Есина Шихова

Если для определения г использовать экспериментальное заполнение поверхности анионами, то получается сдвиг т. н. з., составляющий около 200 мв при изменении концентрации на порядок, т. е. в два раза больше, чем на опыте. Это расхождение связано с тем, что О. А. Есин и В. М. Шихов рассматривали как дискретные также заряды катионов на внешней плоскости Гельмгольца, тогда как в действительности дискретность внутренней плоскости Гельмгольца проявляется значительно сильнее, чем на внешней плоскости Гельмгольца. Б. В. Эршлер впервые получил теоретически правильный результат, приняв, что заряд слоя катионов является равномерно размазанным зарядом. Расчет был выполнен при использовании метода зеркального изображения. Этот метод представляет собой математический прием, позволяющий рассчитать взаимодействие ионов с металлом и ионами внешней обкладки двойного слоя. В дальнейшем Д. Грэм распространил [c.127]

Есин и Шихов [39] использовали в качестве модели двойного слоя два параллельных слоя дискретных зарядов противоположного знака. Эти авторы отметили, что распределение потенциала для такого расположения (рис. 29) отличается от ли- [c.80]

Значительно большее, чем можно было ожидать, смещение потенциала нулевого заряда при повышении концентрации специфически адсорбирующегося электролита Есин и Марков [43] приписали образованию слоев дискретных зарядов в двойном слое. Такую модель разработали Есин и Шихов [45]. Эти же проблемы обсуждал Парсонс [46]. [c.28]

Прежде всего вряд ли допустимо рассматривать ноны, находящиеся во внутренней обкладке двойного слоя, как равномерно размазанные но поверхности металла. Первое экспери.ментальное доказательство днскретности содержалось в эффекте Есина — Маркова, т. е. в аномально (с точки зрения существовавшей тогда теории двойного слоя) высоком коэффициенте наклона зависнмости — п а+. О. Л. Есин и В. М, Шихов предложили первую модель строения двойного слоя, в которой учитывалась дискретность зарядов. Она была далее развита Эршлером, Грэмом и др. [c.273]

Из этих исследований вытекал важный вывод относительно формы зависимости стандартной свободной энергии адсорбции от заряда электрода (или от потенциала). Так, Парсонс (1955— 1963) обнаружил, что эта величина линейно зависит от заряда электрода в случае специфической адсорбции ионов и изменяется по квадратичному закону для незаряженных частиц. Последнее соотношение ранее получено в системе координат энергия — потенциал Фрумкиным (1926) и Батлером (1929) на основании простых моделей. Количественный анализ специфической адсорбции ионов осложняется необходимостью учитывать дискретность заряда, как это было впервые показано Есиным и Шихо-вьш (1943). Много усилий для исследования этого эффекта было приложено Эршлером (1946), Грэмом (1958), Парсонсом (1961—1963) и др. Расчет потенциала во внутренней плоскости [c.11]

Было предпринято много попыток разработать такую теорию двойного электрического слоя, которая бы количественно согласовалась с опытными данными. Так, Райс (1926—1928) высказал предположение, что и внутри металла не все заряды локализованы в одной плоскости, а распределяются в объеме металла с постепенно убывающей плотностью. Представление о двух диффузных слоях по обе стороны границы раздела вряд ли приложимо к тому случаю, когда одна из граничащих фаз является металлом. Возможно, что она реализуется на границе ионнопроводящих фаз, а также на границе полупроводника с раствором. Есин и Шихов (1943) усовершенствовали теорию Штерна, учтя дискретный характер ионных слоев. Они предположили, что специфически адсорбирующиеся ионы будут присутствовать в двойном слое в виде взаимно связанных ионных пар анион — катион. Эта идея была развита Эршлером (1946), который считает наиболее вероятным гексагональное расположение адсорбированных ионов, связанных со стороны раствора с деформированной ионной атмосферой. Модель Эршлера позволяет количественно истолковать влияние поверхностноактивных ионов на сдвиг максимума электрокапиллярной кривой. [c.276]

Многие авторы [2, 4, 11] считают, что лимитирующим звеном процесса является диффузионный перенос серы в шлаке. В работе Чанга и Гольд-мана [1] утверждается, что процессом, определяющим скорость десульфурации чугуна, является химическая реакция перехода серы из металлической фазы в шлаковую. О. А. Есин и В. Н. Шихов [9] полагают, что при десульфурации железа основными шлаками скорость процесса определяется диффузией серы в шлаке при использовании кислых шлаков скорость процесса определяется химической реакцией на границе металл — шлак. В качестве доказательств этих положений авторы приводят следующие для основных шлаков наблюдается первый порядок реакции, малое влияние температуры и зависимость скорости процесса от высоты слоя шлака для кислых шлаков характерны сильное влияние температуры, отсутствие влияния высоты шлакового слоя на скорость процесса, а также дробный порядок реакции. При низких скоростях десульфурации влияние слабодействующих факторов могло не проявиться. При исследовании десульфурации чугуна кислыми шлаками в работе [10] наблюдалось резкое изменение концентрации серы по высоте застывшего слоя шлака. [c.76]