Халькогениды металлов

Некоторые пространственно-разделенные аддукты были синтезированы в Ленинградском технологическом институте методом деструкционно-эпитаксиального осаждения (ДЭП, см. гл. XV), исходя из силикагеля, а также ряда других гидроксидов и халькогенидов металлов. В частности, были получены аддукты основной поликремниевой соли меди с гидросиликатом меди, состав которых выражается общей формулой [c.47]

Основой для наиболее важных в практическом отношении рекомбинационных люминофоров служат халькогениды металлов II группы периодической системы. Наличие широких областей взаимной растворимости у этого класса соединений позволяет получать многообразные люминофоры с различными свойствами. [c.6]

Выращивание кристаллов из газовой фазы (возгонка) осуществляется путем запаивания вещества в продолговатые стеклянные или кварцевые ампулы и поддержания в течение определенного времени по длине этих ампул некоторого градиента температуры. Осаждение кристаллов происходит за счет явления транспорта. Применение данного метода весьма многообразно, если сюда включить реакции обратимого разложения с участием газовой фазы, а также синтез из газообразных компонентов. Таким путем в основном в хорошо закристаллизованном виде получают различные металлы, гало-гениды и халькогениды металлов и др. Часто, однако, этот метод применим для получения лишь небольших количеств веществ (например, до 1 г). Подробности можно найти в цитируемых ниже монографиях. [c.133]

Китаев Г. А. и др. Опыт металлизации органических диэлектриков с использованием пленок халькогенидов металлов. — Вопросы радиоэлектроники, сер. ТПО, 1976, вып. 3, с. 72—78. [c.197]

Н. г. Белоцерковская, Д. П. Добычин, Э. Н. Малинский (Ленинградский государственный педагогический институт им. А. И. Герцена). Развитие электронной промышленности привело к необходимости изучения пористой структуры высокодисперсных рыхлых слоев окислов, галогенидов и халькогенидов металлов, получаемых испарением соответствуюш их соединений в газовой среде. Указанные слои обладают высокой пористостью, веш ество в них занимает менее 5 н- 10% объема [1]. Такие объекты ввиду их непрочности являются необычными для порометрических исследований, поэтому возник вопрос о применимости метода ртутной порометрии для изучения пористой структуры систем такого рода. [c.225]

Обстоятельное обсуждение халькогенидов металлов, [c.416]

В области температур их разложения, поэтому эти соединения трудно получить в чистом виде. Они всегда содержат значительные количества примесей халькогенида металла, кремния или германия. [c.343]

Халькогениды металлов подгруппы цинка..Халькогениды металлов подгруппы цинка — типичные представители полупроводниковых соединений А В . Халькогениды металлов подгруппы цинка давно известны в химии и применяются многие как кристалло-фосфоры. Соединения А" В интенсивно изучаются благодаря их интересным электрофизическим и оптическим свойствам. [c.174]

К коллоидным наносистемам относится обширный круг объектов, размеры которых входят в диапазон 1 100 нм. К ним относятся коллоидные кластеры металлов, оксидов и халькогенидов металлов, мицеллы, микроэмульсии и т, д. Эти объекты представляют значительный интерес как с точки зрения фундаментальных исследований, так и в многочисленных применениях, в частности в области нанотехнологий. Само формирование таких систем было предметом длительных и успешных изучений (см., например, [1-4]). [c.346]

Свойства микроэмульсий во многом определяются размером и формой компонент дисперсной фазы, а также свойствами межфазных адсорбционных слоев, образованных ПАВ. Поскольку микроэмульсии обладают большой подвижностью и большой поверхностью раздела, они могут служить средой для проведения многих химических синтезов, например для получения нанокластеров металлов, оксидов и халькогенидов металлов. [c.350]

Эти рассмотрения, предсказывающие энергетические сдвиги в область больших энергий или уширение линий поглощений или люминесценции с уменьщением размеров нанокластеров, действительно выполняются для многих полупроводников, например для халькогенидов металлов, галогенидов металлов и т.д. [9]. [c.492]

В значительной степени оригинальны содержащиеся в справочнике таблицы, характеризующие давление насыщенных паров неорганических веществ. При их составлении использовались как литературные сводки работа Я. И. Герасимова и др. (Ж. физ. химии, 1979, т. 33, вып. 6, с. 1361—1368) Давление пара летучих халькогенидов металлов А. В. Новоселовой, А. С. Пашинкина (М., Наука , 1978) и другие, — так и журнальные статьи, опубликованные до второй половины 1980 г. В отличие от известных таблиц Д. Р. Стэлла, здесь приводятся не только значения температур, при которых достигаются заданные давления паров, но и константы уравнений, позволяющих находить давление насыщенного пара при заданной температуре при этом специальное внимание было уделено взаимосогласованности соответствующих данных. Насколько нам известно, современных сводок подобной полноты нет ни в отечественной, ни в зарубежной справочной литературе. [c.5]

Халькогениды весьма разнообразны по своим физическим и химическим свойствам Так, халькогениды неметаллов — соединения с ковалентным типом связей, отличающиеся широким диапазоном агрегатных состояний — от газообразнога до твердого Халькогениды металлов являются твердыми веществами, многие имеют довольно высокие температуры плавления, нерастворимы в воде (за исключением халькогенидов группы 1А) Халькогениды переходных металлов часто представляют собой металлоподобные соединения с переменным составом [c.20]

Криста.глические галогениды и халькогениды металлов. Большинство таких соединений построено в виде октаэдра из ионов галогенида или халькогенида. Часто ионы лигандов образуют бесконечные цепи с плотной нли несколько искаженной плотной упаковкой. Иногда октаэдры расположены небольшими группами или лентами. Наличие связи металл—металл приводит к тому, что атомы металла смещаются по отношению к центру октаэдра и сближаются, взаимодействуя через грань или ребро октаэдра. Примерами могут служить [Wj igP и Nbli—ленты, состоящие из октаэдров, соединенных соответственно по граням и по ребрам структуры обоих соединений приведены в гл. 30. [c.42]

При формировании связей в соединениях, в которых сера, селен и теллур имеют степени окисления -1-4 и - -6, могут принимать участие -орбитали валентного слоя. Отрицательные степени окисления сера, селен и теллур имеют в соединениях с более электроположительными элементами с водородом и металлами (халькогениды, например, N328, МйТе). Почти все соединения этих элементов с металлами могут быть получены прямым взаимодействием простых веществ, соединения же с водородом обычно получают действием на халькогениды металлов разбавленной серной или хлористоводородной кислотами. Водные растворы водородных соединений являются слабыми кислотами, кислотные и восстановительные свойства которых усиливаются от НгЗ к НгТе. Уменьшение электроотрицательности элементов ведет к снижению термической устойчивости соединений НгЭ, например, НгТе является уже эндотермическим соединением. [c.184]

Частично этим требованиям отвечают полупроводниковые соединения типа А"В , на что впервые обратил внимание исследователей, по-видимому, Фишер [11]. Он отметил, что в отличие от соединений А" В некоторые халькогениды металлов II группы периодической системы элементов имеют прямые межзонные переходы, обладают широкой запрещенной зоной, эффективно (с квантовым выходом 0,5—1) излучают при комнатной температуре даже при очень малых плотностях возбуждения и имеют довольно высокую для соединений с широкой запрещенной зоной электропроводность и подвижность носителей тока. Недостаток их заключается в том, что они являются неамфотерными полупроводниками, и это не позволяет создать р-п-переход с эффективной инжекцией. Однако перечисленные выше положительные качества соединений типа а в привлекли внимание исследователей и стимулировали интенсивные исследования, направленные на создание инжекционного источника света на основе указанных соединений. [c.36]

Установлено, что во всех системах А" — В 1 халькогениды металлов подгруппы цинка являются единственными соединениями. В этом отношении системы А — В похожи на системы А — В , где также фиксируется эквиатомарное соединение А А . Кроме того, системы А —Те очень напоминают системы А — В . В качестве [c.176]

Общий способ получения халькогенидов металлов 111 группы основан на синтезе из элементов в откачанных и отпаянных кварцевых ампулах при медленном нагревании, особенно выше 200°С. Однако более удобным является следующий двухтемпературный способ получения этих соединений. В запаяннную с одной стороны кварцевую трубку необходимого размера вносят отвешенное количество А , после чего оттягивают трубку на расстоянии 50 мм от нижнего конца до диаметра 2 мм и сгибают ее в этом месте под прямым углом. В свободное колено теперь вводят рассчитанное количество халькогена и запаивают под вакуумом. Затем ту часть изогнутой трубки, в которой находится халькоген, нагревают до такой степени, чтобы вся трубка была наполнена парами халькогена. Упругость его паров можно найти по таблицам, если точно контролировать температуру этого колена. Чтобы А начал реагировать с халькогеном, другое колено трубки нагревают до более высокой температуры. [c.199]

Слабые межкластерные взаимодействия в коллоидных системах позволяют исследовать индивидуальные свойства нанокластеров подобно кластерам в газовой фазе, однако с тем существенным различием, что для коллоидного кластера обязательна пассивирующая оболочка, которая может изменить его свойства. В этом пункте будут преимущественно рассмотрены кластеры изолированных и слабовзаимодейетвующих металлов и халькогенидов металлов, проявляющие металлические или полупроводниковые свойства. Переход от отдельных атомов к массивным телам может быть рассмотрен на языке молекулярных орбиталей и изменения плотности состояний. На рис. 11.5 приведена схема изменения энергетических уровней электронов для атома, кластера и массивного твердого тела (а) и изменение плотности электронных состояний при увеличении энергии электрона б) для массивной трехмерной, двумерной, одномерной структуры и так называемых в физике квантовых точек, которые на самом деле представляют собой трехмерные кластеры с размерами несколько нанометров. [c.356]

С алкилтрихлорсилановыми чернилами метод использовался для печати на поверхности оксида кремния, титана, стекла, сапфира и других оксидных материалов [315-317]. С чернилами из алкилтиолов возможно перенесение рисунков на поверхности золота, серебра, халькогенидов металлов и др. Силиконовые штампы можно использовать многократно (> 50 раз) они не портятся в течение долгого времени. Путем прокатывания по поверхности цилиндрического силиконового ролика с выступами, предварительно смоченного раствором модификатора, можно получать периодические структуры с разрешением 300 нм на значительной площади (50 см ) [318]. [c.255]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология