индекса (И) (согласно нашей схеме), может быть учтено либо при помощи калибровки прибора моноизотопами [97], либо посредством специального приспособления в предусилителе приемника, состоящего из двух эталонных емкостей, после-10- 147 [c.147]

П. газового разряд а. При электрич. разряде в газе низкой плотности ионизация производится электронным ударом. При достаточно высоком приложенном напряжении становится возможным размножение электронов по типу цеппой реакции возникает электронная лавина и происходит электрич. пробой газа. Различают электродный и безэлект-родный разряд. В первом большое значение имеют явления на электродах термическая, полевая (автоэлектронная) и вторичная эмиссия электронов. В безэлектродпом высокочастотном разряде концентрация электронов определяется размножением их в электронной лавине и рекомбинацией при тройных столкновениях в объеме и после диффузии на стенки, аналогично концентрации активных центров цепной реакции. [c.21]

Теорпп вторичной электронной эмиссии.. Эмиссия вторичных электронов, так же как и фотоэффект, невозможна для свободных электронов, так как и в этом случае не могли бы быть одновременно соблюдены закон сохранения энергии и закон сохранения импульса при передаче энергии от первичных электронов вторичным. [c.84]

Кроме того, чтобы могла иметь место вто-Рис. 26. Схе- ричная эмиссия электронов, необходимо, чтобы ма электрон- имело место отражение от кристаллической решётки теля галла либо вторичных, либо первичных электро- [c.84]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология