Дефекты в диоксиде кремния

По мере увеличения количества твердых частиц в электролите (рис. 43, 44) (Тв и 6 уменьшаются, а HV и р увеличиваются, достигая постоянного значения. По-видимому, это связано с увеличением числа дефектов в слое никеля. На а практически не влияет введение в электролит порошка диоксида кремния, а в присутст- [c.95]

ДЕФЕКТЫ В ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ [c.160]

Роль собственных и примесных дефектов в формировании свойств как кристаллических (минеральных или синтетических), так и стеклообразных форм диоксида кремния общеизвестна осо- [c.160]

К числу достоинств стекла, сделавших его предпочтительным материалом для изготовления капиллярных колонок, следует в первую очередь отнести его каталитическую и адсорбционную инертность (по сравнению с металлом), простоту обработки, возможность легкого обнаружения дефектов поверхности [75], а также возможность модифицирования поверхности различными способами [162]. Следует, однако, иметь в виду, что содержание диоксида кремния в обычных стеклах колеблется в пределах 56—81 %, на оксид алюминия приходится 3—5% (масс.),, причем стекло обладает высокой поверхностной энергией [c.174]

Мех. активация твердых тел заключается в создании долгоживущих нарушений атомной структуры с целью изменения структурно-чувствит. св-в в-ва, прежде всего реакц. способности. Чаще всего активируют порошковые материалы мех. обработка порошков сопровождается накоплением точечных дефектов, дислокаций, аморфных областей, увеличением площади межзеренных границ, образованием новых пов-стей (см. Дефекты). Энергетич. выходы образования структурных дефектов, как правило, не превышают 10 -10 моль/МДж. В результате мех. нарушения атомной структуры повышаются р-римость в-ва и скорость растворения, облегчаются р-ции с молекулами среды и др. твердыми телами, на десятки и сотни градусов снижаются т-ры твердофазного синтеза, термич. разложения, спекания. Механически активируют наполнители (графит и др.), фосфатные удобрения, прир. и синтетич. полимеры и др. материалы. Мех. активация увлажненного диоксида кремния и нек-рьк др. оксидов придает им вяжущие св-ва и является основой безобжиговой технологии жаропрочных материалов. [c.77]

В результате использования тонких слоев чувствительного резиста с целью получения более точного переноса изображения система МСР оказывается более уязвимой по критерию пористости. Для определения числа пор проводят следующие операции. В производстве МДП-транзисторов наносят на проводник плеику 8102 толщиной 35 нм и создают МСР в соответствии с полной технологической схемой, за исключением экспонирования. Диоксид кремния затем травят в местах дефектов мокрым или сухим (плазма Ср4) способом. После этого резист удаляют, а на поверхность 5102 наносят кружки алюминия диаметром 0,8 мм, подавая на них последовательно напряжение 1,5—3,0 В на 1 см. В качестве меры пористости используют отношение общего числа замыканий к общей площади алюминиевых кружков. Этот метод может быть использован для оценки вклада каждой технологической операции в создание пористости. Оказалось, что пористость обусловлена дефектами в слое чувствительного резиста А2, но не дефектами в планаризационном слое ПММА [2]. При использовании оргаиоси-локсанов в качестве промежуточного слоя пористость составила [c.276]

Учитывая сложность кристаллического строения ПМ SIO2, широкое распространение при исследовании дефектов в диоксиде кремния получили кластерные подходы [109—130]. Сразу отметим, что в рамках соответствуюшцх вычислительных схем в последние годы исследуются также стабильность и свойства изолированных (молекулярных) кластеров Si 0 [131,132], предпринимаются попьггки изучения электронных характеристик гетерогенных наносистем (Al/SiOj/Si, [133]). [c.162]

Согласно другой точке зрения (см., например, [128, 131-134]) основными типами центров, возникающих в диоксиде кремния при действии электронного и у-излучения, являются центры электронной или дырочной природы, связанные с биографическими структурными дефектами рещетки электроны, захваченные кислородной анионной вакансией ( -центры), и дырочные центры, связанные с атомом кислорода вблизи структурного дефекта или примесного атома А1 (К-центры). Эти центры, имеющие электронную и дырочную природу, согласно развитым представлениям, могут также эффективно участвовать в инициировании радикальных процессов на поверхности. [c.69]

Важным отличием метода модифицирования поверхности по ее функциональным группам от модифицироваия по дефектам состоит в том, что вследствие более низкой (на 1-2 порядка) концентра1Ц1и дефектов в последнем случае нельзя получить плотного покрытия. Расстояние между точечными дефектами составляет десятки ангстрем. Этим обстоятельством воспользовались М. Я. Мельников и сотр., которые успешно использовали активированную поверхность диоксида кремния в качестве матрицы для изоляции интермедиатов. Этими авторами продемонстрированы возможности метода матричной изоляции на поверхности для установления стадийности ряда химических превращений, для получения количественных характеристик реакционной способности интермедиатов. Обзор этих интересных работ сделан в [253]. [c.160]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология