Ртути халькогениды

Как видно из табл. 20, все халькогениды цинка, кадмия и ртути являются полупроводниками. Халькогениды цинка и. кадмия обладают высокой чувствительностью к электромагнитным излучениям, видимому и ультрафиолетовому свету, рентгеновским и гамма лучам, а также к корпускулярной радиации (а и Р). Это позволило применить их при изготовлении фотосопротивлений и фотоэлементов, фоточувствительных слоев в передающих телевизионных трубках, в дозиметрах, в счетчиках. и т.. п. [42. 262].- Селенид и теллурид ртути применяются при изготовлении приборов для измерения напряженности магнитного поля [215]. [c.118]

Физико-химические свойства халькогенидов цинк и кадмия хорошо изучены (халькогениды ртути изучены гораздо меньше). В работе [251] проведено сравнение различных имеющихся в литературе методов синтеза, изучение механизма взаимодействия кислорода с этими соединениями, а также исследована температурная зависимость давления насыщенного пара теллуридов и селенидов цинка и кадмия. Некоторые данные исследований микроструктуры этих соединений и состава травителей содержатся в работе [200]. [c.116]

Табл. 1-СВОЙСТВА ХАЛЬКОГЕНИДОВ РТУТИ

Халькогениды ртути рекомендуют получать сплавлением в эвакуированных и запаянных кварцевых ампулах, помещенных в предохранительные стальные стаканы, с применением вибрационного перемешивания [142]. Однако получение однофазных образцов затруднено. Непосредственным соединением стехиометрических количеств ртути и серы при комнатной температуре может быть получен мелкокристаллический порошок сульфида ртути кубической модификации ( -HgS) [180, с. 921]. Эта же модификация HgS образуется при пропускании сероводорода в солянокислый, не содержащий окислителей раствор соли двухвалентной ртути в виде осадка черного цвета. [c.55]

Диаграммы состояния большей части халькогенидов кадмия, цинка и ртути указывают на существование только одного соединения. Поведение этих соединений в расплавленном состоянии изучено мало. Имеются только данные работы [63], где установлено, что теллурид кадмия в расплавленном виде [c.115]

Халькогениды ртути получают обычно сплавлением в эвакуированных и запаянных кварцевых ампулах, помещенных в предохранительные стальные стаканы. Рекомендуется применять вибрационное перемешивание. Однако получение однородных образцов затруднено, от избытка ртути удается избавиться только очень длительным отжигом [246, 261]. [c.116]

Физико-химические и электрические свойства халькогенидов цинка, кадмия и ртути [51, 135, 246—248, 251, 2611 [c.117]

Монокристаллические образцы селенида и теллурида можно получить из поликристаллов методом Бриджмена. При этом температурный градиент вдоль ампулы осуществляется так, чтобы более холодные части были нагреты выше температуры конденсации паров халькогенидов, селена и теллура. Очистку и выращивание монокристаллов теллурида ртути можно осуществить методом зонной плавки. [c.182]

В табл. 9 приведены физические и физико-химические свойства соединений А В ". В пределах каждой группы соединений-гомологов наблюдается закономерное изменение важнейших свойств в зависимости от роста порядковых номеров компонентов в периодической системе. При переходе от сульфидов к селенидам и теллуридам симбатно температуре плавления уменьшаются энергия атомизации, теплота образования и ширина запрещенной зоны А В . Но уменьшение ширины запрещенной зоны, как ив соединениях А В , происходит намного быстрее, чем энергия атомизации и другие свойства. Это особенно характерно для халькогенидов ртути если сульфид имеет ширину запрещенной зоны 1,8 эв, теллурид по существу уже представляет собой полуметалл. [c.182]

Халькогениды цинка, кадмия и ртути. Халькогениды цинка, и кадмия существуют по крайней мере в виде двух модификаций. Характер полиморфных структур зависит от условий синтеза. В работе [247] приводится краткий обзор работ в этой области, а также описание метастабильной модификации селенида цинка с чередованием двух- и трехслойных участков, соответствующих гексагональной и кубической упаковкам. Приводится также описаиие модификаций теллуридов цинка и кадмия. Полиморфные модификации халькогенидов цинка исследовались в работе [248]. [c.115]

Структура тонких слоев теллурида кадмия описана в работах [229, 249]. Среди соединений ртути только сульфид имеет две модификации а-модификацию с особой структурой и р-мо-дификацию (метациннабарит) со структурой цинковой обманки. Селенид и теллурид известны только в структуре цинковой обманки. Микроспайность халькогенидов цинка, кадмия и ртути изучалась в работе [50], где на основании результатов исследования делаются выводы о величине слагаемой ионной связи в указанных соединениях, в общем превышающей эту слагаемую в соединениях типа А В . [c.115]

Важнейшая задач химии полупроводников заключается в создании новых полупроводниковых материалов. Еще в 60-х годах в радиоэлектронике применялись только германий и кремний. А в настоящее время в промышленной электронике и радиотехнике помимо кремния и германия нашли широкое применение полупроводниковые соединения антимонид индия, арсенид галлия, фосфиды индия и галлия, халькогениды цинка, кадмия, ртути, свинца, висмута, сурьмы, а также карбид кремния и др. Число сложных полупроводниковых фаз (соединений и твердых растворов), перспектавных для их практического применения, неуклонно растет из года в год. [c.6]

Халькогениды ртути. Из халькогенидов ртути HgS как полупроводник исследован плохо. Сульфид ртути отличается от селенида и теллурида ширина запрещенной зоны у HgS больше, а подвижность электронов значительно меньше, чем у HgSe и HgTe. Если температуры плавления селенида и теллурида ртути не очень сильно разнятся между собой (799 и 670°С), то сульфид ртути плавится под давлением собственных паров лишь при 1450°С. Однако все три вещества кристаллизуются в кубической решетке цинковой обманки. Сульфид ртути имеет также низкотемпературную модификацию со структурой киновари, характеризующейся тригональной ячейкой. Температура полиморфного превращения киновари в сфалерит 345°С. Киноварь обладает электронной проводимостью и термической шириной запретной зоны 1,8 эв. [c.181]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология