Странского модель роста кристаллов

Фольмер, Странский и другие рассматривали процессы роста кристаллов на схематизированных моделях, исходя из того, что кристаллическая грань представляет собой идеально ровную плоскость с относительно малыми значениями поверхностной свободной энергии. [c.40]

Важной вехой в области теории роста кристаллов было появление в 1939 г. работы М. Фольмера Кинетика фазообразования . В этой работе рассматриваются преимущественно теория зародышеобразования Беккера — Дёринга и рост кристаллов по механизму двумерного зародышеобразования, основанный на модели Косселя — Странского. Наиболее важным достижением теории роста кристаллов с 1939 г., несомненно, следует считать обнаружение зависимости скорости роста от несовершенств кристаллической решетки. Этим открытием мы обязаны главным образом Ф. Франку, который выдвинул концепцию роста кристаллов по дислокационному механизму. Интерес к росту кристаллов в последнее время значительно возрос благодаря увеличению потребности в промышленном получении монокристаллов для электроники и оптики. [c.5]

Странский и Каишев в 1935—1939 гг. разрабатывали количественную теорию образования зародышей и роста кристаллов на основе изучения элементарных процессов. Рассматривая на схематизированных моделях условия равновесия двух взаимопротиво-положных процессов (роста и растворения кристаллов) для двух- и трехмерных зародышей, они показали существование энергетического порога при отделении или образовании одного слоя кристаллической решетки. [c.40]

Упомянутые заключения относительно формы роста справедливы только для очень мелких кристаллов. Хонигман, Мольер и Странский [331 сделали расчеты на модели структуры Na l с целью проверки уравнения Томсона — Гиббса. Они показали, что практически во всех случаях фг = = фсо. Заметные отклонения появляются только тогда, когда кристаллы содержат меньше примерно 1000 атомов. [c.348]

Возникновение смешанных адсорбционных кристаллов можно проще всего объяснить с помощью теории образования зародышей на чужеродной основе (см. 13.2.2. и 13.4). Странский и Крастанов предложили простую молекулярно-кинетическую модель образования смешанного кристалла с адсорбционным слоем (рис. 13.20). В этой модели рассматривается образование моно- или мультимолекулярных слоев примесного вещества без образования зародыша — путем непосредственного роста трехмерных зародышей. Подложкой служит растущая грань основного вещества (рис. [c.331]

Мы обратим внимание лишь на принципиальные представления и остановимся на основных выводах теории. В известном смысле развитые Франком и Ван-дер-Мерве представления являются продолжением модели Странского [49, 50] относительного изоморфного роста двух ионных кристаллов (типа Na l) с равными параметрами, но различными зарядами. Странский на упрощенной модели показал, что при малом пересыщении невозможно образование трехмерных кристаллических зародышей критической величины. Рост должен, якобы, осуществляться слоями, причем растворимость этих слоев различна [c.285]

Согласно модели Странского поверхность кристалла во время роста обладает атомно-ступенчатой структурой. На ней различают конденсированные молекулы а, прочно связанные с решеткой кристалла, плоскоконден-сированные молекулы 6, менее прочно связанные с решеткой, но удерживаемые ею плоскоадсорбированные в, которые после присоединения к ним молекулы могут перейти в плоскоконденсированные линейно-адсорбиро- [c.24]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология