Дефекты органических кристаллов

Жидкокристаллические термоиндикаторы представляют собой органические соединения, одновременно обладающие свойствами жидкости (текучесть) и твердого кристаллического тела (анизотропия, двойное лучепреломление). При изменении температуры жидкий кристалл меняет свой цвет. Жидкие кристаллы эффективно используют при исследовании температур в электронных схемах для обнаружения дефектов типа нарущения сплошностей. Они выпускаются в виде пленок и жидких растворов. [c.536]

На рис. 15.1 показаны различные виды изотерм (кривые 1—4). Одной из наиболее типичных является 5-образная (рис. 15.1, кривая 2) диэлектрическая изотерма, полученная для ряда органических и неорганических сорбентов. Эта изотерма состоит из трех участков А, В, С. Согласно слоистой модели, молекулы первого слоя (участок А) обладают сравнительно малой ориентационной способностью в электрическом поле вследствие их сорбции на наиболее активных центрах. Такими центрами являются функциональные группы, способные образовывать водородные связи, дефекты структуры кристалла, координационно ненасыщенные атомы [647]. Молекулы второго слоя более подвижны и дают больший вклад в ориентационную поляризацию сорбата, что выражается в более высоких значениях й /йа (участок В). Однако при достаточно больших величинах сорбции с развитием сетки водородных связей происходит цементация сорбата, его структура становится более жесткой. [c.243]

Выращивание кристаллов из пара обычно включает в себя транспортировку пара из зоны, содержащей твердое питающее вещество при температуре 1, ко второй зоне — зоне роста кристалла, имеющей температуру 2, причем последняя несколько ниже, чем tl, разность температур создает такое пересыщение, которое при соответствующем контроле может привести к образованию хороших зародышей кристаллов и обеспечить их дальнейший рост. Выращивание из паровой фазы для приготовления больших монокристаллов применяется гораздо реже, чем выращивание из расплавов и растворов. Поэтому экспериментальная методика выращивания кристаллов из пара не так хорошо разработана и, пожалуй, не так хорошо изучена, как методика выращивания из расплава или из раствора. Однако это не должно обескураживать экспериментатора, особенно потому, что именно из паровой фазы были получены почти совершенные органические кристаллы, практически свободные от дефектов [78]. Более того, благодаря возможности выращивания в вакууме или в атмосфере инертного газа при отсутствии жидких растворителей можно приготовить кристаллы, свободные от нелетучих примесей. [c.218]

В работе [525], носящей в большой степени обзорный характер, вопрос о ступенчатой рекомбинации радикалов обсужден наиболее полно. На основании имеющихся в литературе данных и своих результатов по гибели свободных радикалов в облученных органических кристаллах автор пришёл к выводу о том, что значительная часть радикалов при действии излучения образуется и стабилизируется вблизи различного рода нарушений кристаллической структуры. Следует отметить, что прямые исследования структуры органических кристаллов и ее связи с кинетикой гибели стабилизирующихся радикалов в литературе до работ [221, 248, 250, 525— 529] практически отсутствовали. Обратимся непосредственно к данным работы [525], которые экспериментально подтверждают высказывавшееся до этого в работах 505, 530—533] предположение о том, что гибель стабилизированных радикалов связана с различной молекулярной подвижностью в области структурных дефектов кристаллической матрицы. О степени молекулярной под- [c.164]

Методом парамагнитного зонда можно исследовать молекулярную подвижность в органических кристаллах и фазовые переходы. По мнению авторов работы [25], радикал находится в дефектах кристаллической структуры и отражает движения молекул в около-дефектных областях. При температуре фазового перехода первого рода спектр радикала является суперпозицией спектра, обусловленного замороженными молекулами радикала (у < 10 с ), которые находятся, по-видимому, в низкотемпературной р-фазе, и спектра, обусловленного молекулами, вращающи-мися в высокотемпературной а-фазе с частотой V > 10 с эти различия спектров можно использовать для исследования кинетики фазового перехода. [c.355]

При адсорбции органических веществ большую роль играет микроструктура поверхности твердого электрода. Под микроструктурой поверхности понимается ориентировка граней кристаллов на поверхности, существование дислокаций, вакансий, микроискажений поверхности и других дефектов. Предварительная обработка электродов, например отжиг или различные виды деформации, существенно влияют на микроструктуру поверхности, а следовательно, и на адсорбцию органических веществ. Так, при изучении адсорбции трибензиламина на железном электроде было обнаружено, что трибензиламин лучше адсорбируется на железе зонной плавки, подвергнутом отжигу при 600°С, чем на железе, отожженном при 750°С. Это связано со снятием остаточных напряжений, переориентацией кристаллов, уменьшением концентрации дислокаций и других несовершенств кристаллической решетки при более сильном отжиге. Была также обнаружена различ- [c.136]

Для целей настоящей статьи удобно связать классификацию органических твердых веществ со степенью упорядоченности или неупорядоченности в расположении их молекул. При такой классификации достаточна подразделить вещества на три широких класса, а именно на стеклообразные, кристаллические и текстурированные. К первым двум классам применимы понятия соответственно полной неупорядоченности и совершенного порядка в расположении составляющих молекул. К первому классу, стеклам, относятся такие твердые вещества, у которых средние положения молекул исключают наличие дальнего порядка. Если молекулы расположены так, что образуют характерную картину дальнего порядка, близко приближающуюся к пространственной решетке, то твердое вещество можно отнести ко второму классу — кристаллическим веществам. Пространственная решетка представляет собой идеализированный неограниченный в пространстве совершенный кристалл. Реальные кристаллы имеют многие несовершенства, дефекты, нарушения и другие виды неупорядоченности. Однако такого типа неупорядоченность может создаваться или строго локальными образованиями и особенностями, или нарушениями пространственной решетки, или же отсутствием ориентационной упорядоченности молекул. Твердые вещества могут быть отнесены к третьему классу, текстурированным веществам, в том случае, если несовершенства и неупорядоченность в расположении молекул достигают, не приводя к полному беспорядку, существующему в стеклах, такой степени, что использование пространственной решетки для описания структуры становится бесполезным. К текстурированным твердым веществам относятся, например, вещества, образующие сферолит-ные структуры, составляющие кристаллиты которых агрегированы не беспорядочно, а могут рассматриваться как элементы сложного монокристалла [53]. Следует обратить внимание на тот факт, что внимание исследователей пока ограничивалось фактически только поверхностью кристаллов, и остается лишь надеяться, что в ближайшем будущем исследования поверхностей коснутся также органических стекол и текстурированных твердых веществ. [c.361]

Ядерные излучения используют для получения новых веществ, для улучшения свойств полимеров и т. д. Большой интерес представляет изменение свойств различных материалов под влиянием этих облучений. Например, оказалось, что из предварительно облученного угля легче извлекается частый его спутник германий каучуки вулканизуются без добавок серы полиэтилен становится более устойчивым к нагреванию и органического стекла (см. гл. ХП1) нагреванием и облучением можно получить пенопласт и т. д. Ядерные излучения возбуждают множество цепных реакций. В полупроводниковых кристаллах они увеличивают число различных дефектов, что резко изменяет их свойства, особенно электрофизические. В связи с этим упомянем о чувствительности к излучениям, радиодеталей, применяемых в управляющих и регистрирующих приборах атомных реакторов. Радиолампы меняют параметры незначительно. Полупроводниковые приборы теряют свои свойства уже при малой дозе облучения. Масляные конденсаторы вспучиваются при облучении вследствие разложения масла. Керамические и слюдяные конденсаторы меняют свойства только после длительного облучения. У металлических сопротивлений электрические свойства практически не меняются, а у угольных сопротивление уменьшается. Магнитные свойства силиконового железа, пермаллоя (см. гл. ХИ, 7) и др. ухудшаются. Как видно, электронные приборы можно использовать в полях излучений (в частности и космических) при условии не слишком больших доз облучения и очень осмотрительно. [c.47]

При беспорошковом способе в органическом растворителе растворяют кристаллы люминофора. В полученный раствор погружают контролируемое изделие, которое после извлечения из раствора сушат, вследствие чего растворитель испаряется, а люминофор в виде кристаллов остается на кромках дефекта. Для того чтобы избежать свечения всей поверхности изделия, ее обрабатывают раствором ингибитора, гасящим люминесценцию на поверхности и практически не затрагивающим люминофор в капиллярных полостях дефектов. [c.317]

Если разложение твердой фазы происходит без плавления, то можно предположить, что вследствие различия молекулярных объемов исходных веществ и продуктов образование последних вызывает в кристалле натяжения, которые приводят к его растрескиванию, причем возникают новые поверхности, подвергающиеся разложению. На основе этих соображений Пру и Томпкинс [1] создали теорию, объяснившую полученные ими опытные данные по разложению твердого перманганата калия, а Воган и Филипс [2] применили ее к разложению твердых органических веществ. Эта теория весьма сходна с предложенной Гарнером и др. [3] теорией образования зародышей, если последние рассматривать как участки, где условия для разложения наиболее благоприятны, т. е. энергия активации реакции понижена. В общем случае расположенные на поверхности кристалла молекулы продукта реакции характеризуются элементарной ячейкой, отличной от ячейки исходного вещества это и вызывает натяжение поверхности кристалла, приводящее к образованию трещин. Дефекты решетки в устьях этих трещин благоприятствуют распространению реакции вдоль трещин в глубь кристалла. Разложение на этих новых поверхностях вызывает дополнительные натяжения, приводящие к дальнейшему рас- [c.337]

Выращивание кристаллов путем конденсации паров предполагает наличие температурного градиента между источником пара, имеющего обычно более высокую температуру, и пространством, где происходит рост кристаллов. Температуры источника паров и кристалла являются важнейшими параметрами процесса роста, и скорость роста, которая определяется степенью пересыщения, можно легко контролировать путем подбора этих температур. Рост кристаллов происходит с заметной скоростью при степени пересыщения порядка 0,1% в то время как, согласно теории образования ядер, степень пересыщения должна была бы составлять несколько десятков процентов. Как уже говорилось, такое несоответствие объясняется наличием винтовых дислокаций или других дефектов на поверхности кристалла. Этим методом можно просто и эффективно выращивать монокристаллы многих металлов, неорганических и органических соединений. [c.204]

Возможность использования радиоактивного распада для образования дефектов в твердых телах была показана автором на примере трития и криптона. Молекулярный тритий замораживался в виде небольшого кристалла трития. При радиоактивном распаде часть атомов, составляюш,их молекулы трития, превращается в Не , другая часть остается (до нх распада) в молекуле как атомы трития. После этого атомы могут быть изучены обычным методом парамагнитного резонанса. В эксперименте был использован сж трития нри нормальных температуре и давленип. Активность его составляла 2,6 кюри. Это количество трития было заморожено в кварцевой пробирке при 4,2° К. Оно дает около 10 дочерних атомов в секунду. Требуется приблизительно 5. кин для того, чтобы начать измерения. Наблюдаются две главные сверхтонкие линии в интервале 542°, причем этот сигнал непрерывно растет. Опыты показывают, что настоящий метод осуществим и должен найти широкое применение в получении и изучении свободных радикалов в органических веществах, имеющих достаточную устойчивость против действия излучения. [c.137]

Все углероды и угли органического происхождения, в которых обнаружен заметный электронный спиновый резонанс, по-видимому, представляют собой очень несовершенные графиты (ср. [15, 145, 492, 951, 1066]). Из исследований Ингрэма вытекает, что наблюдаемые эффекты быстро убывают до нуля, когда содержание гетероатомов в углероде или в других углях падает ниже 6%. Это указывает на то, что релаксационные явления определяются дефектами, присутствую-шими в кристалле. Для почти идеального графита следует ожидать гораздо более коротких времен релаксации. [c.105]

Любая примесь или дефект кристаллической решетки приводит к появлению новых полос в спектре поглощения. В тех случаях, когда эти полосы не перекрываются характеристическими полосами поглощения кристалла, его прозрачность на определенном участке спектра может существенно снижаться [10]. Кислородсодержащие анионы (ОН , SO , NOJ, NO2, СО ) в оптических монокристаллах галогенидов щелочных металлов даже при массовой доле создают заметные полосы поглощения в ИК-области [11] и существенно снижают термическую стойкость монокристаллов, применяемых в качестве окон газовых лазеров [12]. В материалах волоконной оптики массовая доля красящих примесей (хром, никель, кобальт, медь, железо и др.) не должна превышать 1 10 -1 10 [13]. При выращивании монокристаллов из расплава в инертной атмосфере или вакууме присутствующие в исходном сырье органические примеси подвергаются пиролизу, образуя включения углерода, которые служат рассеивающими центрами. [c.10]

Примеси подобного типа, являющиеся в большинстве случаев поверхностно-активными веществами (наиболее характерны в этом отношении системы неорганическая соль — органический краситель), находятся в кристаллизуемых растворах обычно в небольших количествах и поэтому загрязнение ими кристаллов путем захвата маточного раствора можно не учитывать. Основная же масса адсорбируемых примесей попадает в продукт в результате адсорбции гранями растущего кристалла. Это явление, получившее название внутренней адсорбции, часто происходит избирательно лишь на определенных гранях или же на активных участках, в местах дефектов кристаллической решетки и т. п. [118, 138, 146]. [c.140]

Химические реакции твердых тел. Отдельные факты, указывающие на роль дефектов в кинетике химических реакций твердых тел, известны давно. К ним принадлежит, например, снятие периода индукции для обезвоживания монокристаллов некоторых кристаллогидратов после механического повреждения поверхности. При этом от места повреждения (царапины) реакция распространяется по поверхности и в глубь кристалла. Локализация реакций у включений и дефектов хорошо известна в коррозии. Механические деформации сильно влияют на реакционную способность неорганических и органических материалов, и их химическое разрушение часто концентрируется в местах деформации. Описана корреляция между величиной калориметрически измеренной избыточной энергией твердого тела и его реакционной способностью [46]. У твердых тел во время их химических превращений наблюдалось появление аномальных физических свойств, которые, с современной точки зрения, указывают на появление в соответствующих кристаллах большого числа дефектов [47]. Для многих реакций твердых тел друг с другом и с газами контролирующей стадией является диффузия определенных ионов или атомов в чужой решетке, а всякая диффузия внутри кристаллов происходит по месту существующих дефектов или с образованием таких дефектов при каждом элементарном перемещении. Эту роль выполняют в первую очередь вакансии, образуемые тепловым движением. Часто эта диффузия ускоряется возникающими местными электрическими полями [48]. [c.29]

Следует отметить, что упругое последействие в результате влияния дефектов строения [199] и воздействия окружающей среды может возникнуть также и у некоторых кристаллических веществ неорганического и органического происхождения [200—202]. Например, адсорбционное действие воды приводит к возникновению неупругих деформаций и понижению прочности кристаллов слюды и гипса из-за проникновения влаги в микротрещины. [c.39]

Другим неблагоприятным моментом в опубликованных работах является продолжающееся использование в качестве стандарта для сравнения кристаллов антрацена. Хотя антрацен характеризуется почти самой высокой эффективностью по сравнению с другими органическими сцинтилляторами и вследствие этого кажется вполне пригодным для использования в качестве стандарта, он, однако, имеет чрезвычайно большое самопоглощение, так что его эффективность зависит от толщины образца, а поверхность заметным образом повреждается вследствие окисления при хранении его на воздухе. Кроме того, трудно получить безупречные кристаллы антрацена, свободные от внутренних трещин и дефектов. В качестве стандарта для сравнения значительно более удобен был бы жидкий сцинтиллятор, очищенный от кислорода, или стандартный пластический сцинтиллятор, стабильность которого во времени проверена. [c.202]

Расшифровка СТС спектров ЭПР очень важна для органической химии при исследовании свободных радикалов. По СТС спектров ЭПР определяют область делокализации неспаренного электрона в свободном радикале. Кроме того, можно найти плотность неспа-репного электрона на соответствующих атомах, что дает возмож-ность судить о реакционной способности отдельных фрагментов радикала. В неорганической химии изучение СТС спектров ЭПР дает ценную информацию при установлении структуры комплексных соединений. Метод ЭПР используют также и при исследовании дефектов в кристаллах, в том числе дефектов, возникающих после облучения нейтронами. ЭПР приобрел особый интерес и для квантовой электроники в связи с тем, что открылась возможность использова- [c.191]

К числу дефектов кристаллов относятся дислокации, точечные, объемные и поверхностные дефекты [279]. Б органических кристаллах дислокации — это дефекты кристаллической решетки, нарушаюш,ие правильное расположение молекулярных плоскостей. К точечным дефектам относятся вакансии, межузельные примесные молекулы замещения, к объемным — поры, трещины, включения других фаз. Поверхностные дефекты — это дефекты упаковки и рельефа поверхности кристаллов. [c.72]

В случае дырочной 1рпроды темновой проводимости термическая энергия активации 2Е, очевидно, определяет высоту акцепторного уровня электрона над нижними уровнями молекулярных центров (рис. 2, стрелка 2 ). Электронный дефект представляет собой вакансию, образовавшуюся в исходной молекулярной орбите при возбуждении триплетного уровня молекулы как единой системы электронов. Миграция такого электронного дефекта в кристалле совершается, по-видимому, путем межмолекулярного переноса электрона от заполненной к вакантной орбите, хорошо известного из окислительно-восстановительных реакций переноса электрона в растворах и не требующего преодоления энергетических барьеров. На схеме рис. 2, б показано также, что фотопроводимость кристалла дырочного типа может возникать при заполнении акцепторного уровня не снизу, а сверху обходным путем (стрелки Ъ У ж 1 ). Акцепторный уровень на схеме обозначен как триплетный уровень Г молекулярного центра. Однако на салгом деле темновая энергия активации органических кристаллов определяется не столько структурой молекулы, сколько наличием такой электроноакцепторной примеси, как сорбированный кислород (см. ниже). [c.325]

Большое число экспериментальных данных указывает на роль микроструктуры поверхности твердого электрода при адсорбции органических веществ. Под микросаруктурой поверхности понимается ориентировка граней кристаллов на поверхности, существование дислокаций, вакансий, микроискажений поверхнссти и других дефектов. Предварительная обработка электродов, например отжиг или различные виды деформации, существенно влияют на микроструктуру поверхности, а следовательно, и на адсорбцию органических веществ. Так, при изучении адсорбции трибензиламина на железном электроде было обнаружено, что трибензиламин лучше адсорбируется на железе зонной плавки, подвергнутом отжигу при 600° С, чем на железе, отожженном при 750° С. Это связано со снятием остаточных напряжений, переориентацией кристаллов, уменьшением концентрации дислокаций и других несовершенств кристаллической решетки при более сильном отжиге. Была также обнаружена различная адсорбционная активность разных граней монокристаллов железа при адсорбции органических веществ и установлено, что при деформации адсорбционная способность железа возрастает с увеличением степени деформации. [c.145]

Органические П. принципиально отличаются от неорганических П. Все твердые неорганические П. образуют координац. соединения, в то время как органические XI.-молекулярные кристаллы. Они так же, как и неорганические П., обладают положит, температурным коэф. проводимости, но механизм проводимости иной. Для органических П. характерны многоцентровые связи, характеризующиеся делокализацией я-электронов и проявлением коллективного электронного взаимод. по системе сопряжения. Делокализация электронов сопровождается выигрышем энергии, наз. энергией сопряжения это приводит, в частности, к уменьшению энергетич. щели Д между основным и низшим возбужденным состояниями я-электронов по мере увеличения числа сопряженных связей в молекуле. В полимерах с системой сопряжения в осн. цепи макромолекулы А м.б. порядка энергии теплового движения кТ. Виеш. воздействие (гл. обр. освещение) вызывает возбуждение в системе я-электронов, к-рое может мигрировать по кристаллу и при распаде (на дефектах структуры, примесных атомах, а также при взаимод. друг с другом) дает своб. носители заряда. Проводимость в органических П. обеспечивается гл. обр. перескоками электронов между состояниями с разной энергией, причем дефицит энергии покрывается за счет энергии тепловых колебаний атомов (прыжковая проводимость). С этим связана характерная температурная зависимость органических П. при умеренно низких т-рах, когда доминируют прыжки между соседними состояниями, между уд. электрич. сопротивлением р и т-рой Т наблюдается зависимосгь In р Т К С понижением i-ры длина прыжка увеличивается и 1пр Т"(я < 1). [c.58]

Даже в случае ультрачистых материалов кинетические данные обычно весьма чувствительны к их структуре (монокристалл или поли кристалл) и подготовке поверхности (тип и концентрация структурных дефектов, кристаллографическая ориентация). Во многих исследованиях по кинетике электродных Процессов использовались поликристал-лические электроды из твердого металла. Подготовка поверхности состояла из полировки корундом или окисью алюминия и дальнейшей промывки органическим растворителем сомнительной чистоты или окисляющей минеральной кислотой (что делалось в надежде удалить органическую примесь). После этого электрод хранили в дистиллированной воде или растворе электролита, использовавшемся для дальнейших кинетических исследований. Окисляющая кислота может разрушить полированную поверхность металла,и поэтому поверхностные свойства обработанных таким образом электродов неизвестны и обычно невоспроизводимы. Это - одна из важнейших причин ограниченной воспроизводимости результатов и расхождения кинетических данных, полученных многими авторами на, казалось бы, одних и тех же твердых электродах. [c.169]

ПЕРЕЖОГ керамики — дефект структуры керамики, связанный с обжигом при температуре выше максимально допустимой. Приводит к ухудшению св-в обончженного изделия и нарушению заданных размеров. При твердофазовом спекании пережог обычно выражается в чрезмерном росте кристаллов (вследствие собирательной рекристаллизации), что сопровождается снижением мех. и электрической прочности керамики, а иногда — потерей ее вакуумной плотности. При пережоге керамики, спекающейся при наличии жидкой фазы, вначале увеличивается пористость (без образования внешних дефектов), затем возникают внешние дефекты керамики (прыщи, вздутия), происходит общее вспучивание и, наконец, деформация и оплавление или полное расплавление (в результате образования чрезмерного количества жидкого расплава или малой его вязкости). Пористость и вздутия могут возникнуть также в результате нарушения режима обжига без превышения его конечной т-ры вздутия образуются из-за выделения газообразных продуктов, при выгорании органических примесей либо разложении окиси железа и сульфатов (с образованием расплава, ирепятст-нующего удалению газообразных продуктов). Степень вспучивания зависит от вязкости расплава и всей системы, а также от упругости газообразных продуктов в порах. При высокотемпературном нагреве вяз- [c.155]

Здесь речь пойдет об ионных жидкостях вблизи их температур плавления (расплавах), свойства которых весьма близки к свойствам кристаллов с дефектами структуры. Из-за сильных электростатических взаимодействий соли в значительной мере сохраняют при плавлении ближнюю упорядоченность. Ближайшими соседями катионов остаются анионы, а вторую координационную сферу образуют катионы [291]. При плавлении расстояние максимального сближения уменьшается примерно на 0,15 А, а число ближайших соседей уменьшается (например, для щелочных галогенидов от 6 до 3,5) [562]. Объемные изменения при плавлении положительны (примерно + 20% для щелочных галогенидов), что указывает на образование пустот в расплаве. Пустоты могут выступать в качестве вакантных центров, соответствующих по своим размерам ионам, примерно по одной дырке на каждые шесть ионных узлов (квазирешеточная модель расплава), или могут иметь более или менее непрерывное распределение по размерам и расположению (дырочная модель), или, наконец, дефектность структуры можно представить в виде переплетающих линий, образованных вакансиями и ионами в междоузлиях, как в неупорядоченном кристалле (теория значащих структур) [93]. Для органических солей обычно предлагаются и другие модели для описания строения расплава и сохранения в нем отдельных особенностей кристаллической структуры. Так, например, характерное для солей R NX в кристаллическом состоянии перекрывание элкильных цепей соседних ионов R4N+. как предполагается, сохраняется и в расплаве [172]. [c.240]

Зависимость скорости кристаллизации от переохлаждения часто хорошо согласуется [113—115] с теоретическим выражением (11,19). Однако в некоторых случаях при кристаллизации органических веществ скорость кристаллизации при Л1алых переохлаждениях значительно превышает вычисленную по формуле (11.19). Это, видимо, связано с наличием дефектов, облегчающих рост кристаллов. Как уже указывалось, наличие винтовых дислокаций в кристаллах исключает необходимость образования двухмерных зародышей, благодаря чему рост может происходить и при весьма малых переохлаждениях [111]. На основе дислокационной теории Хпллиг и Терн-балл [122] получили следующее выражение для скорости роста из расплавов при малых переохлаждениях [c.69]

В настоящее время еще неясно, однако, могут ли быть представления, развитые нами применительно к пластифицирующему действию органических поверхностно-активных сред, непосредственно, без учета каких-либо дополнительных факторов, приложимы к случаю пластифицирующего действия металлических расплавов. Именно, определенные трудности возникают при сопоставлении активационных энергий процесса для органических сред температурно-скоростная зависимость эффекта привела нас к значению и 0,5 эв, что хорошо согласуется с энергией образования новой моно-атомной ячейки свободной поверхности при перемещении конца дислокационной линии вдоль поверхности кристалла. В случае же цинк — олово пластифицирующее действие наблюдается при значительно более высоких температурах и малых скоростях растяжения. Это означает, по-видимому, что в данном случае активационная энергия процесса значительно выше, и что в качестве элементарного акта надо рассматривать уже не образование моноатомной ячейки на поверхности, а нечто более сложное, например, неконсервативное перемещение при обходе концом дислокации того или иного дефекта на контуре плоскости скольжения (в сочетании с образованием одной или сразу нескольких новых моноатом-ных ячеек поверхности) эффект может быть связан и с облегчением действия подповерхностных источников дислокаций [ИЗ, И7, 138]. [c.224]

Этот факт означает, что влияние внешних л-электронных оболочек в молекулярной решетке не имеет места в такой степени, чтобы образовать общую электронную систему. В этом отношении молекулярные полупроводники типа красителей отличаются от неорганических наличием более узких полос проводимости, едва заметных в спектре. Как в случае с молекулярными кристаллами полициклических ароматических углеводородов, основной процесс поглощения света в твердом красителе не заключается в возбуждении молекул решетки. Аналогично можно предположить, что возбуждающий квант в красителях путешествует как экситон в ансамбле тесно связанных молекул, пока или структурный дефект (обычно поверхность микрокристалла), или связанный центр не встретится с ним, в результате чего один или два заряда экситона становятся свободными. В случае красителей с полупроводимостью р-типа экситон распадается на примесном центре (Од) с образованием захваченного электрона и положительной дырки, которая попадает в валентную зону молекулярной решетки. Итак, мы находим здесь межмолекулярный электронный обмен, аналогичный тому, который имеет место е еоотйеТствующимй элёктрйЖбдонор-ными и электроноакцепторййми молекулами в органических окислительно-восстановительных процессах. [c.340]

Все эти данные приводят к выводу, что обычная калиевая соль Курроля, полученная дегидратацией однозамещенного ортофосфата калия, представляет собой полифосфат с нормальной цепью и высокой степенью полимеризации. Как отмечалось раньше, изменяя термическую обработку однозамещенного ортофосфата калия, можно получить цепи, содержащие от нескольких сотен до нескольких миллионов атомов фосфора, причем более длинные цени получаются при более высоких температурах и более продолжительном нагревании. Как и в случае многих кристаллических органических высокополимеров, очень большие изменения молекулярного веса не влияют на кристаллическую структуру. Это происходит потому, что отдельные цепи состоят из большого числа элементарных ячеек и, вероятно, заканчиваются на дефектах кристалла и у мест соединений между микрокристаллитами. Для калиевой соли Курроля с молекулярным весом 2-10 высший предел в наблюдаемом интервале) средняя цень состоит из 10 элементарных ячеек в кристалле. Результаты ультрацентрифугирования показывают, что происходит распределение молекул по размерам и что оно необычно четкое но сравнению с аморфными перестраивающимися системами, включающими полимеры, например стекловидными полифосфатами. [c.55]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология