Диодные системы ионного распыления

Рис. 31. Схема диодной (двухэлектродной) системы ионного распыления

Рис. 50. Диодная система ионного распыления

Рис. 33. Влияние скрещенных полей на характер ионного распыления в диодной (а) и магнетрон-ной (б) системах

ДИОДНЫЕ СИСТЕМЫ ИОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ [c.44]

В наиболее простом классическом случае ионное распыление производят в тлеющем разряде с помощью диодной системы. Здесь мишень из распыляемого металла является катодом, на который подается ток в несколько киловольт, а держатель подложки — заземленным анодом (рис. 50). [c.145]

Принцип действия диодной (двухэлектродной) системы ионного распыления показан на рис. 31. Два основных элемента системы - катод 4 и анод 9 - располагаются в рабочей вакуумной камере 2. [c.44]

Магнетронные системы ионного распыления являются усовершенствованными диодными системами и отличаются от них наличием в прикатодной области электрического и коль-цеообразного магнитного полей, направленных перпендикулярно друг к другу. [c.47]

Наносят тонкие пленки в вакууме методами термического испарения и ионного распыления. При первом методе используют испарители с резистивным или электронно-лучевым нагревом, а при втором — системы диодного или магнетронного распыления. [c.3]

Схема простейшего диодного магнитного электро-разрядного насоса показана на рис. 7.41. Анод 1 насоса образован из отдельных разрядных ячеек, с открытых концов которых расположены общие катоды 2 из титана. Эта электродная система помещается в магнитное, поле, перпендикулярное плоскости катодов. При подаче на электроды разности потенциалов в несколько киловольт в ячейках возникает газовый разряд, который благодаря магнитному полю поддерживается в широком диапазоне давлений. Положительные ионы газов, образующиеся в разряде при соударении электронов с молекулами, ускоряются электрическим полем в направлении катодов и внедряются в них, вызывая распыление материала катодов. Распыленный с катодов титан осаждается главным образом на аноде. Активные газы (азот, кислород), присутствующие в вакуумной системе, 148 [c.148]

Эффективным способом увеличения скорости откач ки насоса по инертным газам является также исполь зование трехэлектродной системы, в которую, помимо катода и анода, имеющих ячеистую структуру, вводится еще коллектор, потенциал которого имеет промежуточное значение между потенциалом анода и катода. В таком насосе, как и в насосе диодного типа, разряд возникает между анодом и расположенными по обе стороны от него катодами. Образующиеся в разрядном промежутке положительные ионы под влиянием электрического поля движутся к катодам, при этом одна часть ионов, ударяющихся о поверхность ячеек катода, вызывает распыление титана. Вторая часть ионов пролетает через ячейки. Однако энергия этих ионов недостаточна, чтобы вызвать распыление материала коллектора. Вместе с тем значительная часть распыленного материала катода, пролетая сквозь катодные ячейки, оседает на коллекторе, замуровывая приходящие туда медленные ионы. Таким образом, возникает значительная часть не-распыляемой поверхности, в которую внедряются ионы, что значительно улучшает условия откачки. Так, например, быстрота откачки элементарной анодной ячейки триодного типа по сравнению с аналогичной ячейкой диодного тина по азоту возрастает в 4 раза, а по аргону— более чем в 10 раз. [c.110]

Рассмотрим влияние скрещенных полей на процесс ионного распыления. Напомним, что в диодной системе разряд поддерживается вторичными электронами, эмиттируемыми с поверхности катода-мишени под действием ионной бомбардировки. В этом случае (рис. 33, а) электроны покидают катод, ускоряются в перпендикулярном к нему направлении электрическим полем и, пройдя положительный столб, попадают на анод и захватываются им. [c.48]

Существуют различные варианты реализации метода ионного распыления, среди которых наиболее расцространены основанные на диодных и магнетронных системах. Диодные системы часто называют системами катодного распыления. [c.44]

В процессе ионного распыления в диодной системе катод выполняет две функции является источником электронов, поддерживая тлеющий разряд, и источником распыляемого металла. Чем выше энергия бомбардирующих ионов аргона, тем глубже они проникают в распыляемый металл. При увеличении энергии ионов до нескольких десятков электрон-вольт интенсивность распыления становится настолько высокой, что каждый ион способен удалить несколько атомов ме1алла. Число удаленных атомов металла, приходящихся на один ион, называют коэффициентом распыления. [c.146]

Распыление диэлектрических мишеней производят в диодной системе, но не при постоянном потенциале, а на высокой (10 МГц) частоте. Если к диэлектрической мишени приложить постоянный отрицательный потенциал, положительные ионы за короткий промежуток времени после подачи потенциала создадут на поверхности положительный заряд. Поле этого заряда скомпенсирует первоначальное поле отрицательного электрода и распыление прекратится. Поэтому для распыления необходимо удалять положительный заряд о поверхности диэлектрической мишени, что достигается приложением к мишени высокочастотного потенциала. В положительный полупериод мишень подвергается бомбардировке электронами, квтврые нейтрализуют положительный поверхност- [c.147]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология