Элементы группы халькогениды

Смешанный вид химической связи встречается в бинарных соединениях элементов, из которых один — металл, а другой — неметалл и электроотрицательности элементов отличаются недостаточно для того, чтобы связь считать ионной. Здесь имеется группа соединений, включающая отдельные халькогениды (например, AI2S3), пниктогениды ( a3N2), карбиды (ВегС), силициды (СагЗ ). Природа химической связи в этих соединениях — ковалентная сильно полярная или, как говорят, смешанная между ионной и ковалентной. Поэтому данные соединения проявляют свойства как ковалентных, так и ионных соединений, но не в полной мере. Большинство из них — солеобразны, как и ионные соединения. Однако в водных растворах они разлагаются, как многие ковалентные бинарные соединения, например [c.341]

Квелые халькогениды. Элементы группы VIA периодической системы элементов, а именно кислород, сера, селен и теллур, по аналогии с элемен- [c.50]

Другой предельный случай (2) дожен осуществляться при взаимодействии очень малых по размеру катионов и очень больших анионов, как, например, Lil и MgTe среди галогенидов элементов I группы и халькогенидов элементов II группы соответственно. В действительности же структурный тип Na l характерен для большинства соединений этих двух семейств. Для них отношение ионных радиусов га Гх изменяется в очень широких пределах, и сюда входят даже такие соединения, как KF и ВаО, которые построены из катионов и анионов приблизительно одинакового размера. Концепция ионных радиусов обсуждается в гл. 7. Расстояния между атомами X во фторидах щелочных металлов составляют [c.288]

Необходимо отметить, что кристаллические структуры сульфидов часто существенно отличаются от структур окислов следующими характерными чертами объем и поляризуемость для серы значительно больше, чем для кислорода, а электроотрицательность у серы заметно меньше, чем у кислорода (табл. 16 и 22). В кристаллохимическом отношении сера занимает такое л е положение по отношению к кислороду, как хлор по отношению к фтору. В то же время элементы группы халькогенидов менее электроотрицательны, чем галогениды этим объясняется их большая тенденция к образованию ковалентной связи. [c.139]

Халькогениды К этой группе принадлежат бинарные соединения элементов группы VIA (сера, селен и теллур) с менее электроотрицательными элементами [c.19]

В монографии рассматриваются свойства халькогенидов каждого элемента III Б группы, затем проводится сопоставление свойств отдельных групп халькогенидов в соответствии с принадлежностью их к определенным кристаллохимическим семействам. Такое рассмотрение позволяет вскрыть закономерности образования и изменения свойств халькогенидов, что существенно для установления связи состава со свойствами этой мало изученной группы веществ. [c.12]

ХАЛЬКОГЕНИДЫ ЭЛЕМЕНТОВ ВТОРОЙ ГРУППЫ [c.29]

В монографии систематизированы имеющиеся в литературе,а также полученные автором данные по химии двойных и некоторых тройных халькогенидов элементов III Б группы, а также данные по полупроводниковым свойствам этих соединений. [c.5]

Халькогениды элементов III Б подгруппы не являются изолированной, отдельной группой химических соединений. Их свойства, с одной стороны, близки свойствам кислородных соединений элементов III Б группы и, с другой,— свойствам халькогенидов элементов III А подгруппы — скандия, иттрия и РЗЭ. [c.209]

Халькогениды элементов III Б группы обладают практически важными свойствами, но не нашли еш,е широкого применения. Однако сейчас уже ясно, что эта интересная группа веш еств найдет применение и, прежде всего, в качестве полупроводников. Обзор, проведенный нами, показывает, что в распоряжении исследователей имеются материалы с очень широким набором свойств. [c.214]

Водородные соединения (гидриды) элементов У1А-группы НаЭ получают синтезом из простых веществ (или действием сильных кислот на халькогениды). В водных растворах они проявляют слабые кислотные свойства. Диссоциация гидридов усиливается при переходе от амфотерной воды к теллуроводороду, что прежде всего объясняется увеличением радиусов ионов (табл. 27). Кроме того, полярные молекулы воды склонны к ассоциации с образованием водородных связей. Летучесть гидридов элементов У1А-группы сильно увеличивается от воды к сероводороду, но снова уменьшается у селеноводорода и теллуроводорода. Относительно более низкая летучесть воды обусловлена опять-таки сильно выраженной ассоциацией молекул ее в жидком состоянии с образованием водородных связей. Прочность гидридов элементов У1А-группы уменьшается от воды к теллуроводороду НаТе. [c.348]

Наименее электроотрицательные элементы 1А-и ПА-групп склонны к образованию полихалькогенидов. Так, среди элементов IA-групны литий образует только нормально-валентные халькогениды, натрий, помимо них, еще и NaaS и NaaSe,, ( =2—9 для серы и 2— 6 для селена), а калий — KaS,,, K.,Se и КаТе (п=2—6, 2—5 и [c.72]

Образование водородной связи было обнаружено и вот уже более полувека интенсивно изучается по своим молекулярно-физическим проявлениям. Еще со школы мы знаем, что при обычной температуре НзТе — жидкость, НаЗе — легкокипящая жидкость, НгЗ — газ, а Н2О —снова жидкость, хотя по экстраполяции ей полагалось быть еще лучшим газом, чем сероводород. Такую же цепь примеров представляют собой галогеиоводороды. Однако эти примеры дают скорее эмоциональное, чем научное удовлетворение, так как в изменении температур плавления галогенидов одновалентных металлов или халькогенидов двухвалентных мы увидим точно такую же закономерность. Действительная причина заключается в том, что при переходе сверху вниз в периодической системе в группах галогенов и халькогенов монотонно уменьшается их электроотрицательность и поэтому будет уменьшаться полярность связей любого атома М (в том числе и водорода) с указанными элементами. Поскольку плавление или кипение вещества характеризует разрыв МбЖМОЛбКуЛЯрНЫХ СВЯ30Й, 1 ггл и i К1ТП будут как-то отражать прочность этих связей. А прочность межмолекуляр-но1 о взаимодействия будет определяться двумя факторами, которые действуют в прямо противоположных направлениях — сверху вниз будет уменьшаться, как только что было сказано, полярность атомов в молекулах и поэтому ослабевать ион-дипольная ассоциация, но одновременно вниз будет расти молекулярный вес, а следовательно, поляризуемость и ван-дер-ваальсовское, дисперсионное взаимодействие. Суперпозиция двух тенденций и приводит к тому, что внизу и вверху периодической системы химические соединения типа АВ и АВг будут иметь повышенные температуры плавления и кипения. Это обстоятельство и привело к необходимости изучения особенностей водородной связи методами структурного анализа — дифракционными (рентгене-, электроно- и [c.166]

VIA группы периодической системы сера, селен, теллур, полоний — объединяются п(д общим названием халькогены, В двойных соединениях с металлическими элементами они проявляют степень окисления —2. Название соединений металлов с халькогенами—халько-гениды (сульфиды, селениды, тел1уриды, полониды) селенид цинка ZnSe, или селенистый цинк теллурид кадмия dTe, или теллуристый i адмий. Наибольшее распространение имеют нормальные халькогениды, в которых атомы металла непосредственно соединены лишь с атомами халькогена. [c.8]

Сульфиды щелочноземельных металлов получают сульфированием карбонатов металлов смесью серы и крахмала в присутствии различных солевых смесей или сульфированием окислов сероуглеродом [3, с. 290 4]. Теллурид цинка и кадмия синтезируют в основном методом сплавления компонентов [5, с. 27]. Этим методом можно синтезировать сульфиды и селениды цинка и кадмпя, но это дорого и малопроизводительно [6]. Известен способ получения бинарных соединени из паров компонентов, пригодный для всех халькогенидов элементов II группы [7], но он еще не напхел широкого применения. [c.32]

Элементы III А подгруппы — S , Y и РЗЭ — образуют очень большое число соединений с кислородом и халькогенами, обладающих высокими температурами плавления. При этом из кислородных соединений наиболее устойчивыми являются соединения состава 2 3, например S gOg, Y2O3, LagOs и другие, с трехвалентным атомом металла. Свойства соединений редкоземельных элементов с элементами VI группы различны для элементов подгруппы иттрия, церия и самария. Свойства халькогенидов РЗЭ подгруппы церия детально рассмотрены в работе Ярем-баша [60] на основе экспериментального материала, полученного в лаборатории химии полупроводников Института общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова АН СССР, а также в двух монографиях по сульфидам [28], селенидам и теллуридам [29] редкоземельных металлов. [c.210]

НЕОРГАНИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ, сложные в-ва, образуемые всеми хим. элементами (исключение — большинство соед. углерода, к-рые относят к органическим соединениям). По функциональному признаку выделяют след, осн. типы Н. с. оксиды, гидроксиды, кислоты неорганические, соли. По составу различают обычно двухэлементные, или бинарные, Н. с. (напр., оксиды, гидриды, неорганические галогениды, халькогениды, нитриды, фосфиды, металлиды) и Н. с., содержащие больше двух элементов (гидроксиды, оксокислоты, амиды металлов и др.). В отдельную группу выделяют неорг. комгг.чексные соедипения. Число известных Н. с. составляет ок. 300 тыс. Они образуют практически всю литосферу, гидросферу и атмосферу Земли. [c.373]

Вследствие того что электронные структуры элементов VI группы приближаются к конфигурациям атомов соседних инертных газов, эти элементы проявляют ярко выраженные неметаллические свойства, за исключением полония и в какой-то мере теллура. Все их соединения по суш,еству ковалентны, как и соединения других неметаллических элементов. Понятие состояния окисления имеет только формальное значение. Некоторые соединения, образованные этими элементами, можно рассматривать как стремление завершить электронную конфигурацию инертного газа, для чего им не хватает двух электронов. Так, они образуют халькогениды (5 , 8е - , Те- ), хотя суш,ествованне этих ионов, кроме сочетания с наиболее электроположительными элементами, маловероятно. Кроме того, эти элементы образуют соединения, в молекуле которых имеются две двухэлектронные связи, например (СНз). , НоЗ, 50., и т. д., ионные частицы с одной связью и одним отрицательным зарядом, например [c.375]

Бор образует множество химических соединений ковалентного характера. В соединениях он почти всегда трехвалентен (3-р), и число его соединений с более низкой валентностью (1+, 2-j-) ограниченно. В известном смысле можно считать, что в ионно-ковалентных соединениях с наиболее электроотрицательными элементами бор находится в виде катиона В и i-ораздо более отрицателен, чем его аналоги. Наличие у этих элементов, в том числе и у бора, четырехвалентных орбит приводит к возможности гибридизации с образованием sp -гибридных орбит и тетраэдрической конфигурации связей. С элементами VI группы — кислородом, серой и селеном — бор образует ряд соединений, окислов и халькогенидов, однако их устойчивость на воздухе невелика и падает при переходе от соединений с кислородом к соединениям с серой и селеном. Соединения бора с теллуром неизвестны. [c.10]

Однако известные халькогениды РЗЭ (подгруппы церия) состава отличаются от соответствующих соединений элементов III Б подгруппы. Основной тип структуры, в которой кристаллизуются соединения РЗЭ А В это структура ТЬзР4 с наличием вакантных мест в этой дефектной структуре характер связи в соединениях преимущественно ионно-ковалептный, благодаря чему они имеют полупроводниковые свойства. Однако физическая основа полупроводниковых свойств у обеих групп соединений типа aJ BJ различна. [c.211]

Атомы неметаллов и полуметаллов подгруппы углерода (IVB) стремятся к образованию квазиустойчивых 5 -конфигураций. Это стремление, как известно [4], уменьшается с ростом главного квантового числа валентных sp-электронов, т. е. в IV группе от углерода (алмаза) к свинцу. Поэтому возможность локализации валентных электронов атомов элементов IVB подгруппы у атомов серы в общем возрастает в этом же направлении. Это выражается в повышении симметрии решетки (от ромбической для SiS и GeSj до кубической для PbS), а также в росте устойчивости и температур плавления в этом ряду халькогенидов. Особенно это проявляется начиная от Sa, где локализация электронов атомов углерода у атомов серы выражена наиболее слабо (аналог B2S3), до PbS, где эта локализация выражена наиболее сильно, но несколько ослаблена вследствие передачи части валентных электронов на глубокие 5/-уровни. Если бы этой передачи не было, то температура плавления была бы выше определяемой экспериментально и равной для SnS 880, а для PbS 1110° С. [c.19]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология