Природа примесных поверхностных состояний

Квантовомеханическая задача расчета стационарных электронных энергетических уровней, связанных с определенной конфигурацией поверхности полупроводника, в принципе поддается разработке [44]. Попытки провести такие вычисления предпринимались лищь для систем с идеальной кристаллической решеткой [23]. Ввиду отсутствия строгой квантовомеханическон теории некоторые исследователи [45] привлекли другие приближенные неквантовомеханические методы для оценки плотностей и энергий примесных поверхностных состояний. Одна из таких теорий рассматривается ниже. В разделе 2(2) обсуждается возможная связь между природой примесных частиц на поверхности и поверхностными состояниями электронных энергетических уровней. [c.413]

В случае примесных полупроводников, пока содержание примесных атомов невелико, остаются в силе основные соотношения, полученные для собственно полупроводников. С ростом содержания примесей поведение системы полупроводник— раствор уже не может быть описано приведенными уравнениями и зависит от природы примесных атомов. Так, в пределе для примесного л-полупр6 -водника, особенно ири высокой плотности поверхностных состояний, электрические свойства границы его с раствором приолнжаются к свойствам системы металл — раствор. [c.275]

Необходимо расширить число объектов исследования, включив сюда различные окислы, соли, органические кристаллы, пористые полимеры и монослои. Во всех этих случаях химический еостав и состояние поверхностных соединений должны быть предметом тщательного количественного изучения. В частности, исследование такого благоприятного для спектрального изучения объекта, как кремнезем, перспективно проводить в направлении получения количественно сопоставимых с другими адсорб-циоными исследованиями данных. При этом основное внимание должно быть обращено на спектральное исследование природы центров адсорбции и среди них на изучение центров примесной природы при малых заполнениях поверхности адсорбирующимися молекулами. [c.436]

Изучение химии поверхности твердых тел, адсорбции и их использования в газовой и жидкостной хроматографии невозможно без применения комплекса современных химических и физических методов экспериментального исследования. Без определенных сведений о природе и концентрации на поверхности твердого тела функциональных групп, примесных центров, ионов или молекул модифицирующего слоя, как и без сведений о состоянии поверхностных соединений и адсорбирующихся молекул, нельзя составить представления о механизме адсорбцйи и улучшить хроматографическое разделение. [c.11]

Согласно теории Ф. 0). Волькеиштейпа , адсорбционными центрами нри химической адсорбции могут служить свободные электроны (свободные валентности) на поверх] ОСТ1[ адсорбента. Энергия активации адсорбции определяется при этом энергио , необходимой для перевода электрона на поверхности из связанного в свободное состояние. Эта последняя энергия в случае примесного полупроводника зависит от природы и от концентрации примеси, содержащейся в поверхностном слое решетки. Представим себе, что адсорбент представляет собой, как это часто бывает, систему отдельных элементарных кристалликов. Можно предположить, что каждый элементарный кристаллик, характеризующийся определенным содержанием примеси, в первом приближении обладает однородной поверхностью. Однако элементарные кристаллики обычно отличаются в широких иределах концентрацией примесей, захваченных в процессе приготовления. Таким образом, различные элементарные кристаллики будут характеризоваться различной величиной энергии активации при адсорбции. Статистика по элементарным кристалликам, отличающимся концентрацией примеси, должна привести к статистике адсорбционных центров по энергиям активации. [c.227]