Кристаллы двумерные напряжения

В первом случае имеет место регулярный переход от складчатой к плоскостной структуре кристаллов с выпрямленными цепями, и структура ориентированного материала представляет собой набор параллельно уложенных двумерных кристаллов (рис. IV.30, а). Авторы работы отмечают, однако, что такие плоскостные двумерные кристаллы термодинамически неустойчивы и могут существовать только в результате наложения очень высоких напряжений. Двумерные кристаллы образуют новую кристаллическую фазу, так что процесс перехода в шейку здесь может рассматриваться как фазовый переход, происходящий через плавление. [c.293]

При взаимодействии частичных дислокаций образуются дефекты упаковки и двойники, представляющие собой двумерные поверхностные дефекты. Энергия образования поверхностей, связанных с дефектами упаковки и двойниками, на 1...3 порядка ниже энергий образования поверхности, разделяющей отдельные зерна кристаллов. В напряженном состоянии кристалла при реализации пластических деформаций могут образоваться дефекты с более высокими энергиями, в частности точечные, на образование которых необходимо затратить энергию 10 ..10 Дж. Изменение структуры вещества при измельчении бывает, как правило, достаточно сложным и обычно анализируется различными методами рентгеноструктурньш анализом, электронной микроскопией и ядерной гамма-резонансной спектроскопией (ЯГРС) [34] и др. [c.141]

Наиболее изяш,н0 было показано существование двумерного зарождения при электрокристаллизации серебра [Будевский Е. и др., 1974]. Кристаллы росли в капиллярах, где сравнительно легко получить бездислокационную грань благодаря выходу дислокаций на боковую поверхность кристалла. При отсутствии выходов дислокаций на торце кристалла и подаче соответствующего напряжения на систему кристалл — раствор ток проходил отдельными импульсами. Так как ток проходит только в момент кристаллизации, то он при дислокационном росте должен быть непрерывным. Установлено, что количество электричества, протекающего за один импульс, соответствует числу электронов, необходимому для восстановления того количества серебра, которое перекрывает площадь капилляра моноатомным слоем. [c.37]

Проводились также численные эксперименты для выяснения влияния присутствия атомов, отличающихся от атомов кристаллической решетки, на процессы, протекающие при деформации [33]. Эти расчеты дали также некоторые интересные сведения о кристаллизации примесных атомов и внедрении их в основную решетку. Поскольку основной целью этих ЧЭДТ было изучение молекулярного механизма эффекта Ребиндера — адсорбционного понижения прочности, численные эксперименты организовывались следующим образом. Если объектом исследования служили двумерный и трехмерный 1 кристаллы с полостью в качестве концентратора напряжений, то атомы примеси в начале счета обычно размещались на стенках полости. Молекулы примеси А и основного компонента В имели в этих ЧЭДТ одинаковую природу это одноатомные молекулы, взаимодействие между которыми описывается потенциалом Леннард — [c.95]

Ток в переходной области (при переходе к нестационарному режиму) не является суммой токов, а сама эта область напряжений характеризуется прыжковыми изменениями вида зависимости высоты межконтактно-го барьера от напряжения. Наличие такого типа проводимости у нелинейных элементов представляет большой интерес. Прыжковая проводимость по границам зерен в поликристаллах обнаружена у большого числа полупроводников. Туннельно-прозрачные границы представляют собой двумерные поверхности раздела, что обусловливает двумерный перенос по границам зерен в поликристалле. Переход от трех- к двумерной прыжковой проводимости осуш ествляется при более мягком условии, чем туннелирование. В работе [4] свойства систем с размерностью меньше трех обсуждается, главным образом, в связи с тем, что в них нефононные возбуждения могут обеспечивать притягательные взаимодействия для спаривания электронов, приводящего к появлению свойств структуры кристалла, позволяющих избирательно реагировать на сверхслабые внешние воздействия. [c.136]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология