Выбор материала формообразователя

Выбор материала формообразователя [c.120]

В главе 4 приведены исчерпывающие сведения о современном состоянии разработок по промышленному выращиванию профилированных кристаллов. В ней, в частности, затронут вопрос о выборе материала формообразователя на основе анализа физико-хи- [c.4]

Удачный выбор схемы процесса и материала формообразователя явился решающим обстоятельством, позволившим разрабо- [c.127]

Таким образом, при выборе материала формообразователя, не смачиваемого или смачиваемого расплавом, следует учитывать геометрию выращиваемых кристаллов, капиллярные параметры системы расплав—формообразователь и требования, предъявляемые к свойствам получаемых кристаллов. [c.131]

Материал, из которого изготавливается формообразователь, должен быть достаточно устойчив к воздействию расплава при рабочих температурах процесса, что особенно трудно обеспечить при кристаллизации тугоплавких соединений и элементов, а также при получении таких кристаллов, для которых не допускаются загрязнения даже относительно малыми количествам и примесей (полупроводники и др.) В предыдущих главах были показаны пути решения этой проблемы за счет целенаправленного выбора материалов для формообразователя, нанесения стойких покрытий, применения электромагнитного формообразования, проведения процесса под флюсом или в инертных средах. Следует отметить также возможность осуществления кристаллизации по способу Степанова с использованием в качестве растворителей расплавов окислов и солей ряда щелочных и щелочноземельных элементов [357] или металлов [358]. В этих условиях кристаллизация будет происходить при температурах, значительно более низких, чем точка плавления кристаллизуемого соединения, что облегчает выбор материала формообразователя. [c.219]

Монокристаллический кремний является важнейшим и наиболее перспективным материалом полупроводникового приборостроения, в связи с чем разработка процессов выращивания профилированных кремниевых монокристаллов для целого ряда приборов представляет особую актуальность, обусловленную отсутствием повторного использования отходов 81 при калибровке, резке и других операциях. Однако получение профильных монокристаллов кремния затруднено сложностью выбора материала формообразователя, устойчивого в расплаве кремния, в связи с жесткими требованиями к монокристаллам для ряда приборов по чистоте и электрофизическим свойствам. Несмотря на это, в СССР и за рубежом интенсивно ведутся работы по, совершенствованию технологических процессов и оборудования для выпуска профилированных монокристаллов 81 способом Степанова. Основные усилия проводимых работ направлены на разработку процесса получения профилированного 81 для солнечных батарей, к материалу которых предъявляются меньшие требования. Результаты ряда отечественных работ в данной области приведены в главе 4. Здесь будут даны некоторые результаты других работ в этом важном направлении в СССР и за рубежом. [c.223]

Выбор материала формообразователя безусловно является одной из главных задач разработки технологии получения профилированного кремния способом Степанова. Поэтому значительная часть выполнявшихся работ [53, 68, 367, 368, 370] связана с изучением возможности применения тех или иных материалов для этих целей. [c.223]

Отсутствие возможности полного удовлетворения требования к профилированным кристаллам и изделиям по геометрическим допускам, структуре или каким-то из свойств (качество поверхности, физико-механические и электрофизические свойства, стабильность характеристик по длине профиля и т. д.) при их высокой жесткости. В этих случаях дальнейшее повышение стабильности свойств, а также абсолютного уровня некоторых качественных характеристик может быть достигнуто за счет усовершенствования конструкции установок вытягивания, повышения прецизионности выполнения отдельных их узлов, а также автоматического регулирования, выбора оптимального варианта осуществления процесса и оборудования (материал и конструкция формообразователя, среда и т. д.) и технологического режима, применения ряда дополнительных операций (термообработка, калибровка, различные физические воздействия и т. д.), по возможности совмещая их с процессом кристаллизации (например, для снижения термоупругих напряжений и т. п.). [c.220]

Однако исследования не учитывали анизотропию коэффициента теплового расширения и упругих свойств и ее изменения с температурой. В то же время в книге показано, что для кристаллов низших сингоний это необходимо. Кроме того, при строгом теоретическом рассмотрении процессов зарождения дислокаций решение двухмерной упругой задачи недостаточно. Надо решать трехмерную термопластическую задачу. Такой расчет сложен. Дело осложняется еще и тем, что структура и свойства выращенных кристаллов зависят от содержания в них примесей. Так, из имеющихся работ следует, что для получения совершенных профилированных кристаллов кремния необходимо прежде всего решить вопрос о выборе такого материала формообразователя, который не взаимодействует с расплавом на возникновение дефектов в кристаллах сапфира оказывают сильное влияние включения газа. Поэтому необходимо дальнейшее экспериментальное и теоретическое изучение механизмов возникнове- [c.254]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология