Скорость углубления поверхности кристаллизации

Чернов и Мельникова [278, 279] независимо от Ульмана исследовали с теоретической точки зрения очень близкую задачу роста из раствора и из расплава. Они рассчитали распределение концентрации при росте из раствора в присутствии постороннего шара у фронта кристаллизации. Уменьшение пересыщения в узком промежутке между шаром и фронтом кристаллизации ведет к возникновению на этом месте углубления, которое частично сглаживается благодаря анизотропии кинетических- коэффициентов. Но, как правило, существует критическое значение aJR, такое, что при меньших значениях aJR образуется глубокая ямка или включение (либо происходит захват частицы) здесь Й4 — расстояние от центра шара до поверхности кристалла, а R — радиус шара. При линейной зависимости скорости роста от пересыщения это критическое значение aJR, однако, не зависит от скорости роста. [c.509]

Как уже было отмечено выше, поверхность кристаллизации углубляется внутрь материала по линейному закону. При этом оказалось, что скорость углубления поверхности кристаллизации нз зависит от температуры конденсатора (прямые i — для разных расположены параллельно между собой). Для целлюлозы Ь = д,8 мм1мин, для сукна — 2,7 мм1мин и для песка —6,7 мм/мин. Время начала кристаллизации на поверхности тела уменьшается с понижением температуры конденсатора (табл. 9-2). [c.331]

Значительное влияние на устойчивость быстрорастущих граней оказывает состояние поверхности затравки -перед началом кристаллизации. Если наращивание производится на плоскую поверхность, то зачастую, даже в неблагоприятных физико-хими-ческих условиях, вырождение грани пинакоида начинается после того, как успевает сформироваться 5—10-миллиметровый бездефектный монокристальный слой. И, наоборот, углубления и каналы травления затравки стимулируют образование в этих местах ромбоэдров (или граней близких к ним индексов), которые в зависимости от параметров синтеза либо быстро выклиниваются, оставляя над поверхностью затравки многочисленные клиновидные паразитные пирамиды, либо разрастаются. В последнем случае грань базиса трансформируется в многоглавую поверхность регенерации, скорость роста которой значительно ниже скорости роста грани с. Очевидно, за счет действия входящих углов субиндивиды покрываются поверхностями сложной формы, которые следует относить к трапецоэдрам. В отдельных опытах кристаллы синтезировались в условиях, когда грани г и трапецоэдров росли с одинаковыми скоростями и, вероятно, в силу этого не вытесняли друг друга. Мелкие (<0,5 мм2) грани трапецоэдров появляются также в местах зарастания каналов травления затравки (по три грани над каждым каналом) и образуют столбчатые трехгранные паразитные пирамиды, ориентированные в материале пирамиды <с> взаимно параллельно и параллельно оси симметрии третьего порядка. [c.168]

При адсорбции некоторых ПАВ на поликристаллическом электроде, так же как и на ртутном электроде, наблюдается эффект сильного торможения электроосаждения металла. Такие ПАВ изменяют условия кристаллизации металла, способствуя получению плотных мелкокристаллических осадков. Другая группа органических веществ, таких, как кумарин, хинолин, 1,4-бутиндкол, способствует выравниванию поверхности осадка. Их действие, по-видимому, обусловлено адсорбционно-диффузионным механизмом. Например, если поверхность металла имеет выступы и впадины (рис. 12.10), то при включении тока вначале происходит осаждение металла и восстановление или захватывание в осадок органического вещества по всей поверхности. Так как диффузия органического вещества в углубления затруднена, то его концентрация здесь понижается, что вызывает увеличение скорости осаждения металла. Скорость же осаждения металла на выступах ниже, ибо процесс сильно ингибируется непрерывно поступающим из объема раствора органическим веществом. [c.337]

Анализируя кинофрагменты, относящиеся к отличающимся по характеру кристаллизации органическим веществам, можно отметить, что для каждой скорости кристаллизации имеется определенная оптимальная интенсивность вводимых ультразвуковых колебаний, при которых происходит сглаживание фронта кристаллизации. Захват примесей растущими кристаллами при этом уменьшается и эффективность очистки возрастает. При малых интенсивностях на экране наблюдается своеобразное раскачивание растущих кристаллов, а поверхность раздела фаз продолжает оставаться весьма изрезанной. Повышение интенсивности ультразвука до величины больше оптимальной приводит к возникновению характерных углублений на поверхности раздела фаз, которая вновь становится изрезанной. При дальнейшем увеличении интенсивности вводимых ультразвуковых колебаний начинается ярко выраженное диспергирование растущих кристаллов. [c.420]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология