Прокаливание электронной бомбардировко

При прокаливании электронной бомбардировкой исполь- [c.197]

При прокаливании электронной бомбардировкой используется кинетическая энергия электронов, эмитируемых накаленным катодом и устремляющихся под действием электрического поля к положительно заряженному (по отношению к катоду) электроду. При достижении электронами поверхности (Положительного электрода их кинетическая энергия превращается в теплоту, которая и повышает температуру электрода. Очевидно, температура прокаливания, достигаемая методом электронной бомбардировки, тем выше, чем [c.193]

Тантал как поглотитель остаточных газов нуждается в тщательном обезгаживании последнее часто проводится предварительно, до монтажа лампы (в вакууме под стеклянным колпаком токами высокой частоты, рис. 5-86) окончательному обезгаживанию танталовый анод подвергается в процессе откачки лампы, причем для этой цели применяется обычно прокаливание как токами высокой частоты, так и электронной бомбардировкой. [c.182]

Так же как и при прокаливании непосредственным пропусканием электрического тока, при прокаливании токами высокой частоты и электронной бомбардировкой необходимо придерживаться следующих общих правил температуру прокаливаемой детали повышать постепенно максимальную температуру прокаливания устанавливать по возможности более высокой, сообразуясь со свойствами данного металла в отношении скорости испарения и точки плавления, а также учитывая близость к стеклу при прокаливании делать кратковременные перерывы для удаления выделяющихся газов, которые не только опасны с точки зрения возникновения дугового разряда в откачиваемом приборе, но и сильно снижают скорость обезгаживания. При электронной бомбардировке, в частности, часто применяют способ рывков, заключающийся в чередовании кратковременных включений и выключений напряжения, прикладываемого к прокаливаемому электроду этим методом можно, хотя и на 198 [c.198]

Использованные для ионной бомбардировки газы, удаляются насосом при этом необходимо иметь в виду, что если для ионной бомбардировки были использованы только инертные газы, то они почти не адсорбируются электродами при ионной бомбардировке водород же может оказаться сам поглощенным в некотором количестве поэтому при откачке прибора после ионной бомбардировки необходимо подвергать электроды некоторому дополнительному прокаливанию, но уже в вакууме. Способ обезгаживания ионной бомбардировкой применяется при откачке больших электровакуумных приборов (мощных генераторных ламп, рентгеновских трубок и т. п.), в которых для электронной бомбардировки необходимо прикладывать к электродам весьма высокие напряжения ионная же бомбардировка требует сравнительно низких напряжений. [c.199]

Откачные посты. Как правило, откачной пост представляет собой металлический прямоугольный каркас, на ниж-яей половине которого монтируются трубопровод и все основные приспособления на верхней половине поста к концам трубопровода присоединяются откачиваемые приборы здесь же расположены печь для прогрева стекла и электрическая подводка для прокаливания металлических деталей пропусканием тока, токами высокой частоты и электронной бомбардировкой. Вращательные насосы размещаются обычно с задней стороны откачного поста. [c.309]

Кристалл никеля был очищен откачкой, бомбардировкой ионами аргона и прокаливанием. При постепенном нагревании кристалла до 800° С в результате выделения СО наблюдалось увеличение давления до величины - 10 мм рт. ст. Через несколько дней было получено давление 5-10 мм рт. ст. при нагретом до этой температуры кристалле. Нагревание осуществлялось электронной бомбардировкой молибденового держателя кристалла. После этого кристалл бомбардировали ионами аргона и удаляли аргон откачкой до 10 мм рт. ст. диффузионным насосом и насосом Вак-Ион. Перекрывая металлический вентиль, Т1)убку ДМЭ отделяли от диффузионного насоса (рис. 5) и продолжали откачку насосом Вак-Ион в течение 30 мин до давления 10" мм рт. ст. Затем кристалл 10—30 мин прогревали при 400— 500° С. Во время нагревания приблизительно нри 200 °С начинал выделяться аргон, давление поднималось максимум до 10 ммрт. ст. [c.279]

Ив и Дакворт [595] исследовали люминесцентные характеристики различных веществ как функцию энергии ионов. При проникновении ионов с низкой энергией в твердое вещество большая часть их энергии расходуется на упругие столкновения и лишь незначительная — на возбуждение электронов. Таким образом, можно ожидать, что при бомбардировке люминофоров их свойства будут ухудшаться вследствие дефектов кристаллической решетки. Ухудшение наблюдалось уже при бомбардировке ионами в количестве 5-10 ион1см [2201], однако такой образец был регенерирован прокаливанием при 450°. Отложения, образующиеся на поверхности сцинтиллятора, также ухудшают его чувствительность. Фотоумножитель должен быть защищен от попадания рассеянного света, а то, что фоточувствительная поверхность должна иметь низкую работу выхода, влечет за собой увеличение фоновых шумов при комнатной температуре. Достоинство таких детекторов состоит в образовании большого числа фотонов под воздействием одного иона, что статистически снижает флуктуации. Снижения фоновых шумов в фотоумножителях можно добиться применением нескольких умножителей с одним люминофором. Кальман и Акардо [1074] описали такую систему с применением трех фотоумножителей, которые ведут счет только тех частиц, которые образуются одновременно во всех трубках. [c.221]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология