Получение покрытий электронно-ионной бомбардировки

Получение покрытий под действием электронно-ионной бомбардировки [c.266]

Получение покрытий под действием электронно-ионной бомбардировки основано на способности частиц высоких энергий вызывать диссоциацию молекул органических веществ, находящихся в конденсированном состоянии на подложке. Образующиеся при этом активные осколки молекул — радикалы и ионы — вступают в реакции взаимодействия друг с другом и с молекулами недиссоциированных веществ, образуя полимерные покрытия. [c.266]

Диэлектрики обычно заряжаются положительно при бомбардировке вследствие эмиссии электронов с поверхности образца. Эффект зарядки можно уменьшить использованием отрицательных первичных ионов (0 ) и устранить практически во всех случаях при помощи одновременной электронной бомбардировки во время анализа. МСВИ в этом отношении имеет существенное преимущество перед ОЭС. Несколько важных применений МСВИ для анализа диэлектриков связаны с композиционным анализом керамических покрытий (полученных, например, нанесением методом химического испарения) или стекол (для изучения явлений ионного обмена на поверхности). [c.365]

Наиболее распространено катодное распыление металлов в вакууме. Так, в атмосфере аргона, получают металлические зеркальные покрытия. В окислительной среде, при возбуждении тлеющего разряда в кислороде, когда разрядное пространство становится высокоактивной средой, поверхность изделий, расположенных на некотором расстоянии от катода, покрывается пленкой окисла. Данный метод известен в литературе как метод получения пленок реактивным распылением. Так могут быть получены пленки окислов алюминия, кремния, тантала, ниобия, вольфрама, циркония, скандия и других металлов [11, 112—114]. Основное преимущество данного метода — возмол<ность получения пленок, состав которых отвечает термически и химически устойчивым соединениям. Кроме того, адгезия пленок из окислов к поверхности стекла и их твердость значительно выше, чем у пленок, состоящих из сульфидов или фторидов, получаемых методом термического испарения. Методом реактивного распыления целесообразно получать тонкие интерференционные светоделительные, просветляющие и защитные пленки на деталях оптических приборов, предназначаемых для работы в условиях повышенной влажности и температуре > 30° С. Однако метод катодного распыления не применим для стекол, содержащих в своем составе большое количество окислов свинца. Например, образование пленок Si02 на поверхности деталей из стекол типа тяжелых флинтов сопровождается отчетливым потемнением стекла [113]. Причинами этого считают электронную и ионную бомбардировку, облучение стекла ультрафиолетовой радиацией, в результате чего окислы свинца восстанавливаются до металлического свинца. При этом замечено большее петемнение стекол при распылении кремния по сравнению с [c.19]

На основании этих работ механизм вторичного почернения можно представить следующим образом. Плотность почернения зависит главным образом от первичного заряда ионов, плотности ионного тока и сопротивления пластины. При бомбардировке ионно-чувствительного слоя первичными ионами образуются отраженные первичные и различные вторичные частицы электроны, положительные и отрицательные ионы и нейтральные частицы, причем две последние категории характерны в основном для желатинного покрытия и зерен AgBr. В случае высокой плотности первичного тока на поверхности образуется положительный потенциал в несколько тысяч вольт, который затем служит источником вторичных ионов. Поле магнитного анализатора вынуждает ионы двигаться по полукруговой траектории (рис. 4.8) и образует спектр вторичных ионов, сдвинутый в направлении больших масс относительно первичных линий. Расшифровав вторичную линию по соседству с такой линией основы, как Н+, можно установить поверхностный потенциал первичной линии и рассчитать массы других вторичных ионов. Для получения подробного вторичного спектра желатины, который включает 9 [c.131]