Бинарные полупроводники

Выявлены сходство и различие в поведении поверхности бинарных полупроводников и их твердых растворов. [c.133]

Подробно описаны методы исследования поверхностных свойств полупроводниковых электродов, и проанализированы результаты исследования электродов из кремния, германия и бинарных полупроводников. [c.4]

В заключение упомянем об изучении природы квазиравно-весной (т. е. не связанной с протеканием каких-либо электрохимических реакций) фото-э.д.с. на бинарных полупроводниках с широкой запрещенной зоной. Тягаем [921 на сульфиде кадмия, а затем Елецким [93, 94] на арсениде и фосфиде галлия было показано, что фототок связан с разделением инжектированных светом электронов и дырок в электрическом поле. Фото-э. д. с. можно представить как результат заряжения этим фототоком поверхностной емкости полупроводника. Таким образом, из фотоэлектрических измерений можно получить значения дифференциальной емкости и параллельного сопротивления электрода. [c.20]

Ближайшими электронными аналогами наиболее исследо-1 анных бинарных полупроводников типа являются трой- [c.311]

Отклонения от стехиометрии в бинарных полупроводниках [c.277]

Выяснилось, что основные для химика-неорганика вопросы о методах получения веществ, об их взаимодействии с другими веществами имеют существенные особенности в применении к алмазоподобным бинарным полупроводникам. Последние, как правило, имеют очень высокие температуры плавления по сравнению с температурами плавления исходных веществ, весьма узкую область гомогенности, практически ограничивающуюся стехиометрическим соотношением, нерастворимы в воде. [c.6]

В полупроводниковой технике нашли применение соединения типа А В , наиболее близкие аналоги элементов — полупроводников IV группы Периодической системы. Обнаружилось, что в бинарных полупроводниках типа А В имеется другое сочетание основных физико-химических и электрических параметров, чем то, которое характеризует алмаз, кремний, германий, серое олово и твердые растворы на их основе. Например, собственная ширина запрещенной зоны, подвижность основных носителей тока и температура плавления в группе алмаз — серое олово таковы, что для получения ширины запрещенной зоны более 1 эв мы неизбежно будем получать подвижности основных носителей тока меньше, чем 2000 см в-сек и иметь дело с веществами, плавящимися при температурах выше 1200° С. В соединениях типа А В , например в арсениде галлия, можно иметь при той же температуре плавления материала в полтора раза большую ширину запрещенной зоны и в два раза большую подвижность основных носителей тока. [c.7]

В бинарных полупроводниках АЩ как правило, элементы второй группы — цинк и кадмий — действуют, как акцепторы, т. е. создают дырочную проводимость, элементы шестой группы — сера, селен, теллур — действуют как доноры, обусловливая электронную проводимость. Имеются также элементы, механизм действия которых связан с внедрением их атомов в междоузлия, а также и электрически нейтральные примеси. Однако комплекс этих вопросов (по сравнению с теми же проблемами для кремния и германия) для бинарных алмазоподобных полупроводников изучен значительно меньше, хотя число таких исследований быстро растет. [c.83]

Из бинарных полупроводников, еще мало или совсем неисследованных, наибольший интерес с точки зрения практического применения представляют, вероятно, фосфид галлия как материал для выпрямителей, работающих при высоких температурах, а также соединения бора, которые должны иметь такие же преимущества перед карбидом кремния, какие арсенид галлия обнаружил по сравнению с германием [118]. [c.84]

Методы очистки и изготовление монокристаллов бинарных полупроводников в общем аналогичны технологии получения сверхчистого германия. Однако ввиду летучести неметаллического компонента арсенидов и фосфидов методы их получения и очистки несколько изменены для устранения вредного влияния испарения мышьяка и фосфора. [c.85]

О ПОЛЯРНОСТИ ХИМИЧЕСКОЙ связи в БИНАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ с ТЕТРАЭДРИЧЕСКИМИ СВЯЗЯМИ [c.18]

Для количественного описания характера химической связи в бинарных полупроводниках использовались различные методы. Термохимическое приближение Полинга [I] известно наиболее широко ионный характер связи по Полингу связан с разностью электроотрицательностей с помощью эмпирической формулы [c.18]

Цель настоящей работы заключается в интерпретации данных по рентгеновской дифракции в кристаллах арсенида галлия на основе дисперсионной теории (результаты могут быть легко обобщены на случай других бинарных полупроводников). [c.20]

В кристаллах бинарных полупроводников величина ионного вклада С в эффективную ширину запрещенной зоны Eg отлична от нуля. Это увеличивает поляризуемость одного атома и уменьшает — другого. Влияние переноса заряда на экранирование можно учесть, используя отличающиеся параметры Eg для экранирующих функций (19) атомов А и [c.22]

Анализируется зависимость параметров электронного парамагнитного резонанса (э. п. р.) Мп + и Ре + в -состоянии от степени ионности соединения. Показано, что с уменьшением ионности наблюдается рост сдвига -фактора (относительно -фактора свободного иона) и фактора кубического расщепления и уменьшение постоянной сверхтонкого взаимодействия. Поскольку ионность связана с величиной эффективного заряда, который определяет положение глубоких локализованных уровней в запрещенной зоне, то эта зависимость позволяет быстро (но грубо) оценить ковалентность в бинарных полупроводниках и, следовательно, предсказать их электрофизические свойства. [c.352]

По сравнению с первым изданием (1965 г.) помимо новых разделов и глав (например, жидкие полупроводники, травление полупроводников и т. д.) весь материал книги подвергнут коренной переработке. Сохранилась только общая композиция книги. Однако автор счел возможным не включать во второе издание главу о сложных полупроводниковых соединениях, которая в основном была посвящена тройным полупроводниковым фазам. Во-первых, все принципиальные вопросы образования сложных полупроводниковых соединений (природа химической связи, кристаллохимия, нарушения стехиометрии и т. д.) решаются при интерпретации бинарных полупроводников. Во-вторых, тройным полупроводникам посвящены книги Н. А. Горюновой Сложные алмазоподобные полупроводники , Л. И. Бергера и В. Д. Прочухана Тройные алмазоподобные полупроводники и др. [c.3]

А1(С2Н5)з — применяется как компонент при каталитическом получении полимеров. Используя такого типа соединения, можно синтезировать бинарные полупроводники (гл. 13). Например, арсенид галлия можно получить следующим образом [c.468]

Металлы наиболее эффективны по отношению к разрыву ковалентных связей в хемосорбирующихся молекулах. Атомы голой поверхности металлов ведут себя так, как если бы каждый из них обладал одной свободной валентностью или более. Подлинная физическая картина значительно сложнее. На традиционном модельном языке химии скорее следует говорить об образовании между поверхностными атомами решетки большого числа дополнительных непрочных связей, легко раскрывающихся при адсорбции. На голых поверхностях бинарных полупроводников окислов и сульфидов концентрация радикалоподобных центров значительно меньше. [c.495]

В отличие от захвата и рекомбинации на БПС потенциал поверхности начинает резко изменяться после первых напусков паров всех исследованных адсорбтивов Пд 10 4-10 см ). Поскольку спектр БПС при этом остается неизменным, резкий рост потенциала поверхности в этой области связан с образованием и зарядкой МПС. Исследования заряжения этих состояний в условиях адсорбции различных по структуре молекул и дегидратации поверхности показали, что подавляющая часть МПС на поверхностях 1 и Се, а также бинарных полупроводников АщВу и ЛцВу являются адсорбционными состояниями. Первичными дефектами, составляющими основу этих состояний, являются координационно-ненасыщенные атомы 51 ре) в стехиометрически нарушенном граничном слое ДП. [c.55]

В настоящее время наиболее широко изучаются полупроводники, характеризующиеся тетраэдрической координацией. Однако магнитные свойства их изучены совершенно недостаточно. Данные по магнитной восприимчивости полупроводниковых соединений типа А В и А В приведены в работе [2]. По ее данным алмазоподобные элементарные и бинарные полупроводники являются диамагнетиками, в которых [1] имеется заметная парамагнитная фан-флековская составляющая. [c.435]

Следовательно, структура зон сложных нолунроводников типа халькопирита, за исключением некоторых особенностей, аналогична структурам зон алмазоподобных элементарных и бинарных полупроводников. [c.337]

Случай меди в германии подчеркивает роль вакансий в твердом теле. В атомарных полупроводниках, которые мы рассматривали до сих пор, обеспечивались условия, позволяющие достигнуть термически равновесной концентрации вакансий. Прежде чем обсуждать равновесие раствора в полупроводниках, в которых могут существовать добавочные вакансии из-за несте-хиометричности состава самого кристалла, полезно рассмотреть поведение простых бинарных полупроводников. [c.275]

Для сохранения нейтральности заряда в бинарных полупроводниках вместо анионов и катионов могут служить электроны (или дырки). Подобные носители дают возможность рассматривать заряженные вакансии точно так же, как ионизированные примеси, и использовать для их исследования измерения проводимости и эффекта Холла. Нестехиометрическое поведение может возникнуть из-за образования вакансий типа Френкеля или Шоттки. Еще в 1907 г. Бедекер [21] показал, что проводимость Си з величивается с избытком Однако только Вагнер с сотр. [22] установил количественные зависимости проводимости N10, ЕеО и многих других окислов от давления кислорода. В более поздних работах, особенно в работах Айзенмана [23] и Хинтербергера [24] по РЬ8, установлена роль анионных и катионных вакансий как доноров и акцепторов. Совсем недавно стало возможным получение монокристаллов РЬ5, и Блум [25] подробно исследовал влияние давления паров серы не только на свойства нелегированного РЬ5, но и на свойства РЬ5, легированного серебром и висмутом. [c.277]

Известно несколько работ по применению методов выращивания кристаллов из расплава, разработанных для элементарных и бинарных полупроводников, к тройным соединениям. К числу таких методов можно отнести хметод Бриджмена, направленное охлаждение и зонную перекристаллизацию. [c.94]

От уравнения (III.74) оно отличается тем, что здесь учтена ассоциация Vzn с ls, приводящая к образованию центра красного свечения dS (Ямакс = 740 нм). Таким образом, получает объяснение тот факт, что введение в сульфид кадмия хлорида d b увеличивает электропроводность и в то же время создает центры акцепторной природы. На этом примере видно, что характер действия данной примеси как донора или акцептора в бинарном полупроводнике предопределяется свойствами основного материала — положением энергетических уровней собственных дефектов. При этом существенно их положение по отношению к чужой зоне (в рассмотренном примере — акцепторных уровней по отношению к зоне проводимости). Как будет видно из дальнейшего, от этого зависит также тип проводимости чистых соединений [c.198]

Из теоретического анализа нестехиометрических бинарных полупроводников, проведенного Бребриком [40], следует, что область нестехиометрии соединений увеличивается с ростом отрицательной свободной энергии образования соединения (О). Это легко понять, если учесть, что величина О указывает на стабильность соединений. Ясно, что более стабильное соединение может аккумулировать большое число дефектов до наступления фазового пере- [c.9]

Кристаллохимическая модель бинарных полупроводников развивалась Сюше [2] и Коулсоном и др. [3] на основе метода молекулярных орбит. В этой модели связующая молекулярная орбита [c.18]

О полярности химической связи в бинарных полупроводниках с тетраэдрическими связями. Баженов В. К., Преснов В. А., Соболева Т. П., Фойгель М. Г. Химическая связь в кристаллах полупроводников и полуметаллов , 1973 г., 18—25. [c.271]

Распределение электронной плотности в бинарных полупроводниках с тетраэдрическими связями рассматривается в рамках дисперсионной теории. Сравнением теоретических и экспериментальных факторов рассеяния рентгеновских лучей в кристаллах арсенида галлия найдены параметры химической связи параметр переноса заряда, величина смещения зарядов связи из середины ковалентной связи, эффективные заряды атомов галлия и мышьяка, а также факторы Дебая — Уоллера для атомных зарядов и заряда связи. Результаты расчетов [c.271]

Во многих бинарных полупроводниках с ионным характером связи реализуется следующая ситуация. При изготовлении образцов в них образуется определенная концентрация вакансий какой-либо из основных компонент кристалла, связанная с нестехиометричностью образца. Одна из компонент собственного дефекта решетки — дефекта Френкеля или Шоттки — тождественна с дефектом, обусловленным отклонением от стехиометрического состава. В таких случаях в одном и том же образце при определенных температурах может иметь место частичная самокомпенсация проводимости, обусловленная нестехиометричными дефектами, а при более высоких—собственно дефектная проводимость, причем в обоих случаях будет фигурировать одна и та же энергия ионизации вакансии. Зависимости Л д (Г), п Т) в этом случае также весьма сложны. Существенную роль играет взаимное расположение уровней энергии, отвечающих нестехиометричному дефекту е и другой компоненте собственного дефекта гм. В работах [2, 3] рассматривался лищь случай гк>гм (здесь энергии берутся по модулю). Однако анализ экспериментальных данных приводит к предположению, что в действительности может быть реализован любой из этих случаев. В закиси меди, например, наклон холловских кривых очень сильно зависит от концентрации избыточного кислорода, поэтому и энергии Ею, гм могут существенно меняться в образцах разного стехиометрического состава. Этот вопрос нуждается в дополнительном изучении. [c.219]

Таким образом, для бинарных полупроводников замещение катионообразователя атомами примеси большей валентности, чем замещаемый атом, приводит к возникновению п-проводимости. Если примесные атомы обладают меньшей валентностью по сравнению с катио-нообразователями, то наблюдается р-проводимость, т. е. примеси выполняют роль акцепторов. При замещении аниоиообразователя примесные атомы более высокой валентности создают донорные уровни [c.49]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология