Центры дырочные

Из анализа экспериментальных и литературных данных следует, что электролюминесценция изучавшихся кристаллов обусловлена электронно-дырочной рекомбинацией донорно-акцептор-ных пар различного пространственного разделения. Эти центры в значительной степени подвержены влиянию и примесных и структурных дефектов, в связи с чем наблюдаются вариации спектров от образца к образцу. Этим же объясняется и тот факт, что выход люминесцирующих образцов из общего количества кристаллов составляет не более 80 %, [c.461]

Чтобы выяснить, являются ли л -центры дырочными или электронными, необходимо было более детально исследовать действие света на различные центры поглощения щелочно-галоидных фосфоров, содержащих серебро в качестве активирующей примеси. Опыты показали [276], что при проведении подобных измерений непосредственно после рентгенизации результаты получаются весьма неопределенными. Для получения воспроизводимых результатов необходимо после рентгенизации предварительно выдержать кристалл некоторое время в темноте. [c.175]

В предложенных моделях стадией обрыва цепи является рекомбинация электрон дырочных пар на локальных центрах, концентрация которых в ходе инициирования не изменяется. Это связано с очень коротким временем развития процесса взрыва (менее 1 мкс), в течении которого протекание ионных стадий роста центров рекомбинации не будет сказываться. Проведенное нами исследование кинетики фотопроцессов в азиде серебра показало, что при освещении кристаллов АС светом с определенной интенсивностью и длиной волны в кристалле эффективно образуются малые кластеры металла, являющиеся ЦР носителей заряда [5]. Если полагать, что реакция рекомбинации электрон-дырочных пар является реакцией обрыва цепи и природа ЦР в фото и взрывном разложении одинакова, то в ATM появляется уникальная возможность путем предварительного освещения образца обратимо изменять концентрацию ингибитора реакции и направленно регулировать чувствительность ATM к внешним воздействиям различной природы. [c.90]

Последовательные ион-радикальные пары (элект-рон-дырочные пары) в реакционном центре фотосинтеза. [c.105]

Спиновая динамика в спин-коррелированных радикальных парах трансформирует начальную взаимную упорядоченность спинов и в результате создает такие формы поляризации (упорядоченности) электронных спинов, которые характерным образом проявляются в экспериментах по электронному парамагнитному резонансу. Проявление химической поляризации электронных спинов в спектрах ЭПР радикалов, вышедших из клетки в объем раствора, обсуждалось в предыдущей лекции. В этой лекции рассматривается форма спектра ЭПР спин-коррелированных РП. В настоящее время особенно много работ посвящено исследованию спиновой поляризации в спектрах ЭПР ион-радикальных (электрон-дырочных) пар, которые образуются в процессе разделения зарядов на первичных стадиях фотосинтеза. Поэтому в этой лекции ориентир взят на РП, образующиеся в реакционном центре (РЦ) фотосинтеза. Однако приведенные результаты могут быть применены и для интерпретации спектров ЭПР спин-коррелированных РП вообще. [c.106]

Как отмечалось выше, спектр ЭПР кристалла кварца с дымчатой окраской состоит из трех пар (шести) групп линий по шесть линий в каждой группе. Интенсивность линий ЭПР, как известно, пропорциональна концентрации соответствующих парамагнитных дефектов. Поэтому, сопоставляя интенсивность групп линий в спектре ЭПР дымчатого кварца, можно оценить концентрацию дырочных центров, приуроченных к дефектным тетраэдрам, а следовательно, заселенность этих тетраэдров примесными ионами алюминия. Анализ спектров ЭПР показал, что в то время как в нормально дихроичных кристаллах все >ри пары групп линий имеют одинаковую интенсивность, в аномально плеохроичном кварце интенсивности разных групп существенно различаются между собой. Так, например, в наиболее типичном г-кристалле отношение интенсивностей трех пар групп линии составляет 8 1, 5 1. Подобный спектр представлен на рис. 12, а, б, в. [c.73]

Рис. 12. Спектры ЭПР дырочных центров [АЮ4] в пирамидах роста <г> (а). <+х>(б), <су(в) кристалла синтетического кварца и проекции структуры кварца на плоскости г(г), +х(< ) и с(е)

Изучение состава и распределение примесей в алмазе представляет интерес в первую очередь в связи с задачей получения полупроводниковых кристаллов. В природных алмазах электрически активными примесями являются азот (в случае, когда он присутствует не в агрегированной, а в парамагнитной форме, т. е. в замещающем углерод положении), который создает глубокие донорные уровни ( 4эВ), практически играющие роль центров захвата, а также бор, ответственный за дырочную проводимость с энергией активации порядка 0,36 эВ. [c.406]

Электронейтральность во многих слоистых глинистых минералах (каолините, монтмориллоните и др.) при замещениях 81 + на А1 + или А1 + на Mg + или Ре + соблюдается за счет ионов, адсорбированных на поверхности частиц и между слоями. Часто при гетеровалентном изоморфизме компенсация заряда осуществляется за счет образования электронно-дырочных центров (зарядовых дефектов). [c.72]

Это отвечает абсорбтивной ширине в центре ядра, равной 80 МэВ. Такое значение еще раз отражает сильное абсорбтивное уширение дырочных состояний. Уменьшение ширины Д-распада за счет принципа Паули в Im Уо не включено. Оно, как твердо установленная поправка, рассматривается в Д-дырочных моделях отдельно. [c.267]

При облучении сорбента электроны с заполненного локального уровня переходят в зону проводимости, а затем стабилизируются на свободных локальных уровнях в занрещенноп зоне. При этом образуются парамагнитные центры дырочного и электронного типа. [c.408]

Впервые электрические свойства закиси меди были подробно изучены в СССР В. П. Жузе и Б. В. Курчатовым. Установлено, что ширина запрещенной зоны собственно Си О 1,5 эв. Энергия активации примесей порядка 0,3—0,6 эв. Закись меди является обычно дырочным полупроводником из-за примеси атомов кислорода, создающего акцепторные центры в ней. С увеличением парциального давления кислорода над полуоксидом меди увеличивается его проводимость, что типично для оксидов с дырочной проводимостью. Закись меди в обычных условиях находится в термодинамически неравновесном состоянии (закаленное состояние) с некоторым избытком кислорода сверх стехиомётри-ческого. В равновесном же состоянии сверхстехиометрическое содержание кислорода в ней меньше и проводимость тоже меньше. [c.358]

Первичное разделение зарядов на стадии Р А.АгА, Р+А7А2А3 рождает пару ион-радикалов (электрон-дырочную пару) Р А7. В фотосинтетичес-ком реакционном центре первичный донор отдает электрон в синглетном возбужденном состоянии. Следовательно, в РЦ фотосинтеза первичная РП Р А7 образуется в синглетном спиновом состоянии. Вторичная пара Р А наследует спиновое состояние первичной пары Р А7 в момент переноса электрона А7А2 А,А2. [c.107]

В 1947 г. Вавилов указал, что при возбуждении квантами с высокой энергией можно получить квантовый выход больше 1. Впоследствии это было подтверждено экспериментально [23, 24]. Кроме того, оказалось, что генерация одним фотоном нескольких электронно-дырочных пар приводит к излучению нескольких квантов с меньшей энергией. Это явление получило название фотонного умножения. Для люминофоров 2п8 -Си и 2пЗ Мп оно начинается в области 11 эВ. Для люминофора 2пЗ Мп абсолютный квантовый выход при энергии возбуждения 21,2 эВ достигает 3. Фотонное умножение наблюдается у люминофоров, для которых возможна эффективная передача Энергии от основы к центрам люмннесценцин и малые приповерхностные потери Энергии. [c.13]

Наличие в спектрах электролизованных в вакууме образцов полос поглощения 450 и 620 нм, типичных и для радиационной дымчатой окраски, лишний раз свидетельствует о том, что эта последняя обязана своим происхождением чисто дырочным А1-центрам, не возмущенным щелочными ионами-компенсаторами. Как отмечалось, такое возмущение имеет место в радиационных цитринах (сдвиг полосы от 450 к 390 нм). Электролиз в вакууме таких цитринов приводит к их окрашиванию в дымчатый цвет, что, по-видимому, связано с распадом литиево-водородных комплексов при высокой температуре (Г>830 К) обработки и образованием обычных А1-центров дымчатой окраски. [c.144]

Таким образом, по конечному результату процесс термической обработки близок к электролизу на воздухе, но, в отличие от последнего, вынос щелочных ионов-компенсаторов при этом не наблюдается. В этом отношении процесс термохимической обработки ближе к электролизу в вакууме. Различия в поведении кристаллов, которые очищены от щелочных ионов, и кристаллов, в которых эти ионы, несмотря на ту или иную обработку, сохранены, особенно наглядно видны по результатам реакторного облучения. Если образцы, подвергшиеся термохимической обработке или электролизу в вакууме, после реакторного облучения дозой 1 10 нейтрон/см восстанавливают способность обесцвечивания при нагревании или окрашиваются при -уоблучении, то образцы после электролиза на воздухе эти свойства не восстанавливают. Этот факт лишний раз свидетельствует о важной роли щелочных ионов как компенсаторов исходных дырочных центров, так и электрон-захватывающих дефектов, образующихся при облучении. [c.146]

Снижение давления не препятствует формированию аметистовых центров окраски, однако ромбоэдрические кристаллы в подобных условиях интенсивно растрескиваются из-за недостаточно эффективного предварительного гидротермального протравливания затравочных пластин н сохранения дефектного, аморфизиро-ванного слоя кварца. При прочих равных условиях использование затравок, параллельных г-грани, обеспечивает возможность массового производства однородных кристаллов аметиста с промышленно приемлемыми скоростями и необходимой интенсивностью и чистотой фиолетовой окраски. При этом следует создавать в гидротермальном растворе избыток трехвалентных ионов железа и снижать содержание примесных ионов алюминия, с которыми, как уже отмечалось, связаны дырочные центры дымчатой окраски. В облученном кристалле спектры поглощения от обоих типов центров накладываются один на другой, что, естественно, ухудшает чистоту аметистовой окраски. Поскольку коэффициент захвата структурной примеси алюминия находится в прямой зависимости от температуры выращивания, в то время как коэффициент поглощения примеси железа в исследованном температурном интервале существенно не зависит от температуры, предпринимались попытки получения аметистов без дымчатого оттенка окраски за счет температуры синтеза. Однако они не увенчались успехом из-за снижения скорости роста и растрескивания кристаллов на разных стадиях процесса. Задача была решена путем более тщательного подбора шихтового кварца с минимальным содержанием примеси алюминия, а также за счет специальной обработки выращенных кристаллов, устраняющей дымчатую составляющую окраски. [c.182]

При адсорбции спирта на ZnO, однако, работа выхода ф увеличивается (см. рис. 5), а электропроводность под действием спирта растет в случае электронных полупроводников и падает в сйучае дырочных. По этим данным, адсорбированный спирт ведет себя как донор электронов. Такое противоречие межДу данными по закономерностям подбора катализаторов и данными по изменению ф и а во время адсорбции спирта можно объяснить с точки зрения протекания катализа на поверхностных дефектах [16, 375]. Например, поверхностные атомы кислорода в ZnO могут захватить из объема электрон, образуя примесный центр 0 ". При адсорбции на нем спирта по схеме (59а) заряд 6 переходит на адсорбированную [c.113]

УФ-облучение окиси пропилена на порнсюм стекле "Бикор" (ПСБ) приводит к образованию пропанола-2 и пропилена. Первый из этих процессов протекает в разулмаге возбуждения поверхностных гидроксильных групп. Второй же непосредственно связан с образование дырочных центров 0 в особых положениях с низкой координацией.На этих же самых центрах образуктея радикалы (02 )адс [c.3]

Кинетика рекомбинации электронных и дырочных центров на поверхности Л4О3 была исследована нами в интервале времен от [c.50]

Смотреть страницы где упоминается термин Центры дырочные: [c.51] [c.236] [c.169] [c.74] [c.57] [c.57] [c.74] [c.143] [c.144] [c.184] [c.293] [c.57] [c.57] [c.74] [c.143] [c.144] [c.184] [c.310] [c.5] [c.17] [c.49] [c.50] [c.50]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология