Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Полупроводниковый диод

    Наиболее эффективным средством защиты металлических конструкций от коррозии блуждающими переменными токами является метод поляризованных (присоединенных к защищаемому сооружению через полупроводниковые диоды) протекторов и дренажей он дает возможность снять с корродирующих металлических конструкций анодный полупериод переменного тока и оставить на них катодный полупериод, который обеспечивает их катодную защиту. [c.397]


    Нитрид кремния используется в качестве компонента жаростойких и химически устойчивых композиционных материалов. Он нашел также применение в микроэлектронике в качестве диэлектрика и высокотемпературного полупроводника. Карбид кремния — абразивный материал для шлифовальных кругов, матрица для порошковой металлургии, компонент для огнеупоров. К тому же карбид кремния является основой полупроводниковых диодов и фотодиодов. [c.214]

    Для выпрямления переменного тока служит полупроводниковый диод, представляющий собой полупроводниковый кристалл, разделенный на две части р—л-переходом, с укрепленными на электронной и дырочной частях металлическими невыпрямляющими контактами. [c.247]

    Туннельный диод—полупроводниковый диод, действие которого основано на туннельном эффекте. [c.167]

    Логарифмирование. Так как связь между используемыми в аналитических целях измеряемыми величинами и концентрацией в некоторых методах анализа является логарифмической, для облегчения их обработки осуществляется логарифмирование этих величин в самом аналитическом приборе. (Для этого в простейшем случае используют приборы с логарифмической шкалой). При электронном преобразовании измеренной величины используют или логарифмический потенциометр с полупроводниковым диодом с логарифмической вольт-амперной характеристикой, или логарифмический участок характеристики регулирующей лампы. [c.449]

    Лекция 1. Введение. Полупроводниковый диод и его параметры, применение в схемах выпрямления переменного тока. [c.255]

    На рис. 152 представлена схема, поясняющая действие р- -пере-хода (германий с добавкой с одной стороны Аз, а с другой — Т1) как выпрямителя тока (полупроводникового диода). [c.275]

    Обратный ток полупроводникового диода определяется уровнем токов насыш,ения и, начиная со значений А У, пре- [c.213]

    Регулирование выпрямленного напряжения в установках с полупроводниковыми диодами возможно только на стороне переменного тока. Для этого используют переключение ступеней напряжения главного понижающего трансформатора или специального регулировочного трансформатора с дистанционным переключателем ступеней. Для плавного регулирования напряжения в каждое плечо выпрямительного моста включают реактор на-сыщения. [c.339]

    Развитие современной электроники было бы немыслимо без применения химических методов получения высокочистых веществ, используемых для изготовления полупроводников и транзисторов. Получение монокристаллов кремния и германия, обладающих высокой степенью чистоты, осуществляется посредством последовательной перекристаллизации. Для получения полупроводниковых микросхем путем нанесения тонких пленок, литографирования и травления требуется соблюдать высочайший уровень чистоты и однородности. О недопустимости даже мельчайших следов примесей и неоднородностей в изготовляемых для электронной техники веществах можно судить но тому факту, что на 1 см поверхности микросхем умещается 660000 современных полупроводниковых диодов. [c.400]


    Существуют пассивные нелинейные элементы, например полупроводниковые диоды, и активные элементы, например транзисторы, которые по существу преобразуют энергию источника постоянного (питающего) напряжения в энергию получаемых с их помощью сигналов различной формы. [c.28]

    Базовый монокристаллический полупроводник (Ое, 81 или ОаАз) с определенным типом проводимости, в котором тем или иным способом (сплавлением, диффузией, ионным легированием и др.) образована область с другим типом проводимости, вместе с двумя внешними контактами образует полупроводниковый диод с вольт-амперной характеристикой типа (1.37). Соответственно кристалл с двумя /7-и-переходами и тремя внешними выводами (эмиттер, база, коллектор) образует биполярный транзистор. [c.28]

    Монокристаллический кремний получают вытягиванием монокристалла из его расплава (метод Чохральского). В полупроводниковой промышленности чистый кремний необходим как основа для изготовления полупроводниковых диодов, триодов, тиристоров, солнечных фотоэлементов, микропроцессоров, больших интегральных схем и т. д. [c.149]

    Лавинно-пролетный диод — это специальный полупроводниковый диод, предназначенный для работы в СВЧ-диапазоне. Напряжение питания (С/п= 10-4-150 В в зависимости от типа диода) подается через дроссель Ад] в обратном направлении, а рабочая область генерации СВЧ-колебаний лежит в зоне электрического пробоя. [c.112]

    Полупроводниковые СВЧ-диоды часто выпускают парами (см. табл. 4.2) с возможно более близкими параметрами, что позволяет получить наилучшие метрологические характеристики при установке в балансные или мостовые цепи. Для повышения чувствительности аппаратуры и согласования измерительной цепи с СВЧ-трак-том диоды включают обычно к петле связи, установленной в подстраиваемом резонаторе. Полупроводниковые диоды по сравнению с другими первичными измерительными преобразователями СВЧ-энергии отличает высокое быстродействие, большая чувствительность и простота использования. Их недостаток — невысокие метрологические характеристики и плохая перегрузочная способность. [c.121]

    Для выпрямления напряжения применяют различные схемы, часто для увеличения напряжения Иц. на трубке используют схемы с удвоением напряжения (рис. 7.8). В качестве вентилей Д1 и Да используют вакуумные диоды (кенотроны) или полупроводниковые диоды. В связи с жесткими требованиями к конденсаторам (небольшие габариты при необходимой емкости и большом рабочем напряжении) фильтры выполняются простейшими — емкостными С1 и Сз. За счет этого постоянное напряжение близко к максимальному значению вторичного переменного напряжения, что позволяет получить излучение стабильной интенсивности и энергетического спектра. Изменение анодного напряжения производится на низкой стороне с помощью автотрансформатора АТ, подключенного к питающей сети. [c.291]

    В технике широко применяются арсенид, в меньшей степени фосфид и антимонид галлия, а также твердые растворы арсенида с фосфидом галлия или этих галлиевых соединений с аналогичными соединениями алюминия и индия. Они используются для изготовления разнообразных полупроводниковых устройств — выпрямителей, транзисторов, детекторов ядерного излучения, приборов, использующих эффект Холла, и т. п., а также лазеров [80], Сейчас широко начинают применяться люминесцентные источники света в виде полупроводниковых диодов. Отличаясь малой инерционностью, они легко сочетаются с другими элементами электронных схем. На этой основе развивается новое направление электроники — оптикоэлектроника. С помощью фосфида галлия получают источники зеленого и желто-зеленого светов твердые растворы фосфида с арсенидом дают свечение от желтого до красного. Арсенид и антимонид галлия дают инфракрасное излучение 0,85—0,90 и 1,6 мкм соответственно. На основе арсенида галлия и других материалов этой подгруппы работают лазеры как для видимой, так и для инфракрасной областей спектра. Из других полупроводниковых соединений галлия начинает входить в практику селенид GaSe [80]. [c.245]

    В приборах электронной системы в качестве выпрямительных элементов часто используют вакуумный диод, т.е. электронную лампу (у полупроводниковых диодов при малых переменных напряжениях мал коэффициент выпрямления). Поэтому рассматриваемые вольтметры часто называют ламповыми. [c.423]

    Принципиальная электрическая схема БРР-1 изображена на рис. 25. Она состоит из искробезопасного источника питания и специальных реле. Последние выполнены на базе магнитоуправляемых контактов с катушками, которые шунтированы полупроводниковыми диодами. Источник искробезопасного питания — трансформатор Т с выпрямителем на диодах. Контактные датчики подключаются через разъем к искробезопас-ны.м входам блока. При замыкании входной цепи контактным [c.180]

    Запальные устройства. В промышленных горелках наиболее часто используют запальные устройства электрического типа (искровые или с нитью накаливания). Искра в зазоре между двумя электродами вызывается разрядом конденсатора (нередко как в автомобильной запальной свече). Помимо стандартной индукционной запальной катущки в современных запальных устройствах применяют полупроводниковые диоды, разряжающиеся через запальную катущку и обеспечивающие мощный искровый разряд без каких-либо контактных прерывателей или других подвижных устройств. Для зажигания газового пламени можно применять раскаленную проволоку — нити накаливания. Они требуют более низкого рабочего напряжения (10—20 В) по сравнению с запальниками искрового типа (1000 В), однако нити накаливания становятся менее стойкими и надежными, если они подвергаются непрерывному воздействию пламени. При использовании нити накаливания весьма важно правильно выбрать место их установки в горелке. [c.124]


    Если Сп > Со, то при наложении на диод переменной разности потенциалов протекает преимущественно ток одного направления, т. е. диод приобретает выпрямляющие свойства. Расчет показывает, что достаточно хорошее выпрямление достигается уже при (ОисЬЮоСо) > > 10. Для увеличения коэффициента выпрямления необходимо это отношение увеличивать. Как следует из уравнения (43.3), при этом происходит некоторое увеличение порогового напряжения, т. е. напряжения, при котором диод начинает работать, хотя пороговое напряжение электрохимического диода во всех случаях остается меньше, Чем пороговое напряжение обычных полупроводниковых диодов. [c.232]

    Электрохимические исследования в реальных системах характеризуются значительным изменением кинетики электродных процессов. При этом величина потенциала, зависимость его от тока могут быть выражены в полулогарифмических координатах. Автоматическую запись величины тока как функции времени ведут с помощью логарифматора. Принцип действия прибора основан на том, что при пропускании тока через полупроводниковый диод падение напряжения на нем пропорционально логарифму тока. Известное напряжение подают через усилитель на самописец, при этом используют логарифматор с автоматическим потенциометром. Вольтметр-логарифматор подключают к потенциостату (к клеммам, предназначенным для амперметра). При точном определении тока в определенных точках во время снятия суммарной поляризационной кривой к потенциостату, кроме логарифматора и автоматического потенциометра, подключают миллиамперметр. Показание логарифматора устанавливается примерно за 2 с. [c.63]

    Относительно высокое прямое сопротивление полупроводниковых диодов снижает чувствительность элеетродренажа. Повышение чувствительности может быть получено в схемах с совместным применением поляризованных реле и полупроводниковых диодов (рис. 5. 2. в). В этом случае при небольшом значении разности потенциалов между сооружением и рельсами, когда диод обладает высоким прямым сопротивлением, включается поляризованное реле Р, а в дренажной цепи замыкаются контакты контактора К. При увеличении разности потенциалов между сооружением и землёй прямое сопротивление диода уменьшится, и основной ток дренажа проходит через диод. Недостаток схемы с применением релейно-контактной аппаратуры заключен в наличии движущихся частей и контактов. [c.28]

    Б. о. перспективны для изготовления анодов хим. источников тока, катодов электролизных ванн, как катализаторы в орг. синтезе, пигменты для типографских красок, материалы для полупроводниковых диодов и дат-1иков давления. [c.321]

    Малая ширина полосы (в пределах от 1 до 10 см ) и высокая концентрация мощности перестраиваемых лазеров столь привлекательны, что, без сомнения, в ближайшие несколько лет появятся ИК-спектрометры нового поколения для специальных целей. Главными системами, используемыми в настоящее время, являются лазеры на полупроводниковых диодах (ПД), лазеры с переворотом спина с использованием комбинационного рассеяния (ПСКР) и параметрические генераторы (ПГ). [c.32]

    Основой светодиода является полупроводниковый диод (р—п или другой хшжектирующий переход). При пропускании тока через диод в электронную и дырочную области перехода инжектируются неосновные носители тока (дырки и электроны). Рекомбинация этих носителей с основными носителями тока (электроны в /г-области н дырки в р-области) сопровождается излучением. [c.143]

    Так, полупроводниковый диод представляет собой полный аналог лампового выпрямителя. Предположим, что монокристалл полупроводникового материала, например кремния, легирован таким образом, что оп является наполовину полупроводником /г-типа, а наполовину полупроводпиком -типа. Зоиная структура такого полупроводникового материала н.чображепа иа рис. 14.21. Положение уровня Ферми в различных половинах полупроводника раз.чично. Следовательно, электроны имеют возможность самостоятельно переходить нз области с /г-проводи.мостыо [c.83]

    На рис. 3.6 изображена анодная характеристика лампового диода (зависимость анодного тока от анодного напряжения). При малых напряжениях характеристика нелинейна, а при больших - может быть заменена прямой. В отличие от характеристики полупроводникового диода, данная характеристика не проходит через начало координат, поэтому при замыкании входных зажимов 1-2 представленной на рис. 3.5 схемы через ИМ пройдет так называемый начальный анодный ток до. Наличие этого тока является существенным недостатком схемы, ограничивающим ее точность. Второй особенностью лампового диода является почти полное отсутствие обратного тока. [c.424]

    Нами был предложен оптически прозрачный двигатель на основе монокристаллического лейкосапфира. Основная идея заключается в том, что при сгорании топлива его лучевая составляющая, беспрепятственно проникая сквозь прозрачные стенки цилиндра, не ведет к существенному повышению температуры двигателя. Более того, возникает возможность преобразования энергии светового излучения, прошедшего через стенку, в электрическую, например, с помощь полупроводниковых диодов. А рекордно низкий коэффициент трения лейкосапфира способствует уменьшенгпо энергетических потерь. Оптически прозрачные стенки цилиндра позволяют использовать новые системы возбуждения горения рабочей смеси, например, с помощью малогабаритных полупроводниковых лазеров. Визуальное наблюдение за работой цилиндров может явиться существенным преимуществом. Кроме того в двигателях из лейкосапфира возможно использование экологически чистого кислород-водородного топлива. [c.6]

    На рис. 94 показана измерительная схема мостового типа, польз уЯсь которой, можно получить шкалу с пределами разных знаков, т. е. с нулем в середине шкалы, что часто необходимо. Измерительную схему настраивают так же, как и в предыдущем случае,— при помощи сдвоенного переключателя Я (скачками) и переменного сопротивления Я (плавно). Схема питается от стабилизированного выпрямителя на полупроводниковых диодах, а стабилизация выпрямленного напряжения — газоразрядным стабилитроном Л. [c.153]


Смотреть страницы где упоминается термин Полупроводниковый диод: [c.46]    [c.46]    [c.174]    [c.218]    [c.218]    [c.218]    [c.457]    [c.93]    [c.107]    [c.284]    [c.520]    [c.519]    [c.57]    [c.116]    [c.120]    [c.245]    [c.146]    [c.156]   
Смотреть главы в:

Физика и химия твердого состояния -> Полупроводниковый диод


Основы автоматизации холодильных установок Издание 3 (1987) -- [ c.74 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Диоды



© 2025 chem21.info Реклама на сайте