Физические свойства халькогенидов

Физические свойства халькогенидов цинка и кадмия [c.30]

Соединения устойчивы на воздухе, однако изучены они недостаточно особенно мало работ по сульфидам таллия. Физические свойства халькогенидов таллия скорее нолу-металлические, чем полупроводниковые. [c.147]

Книга состоит из шести глав. В первых пяти главах рассматриваются химические свойства двойных сульфидов, селенидов и теллуридов бора, алюминия, галлия, индия и таллия, методы их синтеза, выращивания монокристаллов и дается обзор физических свойств соединений. В главах, посвященных соединениям бора и алюминия, описаны тройные соединения на основе халькогенидов этих элементов в связи с возможностью получения веществ, более устойчивых на воздухе, чем двойные халькогениды бора и алюминия. Тройные соединения других элементов П1[Б подгруппы не рассматриваются. % t J [c.5]

Благодаря устойчивости на воздухе большинства халькогенидов галлия, высокой фоточувствительности, люминесцентным и другим важным физическим свойствам эти вещества представляют особый интерес как полупроводниковые материалы. [c.35]

В табл. 9 приведены физические и физико-химические свойства соединений А В ". В пределах каждой группы соединений-гомологов наблюдается закономерное изменение важнейших свойств в зависимости от роста порядковых номеров компонентов в периодической системе. При переходе от сульфидов к селенидам и теллуридам симбатно температуре плавления уменьшаются энергия атомизации, теплота образования и ширина запрещенной зоны А В . Но уменьшение ширины запрещенной зоны, как ив соединениях А В , происходит намного быстрее, чем энергия атомизации и другие свойства. Это особенно характерно для халькогенидов ртути если сульфид имеет ширину запрещенной зоны 1,8 эв, теллурид по существу уже представляет собой полуметалл. [c.182]

В обзорных статьях [35, 36] о свойствах соединений тина А" В приведены резу.тьтаты экспериментальных исследовани физических свойств халькогенидов галлия, селенида индия и селенида таллия, которые связываются с кристаллической структурой этих веществ. Свойства TlSe отличаются от свойств соединений со структурой GaS низкими значениями электросопротивления и ширины запрещенной зоны, наличием эффекта фононного рассея ния. [c.160]

Физические свойства оксидов, халькогенидов и ниобатов свя-Ваны с наличием микрофаз и микропримесей и с отклонением от стехиометрии состава, возникающим в процессе синтеза и термической обработки образца. В настоящей работе описаны методы определения микрофаз в различных неорганических соединениях йодистом серебре, окиси цинка, ниобате лития, селениде кадмия, сульфиде свинца, а также микронримеси меди в пленках селенида кадмия. Выделение микрофаз проводят путем обработки кристаллов основного вещества соответствующими растворителями. Ос иовная задача определения фаз заключается в выборе селективного растворителя. Для контроля полноты растворения фаз проводили многократную обработку проб. [c.250]

С целью создания новых магнитных полупроводниковых материалов со сравнительно высокой подвижностью носителей тока, а также для получения дополнительных данных об электронной проводимости в ферритах-шпинелях нами на основе халькогенидов и окислов переходных металлов получена система (NiS)j (Ni0)i , Fe203, где x = 0 0,001 0,01 0,1 0,3 0,5 1,0. Исследованы ее физико-химические и физические свойства и измерены электрические параметры в широком температурном интервале (100—700 °К). [c.59]

Халькогениды весьма разнообразны по своим физическим и химическим свойствам Так, халькогениды неметаллов — соединения с ковалентным типом связей, отличающиеся широким диапазоном агрегатных состояний — от газообразнога до твердого Халькогениды металлов являются твердыми веществами, многие имеют довольно высокие температуры плавления, нерастворимы в воде (за исключением халькогенидов группы 1А) Халькогениды переходных металлов часто представляют собой металлоподобные соединения с переменным составом [c.20]

Однако известные халькогениды РЗЭ (подгруппы церия) состава отличаются от соответствующих соединений элементов III Б подгруппы. Основной тип структуры, в которой кристаллизуются соединения РЗЭ А В это структура ТЬзР4 с наличием вакантных мест в этой дефектной структуре характер связи в соединениях преимущественно ионно-ковалептный, благодаря чему они имеют полупроводниковые свойства. Однако физическая основа полупроводниковых свойств у обеих групп соединений типа aJ BJ различна. [c.211]