Образование центров кристаллизации скорость

С увеличением концентрации азотнокислого серебра скорость образования зеркальной пленки возрастает. Коэффициент использования серебра значительно снижается при высокой, например более 0,3 моль/л (50—60 г/л), концентрации азотного серебра. С увеличением концентрации щелочи количество серебра, выделяющегося на поверхности, возрастает, что объясняется, по-видимому, меньшей скоростью образования центров кристаллизации в объеме раствора. Оптимальная концентрация восстановителя определяется главным образом концентрацией серебра и щелочи в растворе. Концентрации компонентов применяемых на практике 40 [c.40]

С точки зрения возможности появления твердой макрофазы важно не только количество образующейся дисперсной фазы, но и особенно размеры образующихся частиц. При кристаллизации размеры кристаллов определяются прежде всего скоростью образования центров кристаллизации. Статистическая вероятность возникновения центров кристаллизации, представляющих собой достаточно крупные группировки молекул, вблизи температуры насыщения очень мала. Кристаллические зародыши начинают появляться лишь по достижению в результате переохлаждения определенного пересыщения раствора. Связь между скоростью образования центров кристаллизации и переохлаждением системы выражается зависимостью /31/ [c.50]

Кинетика реакций на межфазовых границах обусловливает процессы образования центров кристаллизации, скорость которых зависит от степени пересыщения, а также выделение кристаллов из раствора с незначительным пересыщением. [c.218]

Мгновенное образование центров кристаллизации означает, что скорость образования центров кристаллизации не изменяется в течение процесса кристаллизации, в то время как при спорадическом образовании центров кристаллизации скорость образования их постоянно увеличивается во время процесса. [c.142]

Кристаллизатор F состоит из корпуса с внешним циркуляционным контуром, обслуживаемым центробежным насосом. Из-за относительно большой скорости циркуляции образование центров кристаллизации имеет место по всему объему суспензии. Авторами работы [118] предлагается модель каскада аппаратов с образованием центров кристаллизации в каждом аппарате. Функция рас- [c.142]

Рассмотрим п кристаллизаторов с перемешиванием, действующих последовательно, с образованием центров кристаллизации в каждом кристаллизаторе в случае зависимости скорости роста от [c.143]

Подобным же образом влияют эти эффекты и на образование пересыщенных растворов и переохлажденных жидкостей. Внесение затравки новой фазы или введение других частиц, которые могут служить центрами ее образования, всегда вызывает самопроизвольно протекающий переход в устойчивую форму (например, засахаривание сиропов и варенья). Самопроизвольное образование центров кристаллизации (и вообще центров выделения новой фазы) определяется вероятностью образования соответствующих сочетаний молекул или ионов и связано с явлениями флюктуации. (Кинетику этих процессов мы рассмотрим в 202). Работы 3. Я- Берестневой и В. А. Каргина показали, что и при образовании кристаллической фазы из раствора зародыши ее часто возникают первоначально в виде аморфных частиц, которые с большей или меньшей скоростью переходят в кристаллическое состояние. [c.361]

При быстром и интенсивном охлаждении ПГС скорость образования центров кристаллизации намного выше, чем скорость роста кристаллов, поэтому в этом случае образуется большое количество мелких кристаллов. При принятых линейных скоростях они могут уноситься газами, не успев осесть. При медленном же охлаждении скорость роста кристаллов будет опережать рост центров кристаллообразования. Эффективность улавливания дисперсной фазы будет намного выше. [c.9]

Ответственной стадией процесса является охлаждение мыльно-масляного расплава. Изменяя скорость охлаждения, можно значительно воздействовать на структуру, а следовательно, и на свойства смазок. Кристаллизация мыла, протекающая при охлаждении расплава, сопровождается образованием центров кристаллизации, ростом кристаллов и связыванием их друг с другом с образованием структурного каркаса смазки. В зависимости от типа и требуемого качества смазки охлаждение можно проводить с постоянным понижением температуры (медленно) или при резком перепаде температур (быстро) как в динамических, так и в статических условиях. При медленном охлаждении смазки в покое или перемешивании образуются крупные мыльные волокна, быстрое охлаждение способствует образованию мелких волокон. [c.255]

При одном и том же содержании углеродных атомов в молекуле наиболее высокой температурой плавления обладают нормальные алканы, где дисперсионному взаимодействию подвергаются все углеродные атомы соседних молекул. С разветвлением структуры молекул такая возможность вследствие их иной ориентации понижается, что объясняет более низкую температуру кристаллизации. В твердом состоянии молекула алкана расположена упорядоченно, образуя кристаллы различной структуры, преимущественно большие агрегаты достаточно гибких кристаллов. Процесс кристаллизации складывается из двух стадий стадия образования центров кристаллизации (или зародышей) и стадия роста этих центров. Вторая стадия кристаллизации — многоступенчатый процесс, который по различным причинам (например, вследствие возникновения механических напряжений) может останавливаться на любой промежуточной стадии. Монокристаллы образуются только в особых условиях. Обе стадии кристаллизации сильно зависят от температуры. Понижение температуры благоприятствует образованию зародышей кристаллизации, но в то же время уменьшает молекулярную подвижность, а вместе с ней и скорость роста кристаллов. Поэтому температурная зависимость скорости кристаллизации проходит через максимум. Большинство алканов имеет несколько аллотропических модификаций, кристаллизуясь в гексагональной, триклинной, моноклинной и орторомбической формах. Некоторые [c.190]

Процесс образования аморфных и кристаллических осадков аналогичен в некоторых чертах процессу образования твердых фаз, который хорошо изучен для кристаллизаций расплавов солей, силикатов, металлов. Однако в этих последних случаях скорость образования центров кристаллизации и скорость роста уже образовавшихся кристаллов зависит главным образом от температуры. Между тем, для образования осадков наиболее существенным фактором является растворимость осадков, концентрация и скорость сливания растворов реагирующих веществ. Таким образом, большинство данных по изучению кристаллизации расплавов нельзя непосредственно использовать для объяснения процесса кристаллизации осадков из растворов. [c.55]

В последнее время развивается специальная группа приемов осаждения — гомогенное осаждение, или, правильнее, метод возникаюш их реактивов. Принцип этого метода заключается в том, что осадитель вводится в скрытой форме , чаще всего в виде органического соединения, которое медленно распадается в растворе. Таким образом, ионы осадителя медленно образуются и равномерно распределяются во всем объеме раствора. Концентрация этих ионов во время формирования осадка мала, механическое перемешивание отсутствует, поэтому скорость образования центров кристаллизации уменьшается. Эти условия способствуют росту отдельных кристаллов. В то же время уменьшается влияние внутренней адсорбции, и осадок захватывает меньше примесей. Методу возникающих реактивов посвящено много статей и монографий . [c.80]

Образование осадка начинается с формирования зародышей или центров кристаллизации — мельчайших образований по размерам, сравнимых с размерами молекул или несколько большими. Рост этих образований в растворе приводит к появлению более крупных частиц, которые и выпадают в осадок. Таким образом, на размер кристаллов оказывают влияние относительные скорости двух основных процессов скорость образования центров кристаллизации и скорость роста кристаллов. При небольшой скорости образования центров кристаллизации по сравнению со скоростью роста кристаллов в растворе будет происходить образование небольшого числа крупных кристаллов. Если же скорость образования центров кристаллизации будет превышать скорость роста кристаллов, в растворе образуется большое число мелких кристаллов. [c.146]

Скорость образования центров кристаллизации, а следовательно, и их число зависят от величины относительного пересыщения (ОП) раствора, которое выражается [c.146]

Важную роль в процессе образования осадка играет соотношение скорости возникновения центров кристаллизации и скорости роста кристалликов. Если скорость образования центров кристаллизации большая, а рост кристаллов идет медленно, получают мелкодисперсный осадок. Если, наоборот, скорость возникновения зародышей кристаллов низка, а кристаллы растут быстро, получают крупнокристаллический осадок. [c.124]

Чем больше относительное пересыщение, тем больше скорость образования центров кристаллизации и тем мельче будут образующиеся кристаллы. Для уменьшения числа центров кристаллизации в растворе в соответствии с формулой (8.1) необходимо уменьшить (Э и увеличить 5. По этой причине перед осаждением многих веществ раствор рекомендуется разбавить для уменьшения и нагреть для увеличения 5, а также ввести электролит, чаще всего соли аммония, для увеличения 5 или с этой же целью подкислить раствор. [c.147]

Способность веществ переохлаждаться и образовывать пересыщенные растворы обусловлена высокой энергией активации, низкой энтропией активации процесса образования центров кристаллизации и малой скоростью роста зародышей. [c.246]

Стеклообразное состояние. Стеклообразное состояние возникает при охлаждении жидкости в том случае, если очень мала скорость образования центров кристаллизации и если очень сильно увеличивается вязкость с понижением температуры. Стекла — это изотропные твердые материалы, получаемые переохлаждением расплавленных неорганических и органических соединений. В отличие от твердых кристаллических тел стекла при нагревании постепенно размягчаются и переходят в жидкое состояние в некотором интервале температур без скачкообразного изменения свойств и поглощения тепла. [c.232]

Таким образом величина зерна в осадке определяется соотношением скоростей образования кристаллических зародышей и роста сформировавшихся кристаллов. Чем больше скорость образования центров кристаллизации по сравнению с линейной скоростью роста отдельного кристалла, т. е. чем больше кристаллов возникает на покрываемой поверхности в единицу времени, тем мельче кристаллы полученного осадка. В зависимости от плотности тока, скорости диффузии и условий пассивирования чередование процессов зарождения, роста и пассивирования кристаллов может происходить быстрее или медленнее, чем и определяется величина кристаллов в поликристаллическом осадке. [c.128]

Величина кристаллов зависит от соотношения скорости зарождения центров кристаллизации и линейной скорости их роста. Чем больше скорость образования центров кристаллизации и соответственно меньше линейная скорость, тем меньше размер кристаллов поликристаллического твердого тела. В процессе электрокристаллизации металлов все факторы, способствующие увеличению поляризации, ведут к росту скорости зарождения центров кристаллизации. Такая связь между поляриза- [c.387]

При пересыщении раствора путем охлаждения (или путем испарения части растворителя) возникают две области метастабильная, в которой происходит рост кристаллов, и лабильная, в которой происходит образование центров кристаллизации. Регулируя метастабильное пересыщение, можно создать условия, при которых скорость роста кристаллов будет наибольшей, а скорость образования центров кристаллизации наименьшей, [c.649]

Если в процессе электроосаждения металла выделяется газ, например водород, то осадки получаются губчатыми или чешуйчатыми. Для предотвращения выделения газа тщательно контролируют потенциал катода или вводят в раствор деполяризаторы, например нитрат-ионы. Размер частиц осадка уменьшается с увеличением скорости образования центров кристаллизации, т.е. с увеличением плотности тока. Однако следует избегать очень высоких плотностей тока, так как могут образоваться осадки с низкой плот- [c.544]

С до 33 °С, а затем медленно снижают температуру до 30... 32,5 °С (при выработке шоколада без добавлений) и выдерживают массу в этом температурном интервале, не прекращая интенсивного перемешивания. Вследствие большой вязкости и значительной массы молекулы какао-масла имеют малую скорость, что затрудняет создание центров кристаллизации. При таком режиме создаются оптимальные условия для равномерного образования центров кристаллизации только устойчивой р-формы масла-какао и исключается жировое поседение шоколада. [c.189]

Для выявления характера зависимостей Еа (С ) и а = /(С ) представим энергию зародышеобразования в изотермических условиях как функцию скорости образования центров кристаллизации п. Используя экспериментальные значения скоростей в исходной (по) и легированной азотом (п ) системах, легко получить [c.353]

Экспериментально установлен одинаковый характер влияния элементов первой и третьей групп на процесс образования центров кристаллизации, который заключается в ослаблении зависимости числа центров кристаллизации от давления, а на кинетику изменения формы алмазов — в относительно более частом появлении грани куба при увеличении размера кристаллов от до 0,6- 10 м, т. е. в интервале длительности процесса алмаза до 1200 с. Влияние указанных групп элементов на линейную скорость роста кристаллов противоположно (см рис. 132). Если в присутствии бора, азота и в меньшей степени алюминия скорость роста алмаза увеличивается, то введение 1п, Оа Си, 5Ь приводит к ее снижению. Полученные результаты можно объяснить некоторым повышением в присутствии этих элементов энергетического барьера перехода графит — алмаз за счет ослабления каталитических свойств металлической системы. В случае азота возможно влияние также элементов, образующих нитриды. В условиях регулярного роста кристаллов примеси первой группы способствуют увеличению пересыщения углерода или путем усиления температурной зависимости его растворимости в металлическом расплаве, или за счет увеличения размеров ассоциаций атомов углерода в растворе. Элементы третьей группы из-за слабого их взаимодействия с углеродом, очевидно, снижают и его растворимость и скорость диффузии в расплаве. [c.380]

Однако потребность в глубокообезмасленных высокоплавких церезинах из года в год растет. В связи с этим исследованию возможности интенсифицировать процесс обезмасливаиия твердых углеводородов, особенно петролатумов, посвящено много работ. Известно, что некоторые примеси и специально введенные присадки могут изменять течение и характер кристаллизации твердых углеводородов при понижении температуры, влияя как на образование центров кристаллизации, так и на последующий рост кристаллов. Использование модификаторов структуры твердых углеводородов для интенсификаций обезмасливаиия представляет большой интерес. В этом случае без особых капитальных затрат можно значительно увеличить скорость фильтрования суспензии твердых углеводородов и, как следствие этого, увеличить производительность установки при одновременном повышении качества получаемых церезинов. Эффективность модификаторов структуры твердых углеводородов при обезмасливании зависит от их правильного выбора, который определяется природой и механизмом действия модификатора, составом и содержанием твердых углеводородов в сырье, а также структурой и содержанием в нем смолистых веществ. [c.176]

Анализ этого уравнения применительно к кристаллизации переохлажденной жидкости, показывает, что с ростом степени переохлаждения скорость зарождения центров кристаллизации увеличивается (уменьшается AG) и уменьн1ается скорость доставки вещества (увеличивается вязкость). Такие зависимости должны давать максимум на кривой зависимости скорости образовании центров кристаллизаций от температуры (рис. 11.25), Например, [c.103]

Зависимость скорости роста зародыи1ей от пересыщения и переохлаждения также должна иметь максимум. На рис. 11.26 изоб-1)ажены температурные зависимости скоростей образования центров кристаллизации у, и роста кристаллов 1)2 в переохлажденной жидкости. Соотпо1неине между этими скоростями и взаимное расположение их максимумов определяют характер кристаллизации и [c.104]

Современная теория электрохимической кристаллизации дает возможность объяснить влияние природы металла, типа разряжающихся ионов и характера их электронных структур, состава раствора и наличия в нем поверхностно-активных веществ, пассивационных явлений, заряда поверхности, стадийности и числа присоединяемых электронов, водорода, природы растворителя, параметров электролиза (плотность тока, температура и т. п.) и других факторов на величину перенапряжения при выделении металлов х]м. В свою очередь, именно величина т]м определяет соотношение скоростей образования центров кристаллизации и их роста, что сказывается на мелкокристалличности получаемых осадков и равномерности их распределения по основе. [c.141]

Согласно данным Таммана, склонность расплава к стеклообра-зованпю или, напротив, к самопроизвольной кристаллизации определяется скоростью образования центров кристаллизации (СОЦ) и линейной скоростью роста кристаллов (СРК). С понижением температуры жидкости ири охлаждении как СОЦ, так и СРК вначале возрастают, достигая максимума, а затем быстро снижаются (рис. 119). [c.191]

Намного легче осуществляются гетерогенное зародышеобразование и кристаллизация. Скорость образования центров кристаллизации новой фазы ускоряется в присутствии поверхностей раздела, существовавших до образования центров новой фазы. Такими поверхностями раздела могут служить стенки сосуда, инородные включения в виде зерен и коллоидных частиц, дислокации и т. д. Наличие поверхностей раздела повышает поверхностную энергию системы, а это способствует снижению АРкр, т. е. величины энергии гомогенного зародышеобразования за счет уменьшения энергии поверхности раздела Д/ . [c.221]

Рассмотрим процесс кристаллизации расплава индивидуального вещества, пренебрегая содержащимися в нем примесями. При охлаждении расплава до температуры плавления соответствующего ему твердого вещества в нем возникают флуктуации плотности, которые представляют собой относительно большие скопления частиц (молекул, атомои или ионов) вещества с ориентированным расположением, приближенно подобно тому, как это имеет место в кристаллической решетке. Такие скопления можно рассматривать как некие комплексы, агрегаты или ассоциаты их иногда называют дозародышевыми образованиями. Но они еще не являются стабильными образованиями число частиц в них вследствие теплового движения в расплаве различно и не постоянно. Сталкиваясь друг с другом, такие конфигурации групп частиц могут укрупняться или распадаться в зависимости от соотношения действующих в них межмолекуляр-ных сил и воздействия на эти частицы молекул расплава. При дальнейшем понижении температуры расплава, т. е. при его переохлаждении, преобладающее влияние будет проявлять первый из указанных эффектов. Размеры образований при этом в целом будут увеличиваться до некоторой критической величины. В результате в расплаве начинается образование зародышей кристаллов ( критических кластеров ), которые и становятся центрами кристаллизации. Скорость их образования определяется заданным переохлаждением расплава. По достижении определенного переохлаждения расплава после образования в нем зародышей кристаллов на последних начинается выделение твердой фазы, характеризующееся той или иной скоростью роста образующихся кристаллов. Одновременно может [c.106]

Величина кристаллов, образовавшихся из насыщенного раствора или расплава, зависит от соотношения скорости зарождения центров кристаллизации и линейной скорости роста кристаллов. Чем больше скорость образования центров кристаллизации и чем соответственно меньше линейная скорость кристаллизации, тем меньше размер кристаллов поликристаллического твердого тела. Эти закономе рности полностью относятся и к процессу электрокристаллизации металотов. Многочисленными исследованиями установлено, что все факторы, способствующие увеличению катодной поляризации, ведут к росту скорости зарождения центров кристаллизации. Такая связь между поляризацией и скоростью образования зародышей объясняется тем, что энергия активации, необходимая для образования зародыша, значительно больше энергии, затрачиваемой на рост уже имеющихся кристаллов. В связи с тем, что при электролизе изменяются 1И число и характер образующихся кристаллов, истинная плотность тока весьма заметно отличается от плотности тока, рассчитанной по геометрической поверхности электрода. [c.367]

МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ, проводят разл. методами, обеспечивающими получение индивидуальных кристаллов заданного размера, формы и дефектности. При М. в. заранее полученные мелкие кристаллы (затравку) помещают в пересыщ. среду (пар, р-р, расплав, твердое в-во) и выдерживают там до укрупнения затравки. Пересыщение и т-ру среды поддерживают такими, чтобы затравка росла со скоростью 10" -10 мм/с без спонтанного образования центров кристаллизации с сохранением морфологич. устойчивости (см. Кристаллизация). Монокристалличность вы [c.131]

Избежать кристаллизации льда помогла бы витрификация воды, т. е. затвердение ее в аморфном состоянии. Получить витрифика-цию чистой воды практически невозможно. Но в коллоидных растворах скорость образования центров кристаллизации и роста кристаллов льда снижается и повышается температура, при которой их рост прекращается. Все это облегчает витрификацию. Добавление криопротекторов также затрудняет кристаллизацию льда и способствует витрификации. [c.201]

Можно также получить дилатометрическую кривую в виде временной зависимости АУ/У (рис. 13.2), где 1 - индукционный период образования центров кристаллизации 2 - период собственно кристаллизации 3 - послекристаллизационный период (упорядочение структуры). Анализ кривой позволяет определить основные характеристики максимальную скорость кристаллизации находят по тангенсу угла наклона а касательной в точке перегиба кривой время достижения [c.348]