Постоянная тонкой структуры

Расстояние между отдельными компонентами тонкой структуры пропорционально квадрату постоянной тонкой структуры (67,13), т. е. порядка 5-10 атомной единицы энергии. Для уровня п = 2 атома водорода (2=1) энергетическая разность между состояниями 2pai я 2si/ равна аУ32 (л 0,365 см- ). Абсолютная величина тонкой структуры с ростом главного квантового числа быстро уменьшается. Поэтому расщепление спектральных линий, соответствующих переходам между состояниями с разными значениями п, обусловлено в основном расщеплением уровней нижайшего состояния. Так, например, каждая бальмеровская линия (соответствующая квантовым переходам в состояние л = 2) состоит из дублетных линий, расстояние между которыми порядка а /32 атомных единиц энергии. [c.313]

Диэлектрическая проницаемость вакуума Постоянная тонкой структуры Элементарный заряд Атомная единица массы [c.666]

Постоянная тонкой структуры. .........137,0373 0,0006 [c.32]

Отметим, что для конфигурации р постоянная тонкой структуры равна нулю. Поэтому в рамках принятых приближений невозможно объяснить реальные интервалы между энергиями уровней в мульти-плетах. [c.175]

Диэлектрическая про ницаемость вакуума Постоянная тонкой структуры [c.666]

Постоянная тонкой структуры [c.551]

Введя обозначения а=— (а — постоянная тонкой структуры) [c.141]

При расчете релятивистских поправок важную роль играет безразмерная постоянная тонкой структуры [c.48]

Расчет сушилок на основе математической модели. Ести скорость сушки постоянна, то структура потока не оказывает влияния на течение процесса и обычно такие вешества сушат в режимах, близких к полному перемешиванию, обеспечивая активное взаимодействие с теплоносителем во всем объеме. Не представляет особого труда также расчет аппаратов периодического действия и аппаратов непрерывного действия с постоянным механизмом влагопереноса. [c.328]

При вычислении (67,12) удобно перейти к атомным единицам. Вводя постоянную тонкой структуры [c.311]

Наиболее точно определяемыми физическими постоянными являются постоянная тонкой структуры а, электрический заряд электрона е и скорость света в вакууме с. Поэтому в работах [1141—1143, 700, 701] постоянная Планка /г определена через значения постоянных а, е м с посредством соотношения [c.954]

Скорость света Постоянная тонкой структуры Заряд электрона [c.31]

Точный релятивистский гамильтониан .при Л <[ X в прибли-н ении Брейта — Паули может быть записан с точностью до членов порядка (а — постоянная тонкой структуры) в виде (см. [40]) [c.46]

Безразмерная постоянная а = - определяющая масштаб расщепления, носит название постоянной тонкой структуры. Существенно, что в то время, как каждая из поправок АЕ и АЕ" по [c.29]

Фактор F jZ) носит название релятивистской поправки к постоянной тонкой структуры Л. При aZ = 0 Значения F (jZ) для зна- [c.309]

Поскольку интеграл < fьl зliь> зависит только от и для каж,дого атома имеет определенное значение, сравнивая формулы (VI, 8) и (VI, 4) в пренебрежении взаимодействием электронов соседних атомов с данным ядром, можно получить значение постоянной тонкой структуры а. [c.116]

В связи с малой величиной магнитные взаимодействия проявляются лишь в тех системах, где электростатические взаимодействия более быстро спадают с расстоянием, чем магнитные. Так, для неполярных молекул с не равным нулю полным электронным спином магнитные спин-спиновые взаимодействия пропорциональны a lR (а — постоянная тонкой структуры) и становятся yu(,o T-венными на больших расстояниях, поскольку электростатические взаимодействия спадают с расстоянием более быстро (электростатические квадруполь-квадрупольиые пропорциональны HR дисперсионные — UR ). [c.24]

МОЖНО выразить через одноэлектронную постоянную и постоянную тонкой структуры исходного терма [c.210]

Можно было бы привести еш,е несколько примеров фундаментальной роли малости безразмерного заряда электрона. Например, магнитная восприимчивость твердого диамагнетика всегда, когда диамагнетизм не обязан своим суш,ествованием переходу металла в сверхпро-водяш,ее состояние, значительно меньше единицы ). Причина — малость все той же постоянной тонкой структуры. Можно показать, что диамагнитная восприимчивость по порядку величины просто равна е /Нс) . Опять [c.279]

Смотреть страницы где упоминается термин Постоянная тонкой структуры: [c.172] [c.296] [c.8] [c.6] [c.259] [c.299] [c.317] [c.446] [c.204] [c.296] [c.332] [c.193] [c.33] [c.45] [c.298] [c.153] [c.238] [c.260] [c.279] [c.299] [c.337] [c.397] [c.120] [c.129] [c.135] [c.384] [c.434] [c.74] [c.131]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология