Ионный по линиям основы

Спектры свободных атомов и ионов являются основой для трактовки спектров координационных соединений. Спектральные линии наблюдаются при переходах между двумя энергетическими уровнями. Совокупность всех возможных переходов между термами или отдельными уровнями образует систему линий — спектр. [c.218]

С помощью этой формулы можно идентифицировать любые линии масс-спектра, если известны две реперных линии — например, линии одно- и двухзарядных ионов элемента основы. Опытный аналитик лег ко находит необходимые линии, и не прибегая к вычислениям. [c.213]

Аналогичная картина была получена при увеличении концентрации носителей в методе сухих остатков, т. е. сначала прибавление носителей способствует росту интенсивностей линий микроэлементов, а затем наблюдается спад, что обусловлено тушением при больших концентрациях носителей , которые становятся практически основой-матрицей. Данное явление характерно и для испарения в дуге постоянного тока графитового порошка из кратера электрода, содержаш,его оксиды кобальта, железа, марганца, магния, свинца, хрома, никеля, висмута, ванадия, меди, титана, ниобия при концентрации Ю- % с различной концентрацией оксида галлия в качестве носителя (0,5— 10%). Следует отметить, что потенциал возбуждения галлия — 4,3 эВ, т. е. значительно меньше, чем потенциалы возбуждения всех выше приведенных элементов, и по-видимому, не происходит передачи энергии. Между атомами и ионами элементов при их столкновениях увеличение интенсивности атомных линий отмечается только при содержании оксида галлия 5—8%, ионных линий —при 0,5—2% (Мд , Мп , Сг , Т1 , МЬ"). [c.71]

Распыленные частицы электродного материала осаждаются главным образом на стенках камеры. Сильно ускоренные ионы высокочастотной искры могут в свою очередь вновь испарять часть материала, осажденного на стенках, вследствие чего образуются ионы и добавляются к ионам анализируемого вещества. Если при замене материала электродов камера не была очищена соответствующим образом, то линии основы предыдущего образца налагаются на линии следов анализируемой пробы. [c.58]

Лучшая точность, достигнутая Халлом, не может быть отнесена только за счет метода анализа, поскольку она может быть связана и с использованием меньшего динамического диапазона. Однако в анализе по отношению к линиям основы возможны и другие серьезные трудности, например различная дискриминация в приборе для ионных токов, соответствующих основе и следам элементов. Значения коэффициентов относительной чувствительности, приведенные в табл. 5.3 и 5.4, довольно хорошо согласуются, если данные табл. 5.4 привести к ванадию делением на 1,7. [c.152]

Необходимо провести дальнейшие эксперименты для того, чтобы сравнить методы анализа по отношению к полному ионному току, по отношению к линиям основы и по внутреннему стандарту. Особенное значение это имеет для случаев, когда нужно расширить диапазон регистрируемых примесей, а форма образцов должна быть произвольной. Только после завершения этих исследований можно допустить, что получаемые результаты действительны для всех приборов и во всех лабораториях. [c.172]

Еще в ранних работах, посвященных электрическому сканированию масс-спектра в приборах с искровым источником ионов, было отмечено, что уровень фона вблизи линий основы гораздо ниже, чем при фотографической регистрации. Очень высокая чувствительность является одним из основных преимуществ масс-спектрометров с искровым источником ионов, причем это свойство наиболее ярко проявляется при электрической регистрации спектров (Халл, 1969). Ниже обсуждены некото- [c.172]

Использование техники счета ионов, связанной с системой электрической регистрации, может привести к выигрышу во времени, так как в течение более длительного периода времени сохраняется эффективная калибровка прибора (т. е. осуществлять измерения по отношению к полному ионному току в течение большего времени или анализ по отношению к линиям основы для более широкого круга образцов). [c.183]

Кроме спектра однозарядных ионов, характерной чертой масс-спектра являются линии многозарядных ионов элемента основы, каждая из которых отражает изотопный состав основы. Серии линий располагаются в направлении уменьшения величины отно-т [c.191]

Итак, распределение фона на фотопластинке зависит от положения линий основы. Область наиболее сильного фона расположена вблизи одно- и двухзарядных масс анализируемого вещества. Ореолы иногда захватывают значительный участок пластинки и перекрывают линии однозарядных ионов примесей, снижая чувствительность их определения. В этих случаях примеси. можно определить по их многозарядным ионам. Чувствительность определения ряда элементов снижается также от наличия фона полос перезарядки. Особенно сильное влияние фона сказывалось в первых моделях масс-спектрометров с искровым ионным источником из-за невысокого вакуума в районе анализатора [48]. [c.56]

Различие характера излучения дуг и искр когда-то служило основой для разделения спектров на искровые и дуговые. Сейчас это разделение представляет только исторический интерес, так как в обоих типах источников возбуждаются как атомные, так и ионные линии, и спектры отличаются лишь относительными интенсивностями линий этих двух классов. Изменяя режим горения д ти и искры, можно получить спектры промежуточного характера. Режим источника, при котором усиливаются интенсивности дуговых линий, называется мягким . При жест- [c.192]

Повышенное почернение фона вокруг интенсивных линий называется гало. Оно вызвано вторичной эмиссией, обусловленной первичными ионами, попадающими на поверхность пластинки. Экспозиции в пределах 10" кулона могут быть на половину обусловлены этим фоном, значительно понижающим чувствительность. Подавить гало удалось Мею [124]. Оп предотвратил взаимодействие между интенсивным ионным лучом основы и эмульсией, вырезая нерабочие части фотопластинки. Предел обнаружения примесей в алюминии был увеличен таким путем на один порядок. [c.358]

Уравнение (V,164) относится к самой нижней линии на рис. V-9. Как видно, значения коэффициентов ускорения, вычисленные по этому уравнению, значительно меньше полученных расчетом на более реальной основе. Причина состоит в том, что при выводе уравнения (V,164) принималась необходимость совместного перемещения (в стехиометрических соотношениях) с ионами Н и ОН" соответственно ионов С1" и Na , замедляющего диффузию. [c.145]

В большинстве случаев в количественном спектральном анализе используют прием, основанный на измерении относительной интенсивности, т. е. отношения интенсивности спектральных линий определяемого элемента /, и элемента сравнения /2, которые составляют аналитическую пару линий. Линия определяемого элемента должна быть концентрационно чувствительна, на линии аналитической пары не должны накладываться линии других элементов, присутствующих в пробе. Обе линии аналитической пары должны быть гомологичны, т. е. принадлежать либо возбужденным атомам, либо ионам, иметь близкие потенциалы возбуждения и находиться близко в одной спектральной области. В качестве линии сравнения обычно используют слабую линию элемента основы анализируемого металла, не реагирующую на колебание его содержания в пробе. При анализе горных пород, промышленных растворов используют линию специально вводимого во все пробы точного количества элемента, который не содержится в анализируемом материале (внутренний стандарт). [c.674]

При охлаждении однородного р-ра ниже.критич. т-ры р-римости (смешения) (точка К) образуется двухфазная система, состоящая нз несмешивающихся Т. р. и Ог (рис. 3), составы к-рых изменяются с т-рой по линиям КЬ и КМ соответственно. Др. тип распада Т. р. а наблюдается, если компоненты А и В могут образовать хим. соед. А В (рис. 4), характеризующееся упорядоченным расположением частиц (атомов или ионов) в кристаллической решетке, в отличие от статистического беспорядка в расположении частиц, характерного для Т. р. На основе образует- [c.506]

Многие органические вещества, содержащиеся в сточных водах, являются слабыми электролитами и в водных растворах частично ионизируются. К ним относятся фенолы, ароматические и алифатические карбоновые кислоты, ароматические и алифатические амины и многие гетероциклические соединения. Растворимость ионизированных молекул значительно выше, чем неионизированных. На рис. 1У-12 представлены изотермы адсорбции ионов производных бензола из водных растворов на обеззоленном активном угле КАД [22]. Для сравнения иа этом же рисунке штриховой линией показаны изотермы адсорбции соответствующих неионизированных молекул. Из рисунка видно, что во всех случаях адсорбция органических ионов растет с увеличением концентрации раствора медленнее, чем адсорбция неионизированных молекул того же вещества. Органические ароматические ионы адсорбируются активным углем независимо от знака их заряда. В основе их адсорбции лежит дисперсионное взаимодействие с атомами поверхности адсорбента. [c.89]

Миофибриллярные белки составляют 50—60% общего количества белков мышечных клеток. При низкой ионной силе эти белки нерастворимы, а при повышении ее до 0,3 становятся растворимыми и могут быть экстрагированы. Главный белок мышцы. миозин составляет основу толстых нитей. Другой белок, актин, является главной составной частью тонких нитей (рис. 4-7). С нитями актина связаны регуляторные белки мышцы — тропомиозин и тропонин [84], а в Z-пластинке имеется а-актин. Не так давно в составе М-линий обнаружен белок, который был назван ]У -белком [85]. [c.318]

Метод ЭПР-спектроскопии был впервые применен для исследования облученного природного кварца Дж. Гриффитсом, Дж. Оуэном и Дж. Бардом в 1954 г. Они идентифицировали центры, получившие впоследствии название А1-центров дымчатой окраски и присутствующие во всех синтетических кристаллах кварца, содержащих структурную примесь алюминия. Наблюдаемый (при 7<]50 К) спектр ЭПР состоит из шести групп по шесть линий в каждой (магнитная кратность (/ а=6). Появление сверхтонкой шестикомпонентной структуры (СТС) обязано взаимодействию неспаренного спина с магнитным моментом ядра алюминия (спин ядра / = 5/2). На основе экспериментальных данных О Брайен в 1955 г. рассмотрела модель такого парамагнитного центра и провела расчет схемы его электронных уровней в рамках приближения молекулярных орбиталей — линейных комбинаций атомных орбит (МО ЛКАО). По этой модели центр представляет собой дырку , локализованную на кислородах дефектного тетраэдра, в котором ион кремния замещен ионом алюминия, а недостающий заряд компенсируется щелочным ионом (Na+Li+) или протоном (Н+), располагающимся в структурном канале вблизи такого тетраэдра. [c.53]

Сравнительно популярным видом измерений являются измерения ширины линий ЯМР как функции вязкости. Блумберген, Перселл и Паунд [233] впервые провели измерения времен релаксации в глицерине как функции температуры. Они считали, что изменение вязкости является единственным результатом изменения температуры. Позже Конджер [421 ] и Морган с сотрудниками [1448, 1449] изучили влияние ионов типа Сг "" на релаксацию в растворах вода — глицерин. Морган и др. исследовали ряд комплексных ионов на основе Сг (например, Сг (НгО) , Сг (NHs) ", Сг (Fe) и др.) и установили, что явления, наблюдаемые в растворах вода — глицерин, определяются не только изменениями вязкости. Они предположили, что имеют значение также число и прочность Н-связей в растворителе. Пока остается неясным, нуждаются ли в пересмотре полученные ранее данные о влиянии вязкости на релаксацию в растворах. [c.137]

Предел регистрации следов элементов при помощи масс-спектрометра зависит от вторичных эффектов, которые будут описаны в следующем разделе. Небольшая часть ионов, соответствующих основе, распределяется по всему масс-спектру. Этот фон и ограничивает способность обнаружения следов. Фон можно снизить до величины, меньшей 1 млн" для массовых чисел, достаточно удаленных от интенсивных пиков. Для этого необходимы тщательное изготовление прибора и высокий вакуум в системе. Несмотря на эти меры, фон вблизи линий основы мо-м- ет достигать одной тысячной части их интенсивности. Наиболее-эффективный метод подавления фона — использование двух последовательно расположенных масс-спектрометров. Это было-установлено Герцогом (1959), Пиром (1963), а также Уайтом и Форманом (1967), которые достигли чувствительности анализа 1 млрд Ч Юстировка подобных тандемных приборов более трудна. Дополнительная сложность вызвана необходимостью одновременного сканирования обеих секций таким образом, чтобы они были с высокой точностью настроены на одни и те же массовые числа. Упрощенная модификация подобного прибора, имеющего одинарную фокусировку и поэтому лишь среднее разрешение, выпускается фирмой Аегоуас и обеспечивает чувствительность 10 млрд для газовых примесей на уровне следов. К сожалению, тандемные масс-анализаторы нельзя использовать в масс-спектрографах. [c.85]

На основании этих работ механизм вторичного почернения можно представить следующим образом. Плотность почернения зависит главным образом от первичного заряда ионов, плотности ионного тока и сопротивления пластины. При бомбардировке ионно-чувствительного слоя первичными ионами образуются отраженные первичные и различные вторичные частицы электроны, положительные и отрицательные ионы и нейтральные частицы, причем две последние категории характерны в основном для желатинного покрытия и зерен AgBr. В случае высокой плотности первичного тока на поверхности образуется положительный потенциал в несколько тысяч вольт, который затем служит источником вторичных ионов. Поле магнитного анализатора вынуждает ионы двигаться по полукруговой траектории (рис. 4.8) и образует спектр вторичных ионов, сдвинутый в направлении больших масс относительно первичных линий. Расшифровав вторичную линию по соседству с такой линией основы, как Н+, можно установить поверхностный потенциал первичной линии и рассчитать массы других вторичных ионов. Для получения подробного вторичного спектра желатины, который включает 9 [c.131]

Поскольку процесс обработки и фиксации пластин подробно описан (Оуэнс, 1966, Мак-Кри, 19666, 1967), здесь будут обсуждены лишь несколько работ. Влияние проявителей различного типа и условий проявления на форму кривой чувствительности детально изучено Франценом и др. (1966). Кенникот (1966) усовершенствовал способ снижения вторичного почернения вблизи линий основы, вызванного вторичными ионами и третичными электронами. Поскольку эти частицы с низкими энергиями способны сенсибилизировать лишь поверхностные слои, процесс отбеливания проявителем эффективно снижает уровень фона, не влияя серьезно на чувствительность пластины к первичным ионам. Этот метод изучался также Кавардом (1968), который применил его к различным проявителям и увеличил чувствительность втрое (подробнее см. Кавард, 1969). После обработки фотопластины информацию можно получить либо визуально, либо — при количественных анализах — на микрофотометре, с которого ее можно передать на ЭВМ (гл. 6 и 7). [c.136]

Сигналы, регистрируемые коллектором монитора, в большинстве случаев достаточно велики для того, чтобы использовать электронные усилительные схемы. Однако для аналитического коллектора обычно необходимы электронные умножители с изменяюшимся коэффициентом усиления, максимальное значение которого достигает 10 . В масс-спектрометрии с искровым источником ионов применяются обычные электронные умножители, отличающиеся лишь наличием дополнительных экранов, исключающих рассеянные ионы (Халл, 1969). Первые эксперименты, проведенные в лаборатории авторов, выявили временную потерю стабильности умножителя типа Аллена, после того как на его первый динод попадали интенсивные ионные токи (среднее значение 10 —10 °А), соответствующие изотопам основы. Впоследствии эксперименты, проведенные с другими типами умножителей, подтвердили, что стабильность коэффициента усиления за большой промежуток времени значительно улучшается, если ограничить максимальный ионный ток, достигающий умножителя. Поэтому была введена практика регистрации масс-спектра, при которой на умножитель попадают только ионные токи, не превышающие ХЮ А. Сканирование производится автоматически вплоть до линий основы, затем ионный пучок частично отклоняется в источнике ионов, и пики основы прописываются вручную. Таким образом, гарантируется постоянство коэффициента усиления умножителя. Подобный прием не упоминался в сообщениях других лабораторий. В литературе нет также указаний на возможное ухудшение характеристик первого динода после длительного воздействия на него ионов различных металлов. [c.145]

Чтобы определить реальную чувствительность прибора для каждого образца, необходимо суммировать все значения ионных токов, регистрируемых коллектором (отнесенные к сигналу монитора). При этом следует корректировать коэффициент усиления умножителя для разных видов ионов и проводить длительные измерения в широком динамическом диапазоне. Это общее положение относится к анализу сложной основы. Если анализируется чистое вещество с простой основой (либо сплав известного состава), можно упростить процедуру и ограничиться измерением лишь линий основы. Тогда коэффициент усиления умножителя и коэффициенты относительной чувствительности необходимо будет измерять только для нескольких сигналов. Если все элементы основы имеют изотопы с малой распространенностью, уменьшается и динамический диапазон измерений. Подобный вид калибровки прибора, описанный Концемиусом и Свеком (1969), можно назвать анализом по отношению к линиям основы . В цитируемой работе определяли электрометрически Еа, Се, Рг и N6 в образце металлического эрбия при помощи ручного переключения пиков. Значения гока коллектора, деленные на ток монитора, были затем нормированы по величине отношения /( Ег)//(монитора). Втабл. 5.2 приведены результаты, полученные в течение трех дней (Концемиус, Свек, 1969). Каждое определение (например, 15,5 0,5 ат. МЛН для Ьа, 19 февраля) получено в серии из 5 измерений продолжительностью 1—2 с. Проводилась коррекция фона, который был измерен в различных точках выбранного диапазона масс. Авторы задались целью выяснить, вносятся ли в аналитические результаты большие ошибки в результате изменения условий искрообразования и прохождения ионов через прибор. Для этого каждый раз, когда наблюдалось изменение в геометрии искрового промежутка или регистрировался [c.149]

Наиболее ярко выраженная особенность масс-спектра — серия линий однозарядных ионов элементов основы. Идеальной была бы экспозиция, при которой эти линии были бы едва заметны. Однако на практике столь короткие экспозиции осуществить трудно. На рис. 6.1 приведен пример типичной масс-спект-рограммы образца вольфрама. В спектре однозарядных ионов зарегистрированы встречающиеся в природе изотопы вольфрама с массами 180—186. [c.188]

Тем не менее необходимо более детально исследовать процедуры, необходимые для автоматического получения данных с фотопластины и их сжатия. Принцип действия подобного устройства может быть следующим. Микрофотометр производит сканирование каждой линии с интервалом 1 мкм. Значения почернения фотографической эмульсии, которые оказались выше предварительно заданного уровня фона, фиксируются в цифровой форме на магнитной ленте вместе с информацией о расположении точек, где производилось измерение. Таким образом, для каждой отдельной линии масс-спектра (она может быть и мультиплетом) записывается последовательность данных, которая может содержать до нескольких сот чисел, если измеряется интенсивная линия. Затем каждое значение почернения линии переводится в интенсивность ионного тока с помощью известной зависимости между этими величинами и рассчитывается интегральная интенсивность. Помимо этого, для каждой линии определяется положение вершины пика. Эти величины, характеризующие расположение линий на фотонластине, преобразуются затем в соответствующие значения mie. Для этого идентифицируют заранее несколько наиболее интенсивных линий (обычно линии основы) и определяют значения т/е для других линий, используя известную обратную квадратичную зависимость расстояния между линиями от массы ионов. Расчет производят методом последовательных приближений, т. е. повторяют несколько раз, пока большая часть линий не будет приведена в соответствие с номинальными массами, а все известные составляющие масс-спектра (такие, как линии многозарядных ионов) окажутся на своих местах. Следует отметить, что программы, включающие эту последнюю ступень, нетривиальны. Они могут прекрасно работать с большим числом фотопластин, а затем полностью отказать на пластине, несколько отличающейся от предыдущих, или при анализе нового вещества. Подобные случаи обычно приводят к тому, что в программу вносятся изменения, которые должны позволить работать должным образом в новой ситуации. Вследствие этого программы с течением времени становятся все более многосторонними и сложными. Оператор должен уметь работать с ними и по мере необходимости вносить соответствующие изменения. [c.221]

ЯМР-спектроскопия оказалась также применимой для изучения скоростей обмена молекул растворителя, расположенных в объеме, с молекулами того же растворителя, координированными парамагнитным ионом. В основе метода лежит измерение уширения линий спектра ЯМР [262, 275, 299]. Комбинация фурье-спектроскопии ЯМР остановленной струи с юучением обьиного уширения линий в спектрах дает возможность получать более точные данные о скоростях обмена и величинах ДН и Д5 [299]. [c.124]

Одной из существенных проблем физики ОКГ является вопрос о природе спектральной линии люминесценции, на частоте которой возникает стимулированное излучение. Вид контура линии люминесценции во многом определяет энергетические параметры ОКГ, в частности и такую важную характеристику, как порог возбуждения генерации. Известные лазерные кристаллы по спектроскопическим свойствам их активаторных центров можно подразделить на два типа — простые соедииения и смешанные системы, или твердые кристаллически растворы Под активаторным центром мы подразумеваем здесь условно выделенное из объема кристалла локальное образование с радиусом порядка линейных размеров элементарной ячейки, состоящее из примесного иона и непосредственно его окружающих ионов матрицы-основы. Представление о локальности центра подразумевает изолированность активаторных ионов друг от друга. Оно весьма условно, поскольку при статистическом распределении примеси в кристалле всегда даже при очень малых концентрациях имеется какое-то количество близко расположенных центров, а также парных или более слолшых ассо-циатов. Критерием тут является относительное количество таких образований. Многочисленные исследования свидетельствуют, что условие локаль- [c.24]

Создавшаяся ситуация послужила стимулом к тому, чтобы провести детальные теоретические исследования эффекта температурного смеще]1ия линий ТН +-ионов. В основу такого исследования легла работа Ю. Е. Hej)-лина [200], а объектодг расчетов была выбрана система Y3AI5O12 — N(l + достаточно подробно изученная в экспериментальном плане (см. например, [169, 170]. Наблюдаемое температурное смещение линий стимулированного излучения АиБ (см. рис. 3.26 и более подробно гл. 6) состоит из [c.73]

Отсутствие скелетной изомеризации н-алкильных заместителей при межмолекулярном переносе в условиях реакции переалкилирования, наблюдаемое при контакте с AI I3 и ВРз-НР, послужило основанием для вывода, что мигрирующая группа не является свободным карбокатионом, который должен был бы претерпеть перегруппировку с образованием стабильного иона. Именно этот вывод и послужил основой jkiexaHHSMa Мак-Коли и Лина [201]. [c.190]

Это уравнение называют логарифмическим. Соответственно, график, построенный в координатах у — g t + onst) или у — — Ig t (при t > onst) имеет вид прямой линии. Логарифмическое уравнение, впервые полученное Тамманном и Кестером [11], отражает поведение многих металлов (Си, Fe, Zn, Ni, Pb, d, Sn, Mn, Al, Ti, Та) на начальных стадиях окисления. Вначале справедливость этого уравнения ставилась под сомнение. Были сделаны попытки вывести уравнения на основе предположений о существовании специфических свойств оксидов, таких как наличие диффузионных барьеров и градиентов ионной концентрации и других. Эти предположения не получили экспериментального подтверждения. С другой стороны, было показано, что логарифмическое уравнение можно вывести из условия, 4TQ скорость окисления контролируется переходом электронов из металла в пленку продуктов реакции, причем эта пленка имеет пространственный электрический заряд во всем своем объеме [7, 12]. Преобладание заряда, обычно отрицательного, в оксидах вблизи поверхности металла, подобно электрическому двойному слою в электролитах, было установлено экспериментально. Таким образом, любой фактор, изменяющий работу выхода электрона (энергию, необходимую для удаления электрона из металла), например ориентация зерен, изменения кристаллической решетки или магнитные превращения (точка Кюри), изменяет скорость окисления, что и наблюдалось в действительности [13—15. Когда толщина пленки превышает толщину пространственно-заряженного слоя, определяющим фактором обычно становится скорость диффузии или миграции сквозь пленку. При этом начинает выполняться параболический закон, и ориентация зерен или точка Кюри перестают оказывать влияние на скорость окисления. Исходя из этого, можно сказать, что в начальной стадии оксидная пленка на металлах [c.193]

Одна пз существенных спенифических трудностей прн проведении анализа — спектральные наложения на аналитические линии со стороны спектров основы проб. Вследствие неравновесностн ИСП прн высокой температуре в наблюдаемых спектрах проявляется значительно больн1ее число линий атомов и ионов элементов, чем в спектрах ранее описанных источников (нолый катод, искра и т. п.). Количество новых линий столь велико, что возникла необходимость опубликовать специальные таблицы, содержащие положения линий атомов и ионов, наблюдаемых в спектре испускания ИСП. Для устранения таких спектральных помех на практике используют спектральные приборы с большой разрешающей силой. [c.72]

Обычно, исходя из методических соображений, изложение теории электрокинетических явлений начинают с анализа скорости взаимного смещения фаз под действием внешнего электрического поля в дальнейшем на этой основе могут рассматриваться и все остальные электрокинетические явления. При этом нужно учитывать геометрические особенности системы, в частности соотношение размеров частиц дисперс ной фазы, расстояния между ними и толщшюй ионной атмосферы. Кроме того, наличие частиц дисперсной фазы может ока 1ывать влияние на характер расположения силовых линий внешнего электрического поля в дисперсной системе. [c.230]

В растворе N (N03)2 пластины сильно корродируют, что ослабляет их прочность, однако при этом никель основы, переходящий в раствор в ее порах, оседает там в виде гидроксида, что ускоряет пропитку. Было предложено производить пропитку в растворе Ni (N03)2 при катодной поляризации током плотности 50А/м . При этом раствор в порах подщелачивается за счет выделения водорода, в результате осаждение гидроксида ускоряется, тогда как коррозия основ резко сокращается. Готовые пластины тщательно промывают водой, чтобы не занести в аккумуляторы ион NO3-, вызывающий коррозию и саморазряд пластин. Для отрицательных пластин основы сначала 5—7 с протравливают в растворе HNO3 (110 кг/м ), затем подсушивают при обдувке воздухом и пропитывают в растворе, содержащем 750—830 кг/м d b. Дальнейшие операции кристаллизация, обработка в растворе щелочи, промывка и сушка — проводятся аналогично описанным для положительных пластин. Для отрицательных пластин также применяется пропитка при катодной поляризации, но вместо подвода тока извне создается короткозамкнутый элемент из основ пластин и металлических кадмиевых анодов. В раствор при этом добавляют 100 кг/м d(N03)2 и 20—30 кг/мз №(N03)2. Пропитка в контакте с кадмием продолжается от 2 до 18 ч в зависимости от толщины пластин, затем следуют обработка в растворе КОН, промывка и сушка. Пропитанные основы поступают на формирование. Оно проводится раздельно с вспомогательными никелевыми электродами для положительных пластин в растворе, содержа.щем 130 кг/м КОН, а для отрицательных — 240—270 кг/м при 15—30° С. Пластины пропитывают в растворе щелочи 2 ч, а затем включают ток плотностью 60—100 A/м . При заряде пластинам сообщают количество электричества, равное 200% их расчетной емкости, разряд проводят до потенциала 1,5 В по цинковому электроду для положительных и 0,8 В для отрицательных пластин. Если пластины не отдают количества электричества, на которое они рассчитаны, формировочные циклы повторяют. Формированные пластины промывают, сушат и отправляют на сборку аккумуляторов. Для сборки разработаны механизированные линии. Существует ряд вариантов дополнительного формирования аккумуляторов, собранных из уже формированных безламельных пластин. Все они направлены на то, чтобы обеспечить надежность изделий и отобрать для сборки в батареи аккумуляторы, наиболее близкие по емкости. Это необходимо для того, чтобы при разряде батареи из последовательно включенных аккумуляторов ни один из них не оказался слабее остальных и не переполюсовался. Формирование аккумуляторов малых типов проводят на автоматических стендах, выключающих ток при достижении аккумуляторами заданных напряжений. Разбраковка готовых аккумуляторов по емкости также производится на автоматах. Одна из важнейших операций при сборке герметичных никель-кадмиевых аккумуляторов — дозирование в них количества элект- [c.401]

Помимо электростатических взаимодействий, дополнительная стабилизация внешнесферных комплексов может иметь место за счет образования водородных связей, переноса заряда и донорно-акцепторных взаимодействий между лигандами внутренней и внешней сфер. Такие специфические взаимодействия лигандов проявляются, например, в изменении окраски при образовании внешнесферного комплекса. Так, комплекс серебра с бромпиро-гаплоловым красным (Ь) окрашен в желтый цвет, а в присутствии фенантро-лина образуется голубой комплекс состава [А (РЬеп)2Г Ь". На основе этой реакции разработан чувствительный и селективный спектрофотометрический метод определения серебра. Для спектрофотометрического определения многих элементов (Си(П), 2п(11), С<1(11), А1(Ш), Са(Ш), 1п(Ш), 8с(111) и др.) используют ионные ассоциаты их окрашенных хелатов с по- [c.143]

Выше было показано, что кристаллическая Нг504 имеет слоистую структуру, причем расположение молекул, соединенных водородными связями, имеет в своей основе простейшую плоскую сетку со связанностью 4. В противоположность этой слоистой структуре анионы ОгР(ОН)г в КН2РО4 представляют собой тетраэдрические группы, связанные водородными связями и расположенные по точкам алмазной сетки с образованием трехмерного каркаса. Упрощенная проекция этой анионной структуры представлена на рис. 3.39, где пунктирные линии показывают направления осей в кубической алмазной структуре. Ионы К+, которые размещаются в полостях каркаса, на рис. 3.39, а опущены. Структура oHg(5 N)4 дает другой пример структуры, основанной на алмазной сетке (рис. 3,39,6). [c.155]

В 1903 г. Уильям Томсон (Кельвин) (1824—1907) высказал идею, что атомы представляют собой положительно заряженные массы, внутри которых равномерно распределены электроны. "Через несколько лет оказалось, однако, что эта идея не соответствует фактам, установленным исследователями. В частности, ей противоречили данные, полученные при изучении прохождения а-частиц через газы и тонкие пленки металлов. Еще в 1897 г. английский физик Ч. Вильсон (1869—1959) установил, что ионы могут служить центрами конденсации водяных паров во влажном воздухе. На основе этого открытия в 1911 —1912 гг. Ч. Вильсон сконструировал прибор, известный под названием камеры Вильсона . В стеклянной камере, наполненной обеспыленным влажным воздухом, оказалось возможным наблюдать пути движения а-частиц, испускаемых радием (ионов гелия). Каждая а-частица, двигаясь по прямой линии от источника, ионизирует на своем пути атомы газов воздуха. Если воздух в камере охла- [c.214]

Результаты обработки экспериментальных данных по выщелачиванию стекла с использованием соотношений, приведенных выше, представлены на рис 5.6.2.1 и в табл. 5.6.2.1. Для обработки использовались результаты экспериментов [71], в которых натриевоалюмоси-ликатное стекло (состав, мол % МагО — 25,3, AI2O3 — 3,5, 8Юг — 71,2) подвергалось вымачиванию в водных растворах КС1. Концентрация натрия в толще стекла составляла Со 2,04 10 г-ион/см , Сгр = 0. Измерения количества ионов Na (Q ), переходящего из стекла в раствор, начинались через сутки от начала экспериментов и продолжались ежесуточно в течение всего времени опытов. На рис. 5.6.2.1 экспериментальные кривые по выходу ионов натрия в раствор КС1 при различных температурах построены в координатах (Q , 4t) Из графика хорошо видно, что экспериментальные точки ложатся на прямые линии (показанные пунктиром) только спустя некоторое время после начала эксперимента. На начальной стадии процесс достаточно хорошо описывается выражением Q(t) = h(t)( o -Сгр), где k(t) имеет вид (5.6.2.9). Кривые, построенные с использованием этого соотношения, представлены на графике сплошными линиями. Точки А и В характеризуют время запаздывания процесса диффузии i,. В табл. 5.6.2.1 приведены результаты расчета параметров процесса выщелачивания стекла в 0,1 М растворе КС1 на основе экспериментальных данных [71] по формулам (5.6.2.13), (5.6.2.15) и (5.6.2.17). [c.301]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология