Скорость образования зародышей кристаллизации

Скорость образования зародышей кристаллизации (йУз) проходит через максимум при температуре, лежащей между температу- [c.188]

Рис. VI. 21. Зависимость скоростей образования зародышей кристаллизации (/) и роста кристаллов (2) от температуры.

Скорость роста кристалла будет определяться следующими факторами 1) скоростью образования зародышей кристаллизации и 2) скоростью отвода тепла от фронта кристаллизации так, чтобы температура в нем не превышала температуры плавления растущего центра кристаллизации. Практически в любом расплаве присутствуют примеси, которые влияют на скорость роста и чистоту кристалла. Реальные процессы кристаллизации всегда связаны с относительно большими скоростями роста так, что равновесие между расплавом и растущим кристаллом не успевает устанавливаться, т. е. оттесняемая от фронта кристаллизации в расплав примесь (при < 1) не успевает равномерно распределяться по всему объему жидкости, и концентрация примеси у границы раздела возрастает (рис. 47). Таким образом, кристалл растет из слоя расплава, обогащенного примесью, причем это обогаще- [c.84]

Рис. 111.12. Влияние степени молекулярной ориентации, определяемой по величине двулучепреломления, на скорость образования зародышей кристаллизации. Числа на кривых — температура кристаллизации.

Рис. 10. Кривые скорости образования зародышей кристаллизации и линейной скорости роста кристаллов (Тамман [247])

Величина частиц осадка зависит от соотношения скорости образования зародышей кристаллизации и скорости ориентации ионов в кристаллической решетке, определяющей образование кристалла. Если скорость образования зародышей кристаллизации велика, то [c.128]

Например, если смешать равные объемы 1 М раствора и 1 М раствора 3 , результирующие концентрации каждого из этих ионов в момент смешения будут равны 0,5 моль/л, что приблизительно в 10 раз превышает концентрации данных ионов в насыщенном растворе РЬ8. Образуются зародыши кристалликов РЬ8 роль таких зародышей могут играть также случайно присутствующие в растворе частицы, например пыль, или специально вводимые в раствор частицы, называемые затравками . Скорость образования зародышей кристаллизации приблизительно пропорциональна степени пересыщения раствора. Если вначале в растворе присутствовали лишь отдельные зародыши или затравки , они могут вырасти до больших размеров по мере того, как растворенное вещество будет выводиться из раствора. При наличии в растворе большого числа зародышей кристаллизации, каждый из них в процессе образования насыщенного раствора вырастает лишь до сравнительно малых размеров. [c.280]

Таким образом, условия стеклообразования весьма сложны и разнообразны. С одной стороны, они включают требования к самому веществу, в частности к электронному строению атомов и характеру сил взаимодействия между ними. С другой стороны, включает требования к технологическому процессу превращения исходного вещества в стекло, главным из которых является создание в процессе охлаждения расплавов условий, исключающих кристаллизацию. Поскольку скорость образования зародышей кристаллизации не бесконечна, увеличение скоростей охлаждения становится фактором, ответственным за реализацию потенциальных возможностей, заложенных составом и строением вещества, обеспечивающих превращение последнего в стеклообразное состояние. [c.130]

Скорость образования зародышей кристаллизации [c.156]

В соответствии с представлениями Хофмана скорость образования зародышей кристаллизации определяется выражением [c.156]

Отношение скорости образования зародышей кристаллизации в ориентированном расплаве N к скорости образования зародышей в неориентированном расплаве определяется соотношением [c.156]

Для проверки суммарного развития процесса кристаллизации желательно иметь данные по скорости образования зародышей кристаллизации и по скорости роста. Часто такие измерения могут быть проведены при использовании оптического микроскопа. В частности, для металлов (однако в принципе и для макромолекулярных материалов) очень простой метод состоит в измерении числа зародышей и размеров [c.179]

Комбинируя уравнения (1), (2) и (4), получаем следующее выражение для скорости образования зародышей кристаллизации при температуре Т [c.41]

Время проявления эмульсионных микрокристаллов в значительной степени зависит, но-видимому, от индукционного периода [54], поэтому можно предполагать, что центры скрытого изображения, так же как и центры вуали, еще не являются центрами проявления. Так как проявление представляет собой топохимический процесс, то его скорость должна вначале определяться скоростью образования зародышей кристаллизации [55], — растущие в [c.63]

Скорость образования зародышей кристаллизации гидрата в значительной степени определяется величиной внешнего давления и степенью переохлаждения процесса [c.55]

С увеличением давления скорость образования зародышей кристаллизации растет При повышении степени переохлаждения скорость образования зародышей кристаллизации резко возрастает, а, достигнув определенного значения, при заданном давлении, плавно снижается [c.55]

Зависимость скорости образования зародышей кристаллизации гидрата метана на свободной поверхности раздела газ — вода от давления р и переохлаждения АТ может быть описана уравнением [c.55]

Скорость образования зародышей кристаллизации с повышением молекулярной массы газа-гидратообразователя и давления растет. При переохлаждении скорость формирования зародышей кристаллизации увеличивается за счет большей разницы химических потенциалов воды. Однако скорость формирования зародышей с переохлаждением, достигнув максимума, понижается, что можно объяснить ростом числа молекул в кластерах, их жесткости, укрупнением роев кластеров, повышением вязкости воды и затруднением проникновения молекул газа внутрь сформировавшихся кластерных ячеек. [c.62]

Зная скорость образования зародышей кристаллизации I и радиальную скорость роста поверхностно-пленочного гидрата Ул, можно определить величину образовавшейся гидратной пленки Р за время т из выражения [c.63]

Образование областей упорядоченностей в системе может быть объяснено частичным перекрытием кривых скорости образования зародышей кристаллизации W = W(АТ) я ях линейной скорости роста С = С(АТ), как показано на рис. 10. [c.103]

Величина частиц осздкз ззвисит от соотношения скорости образования зародышей кристаллизации и скорости ориентации ионов в кристаллической решетке, определяющей образование [c.359]

В то время как равновесный подход до сих пор находит довольно ограниченное применение для описания реальной кристаллизации сополимеров, он служит основой для понимания кинетики процесса, являясь отправной точкой при расчете разности свободных Знталь-пий, необходимой для описания зародышеобразования. Горник и Манделькерн [127] распространили выражение для зародышеобразования [уравнение (5) гл. 5] на сополимеры. Для скорости образования зародышей кристаллизации они получили выражение [c.341]

Keimbildungsges hwindigkeit f скорость образования зародышей (кристаллизации) скорость образования центров кристаллизации [c.357]

Скорость образования зародышей кристаллизации и роста гидратов измеряли фотометрическим способом с использованием синхронной центраферной киносъемки. [c.54]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология