Галлий халькогенид

Соединения Оа (I) и 1п (I). В отличие от соединений Т1 (I) соединения Оа (I) и 1п (I) немногочисленны (синтезированы окислы, галогениды и халькогениды) и мало изучены. Обычно их получают в вакууме восстановлением при нагревании соединений Оа (П1) и 1п (III) металлическим галлием или индием соответственно. [c.181]

Халькогениды [46, 47]. Сульфиды. Сероводород не осаждает галлия из растворов солей, так как сульфид галлия, подобно сульфиду алюминия, тотчас же нацело гидролизуется. Однако в присутствии носителя, например цинка, олова или мышьяка, галлий может быть осажден в виде сульфида за счет комплексообразования. При действии [c.233]

П. Г. Рустамов. Халькогениды галлия. Изд. АН Азерб. ССР, Баку, 1967. [c.278]

По характеру химической связи халькогениды (как и оксиды) подразделяются на ионные, ковалентные и металлические. Преимущественно ионным характером обладают лишь халькогениды наиболее активных металлов, подчиняющиеся правилу формальной валентности. Так, все халькогениды щелочных ме галлов и [c.274]

Для халькогенидов цинка и кадмия характерна проводимость только одного типа. Исключением является теллурид кадмия, который получен с высокой проводимостью как n-, так и р-типа. Теллуриду цинка присуща проводимость только р-типа, хотя сообщалось о получении при легировании галлием в неравновесных условиях высокой проводимости л-типа[99, гл. 3—4]. Остальные материалы имеют проводимость только л-типа. [c.151]

Халькогениды ЭгХ известны для галлия и индия. Энтальпии образования соединений закономерно уменьшаются в направлении от сульфидов к селенидам. Для таллия известен только сульфид Т Зз, который может быть получен сухим [c.342]

Книга знакомит с химическими и полупроводниковыми свойствами соединений элементов III Б подгруппы периодической системы Д.И.Менделеева с халькогенами серой, селеном и теллуром.Рассмотрены методы синтеза, выращивания монокристаллов, основные полупроводниковые свойства двойных халькогенидов бора, алюминия, галлия, индия и таллия, закономерности образования халькогенидов этих элементов и изменение свойств в рядах соединений-аналогов. [c.4]

Книга состоит из шести глав. В первых пяти главах рассматриваются химические свойства двойных сульфидов, селенидов и теллуридов бора, алюминия, галлия, индия и таллия, методы их синтеза, выращивания монокристаллов и дается обзор физических свойств соединений. В главах, посвященных соединениям бора и алюминия, описаны тройные соединения на основе халькогенидов этих элементов в связи с возможностью получения веществ, более устойчивых на воздухе, чем двойные халькогениды бора и алюминия. Тройные соединения других элементов П1[Б подгруппы не рассматриваются. % t J [c.5]

Глава III ХАЛЬКОГЕНИДЫ ГАЛЛИЯ [c.35]

Соединения галлия с серой, селеном и теллуром изучены более подробно, чем халькогениды алюминия. [c.35]

Рис. 59. Упаковка слоев халькогенидов галлия состава АВ

П. П. Шевчук. Исследование электрохимических и электрофизических свойств расплавов халькогенидов галлия, индия и таллия. Автореферат диссертации, Киев, 1970. [c.232]

Важнейшая задач химии полупроводников заключается в создании новых полупроводниковых материалов. Еще в 60-х годах в радиоэлектронике применялись только германий и кремний. А в настоящее время в промышленной электронике и радиотехнике помимо кремния и германия нашли широкое применение полупроводниковые соединения антимонид индия, арсенид галлия, фосфиды индия и галлия, халькогениды цинка, кадмия, ртути, свинца, висмута, сурьмы, а также карбид кремния и др. Число сложных полупроводниковых фаз (соединений и твердых растворов), перспектавных для их практического применения, неуклонно растет из года в год. [c.6]

Все халькогениды галлия, индия и таллия обладают полупроводниковыми свойствами. Их устойчивость падает в ряду Ga- Tl (табл. 1.21). Из халькогенидов Т1 (III) получен только Т12Тез. Исследование системы Т1—Se показало, что TbSes может существовать лишь в узком температурном интервале (192—274° С). [c.176]

Металлохимия. Кристаллохимнческое строение всех трех металлов различно. Галлий имеет орторомбическую решетку, индий — тетрагональную, а таллий обладает диморфизмом ос-модификация ГПУ и р-форма ОЦК. Ни один из обсуждаемых металлов не образует непрерывных твердых растворов с другими элементами Системы. Между собой галлий с таллием дают расслоение в жидком состоянии, галлий с индием — ограниченные твердые растворы со стороны индия с эвтектикой, а индий с таллием — ограниченные твердые растворы с перитектикой. Из-за низких температур плавления области гамогениости со стороны металлов подгруппы галлия очень малы. Кроме того, со многими металлами они образуют широкие области расслоения в жидком состоянии, особенно таллий. Металлидов они образуют такл е сравнительно немного главным образом с щелочными, щелочно-земельными и некоторыми переходными металлами. Интересно отметить, что в случае галлия и индия моно-халькогеииды на диаграммах состояния представлены более высокими дистектическими точками по сравнению с халькогенидами этих [c.166]

Халькогениды. Для систем индий—халькоген характерно образование соединений типа ПаХ, 1пХ и 1П2Х3, а также промежуточных соединений и соединений с большим содержанием халькогена. Полуторные халькогениды 1П2Х3 плавятся конгруэнтно. У моносульфида и моноселенида, как и у монохалькогенидов галлия, найдена слоистая структура типа ОаЗ, в которой существует связь металл — металл, с координационным числом индия 4. Монотеллурид индия имеет другое строение (см. далее). Из соединений ЫаХ в кристаллическом состоянии устойчивы только селенид и теллурид. Они плавятся инконгруэнтно [58], [c.292]

Ферроцианиды. Нормальный ферроцианид Т14[Ре(СМ)в]- 2НгО мало растворим в воде. Может быть осажден из растворов солей таллия (I) действием ферроцианнда калия. Еще менее растворимы двойные ферроцианиды с тяжелыми металлами, например Tl2 u,4[Fe( N)e]2[56]. Таллий (III) восстанавливается ионами [Fe( N)el Халькогениды. Халькогениды таллия сильно отличаются по свойствам от халькогенидов галлия и индия. Это сравнительно легкоплавкие соединения. Большей устойчивостью отличаются соединения низшей валентности. Из полуторных халькогенидов устойчив при нормальных условиях только теллурид, а TI2S3, возможно, вообще не [c.334]

Относительно свойств окислов, сульфидов и других халькогенидов галлия, индия-и таллия, и особенно относительно их структуры, имеются вполне определенные сведения благодаря новейшим исследованиям. Для этих металлов известны халькогениды состава М2Х, МХ и М2Х3. Халькогениды состава М2Х (т. е. халькогениды одновалентно- [c.406]

Благодаря устойчивости на воздухе большинства халькогенидов галлия, высокой фоточувсхвительности, люминесцентным и другим важным физическим свойствам эти вещества представляют особый интерес как полупроводниковые материалы. [c.35]

Структура гексагональных халькогенидов галлия со связью Ga—Ga имеет большое сходство со слоистой структурой молибденита M0S2, в которой положение одного атома Мо равноценно положению группы Gag. В реальной структуре GaTe с гексагональной упаковкой слоев наблюдаются отступления от идеального расположения слоев [93]. На рис. 22 приведена модель моноклинной структуры a-GaTe, в которой отчетливо видно тетраэдрическое окружение атомов Ga тремя атомами Те и одним атомом Ga со связью Ga—Ga. [c.69]

Свойства халькогенидов таллия сильно отличаются от свойств халькогенидов галлия и индия. Это низкоплавкие соединения, с больпюй устойчивостью фаз в случае одновалентного таллия. В системе T1—S не существует сульфида состава TJ2S3 [1, 2]. Диаграммы состояния системы таллий — халькоген с большей или меньшей достоверностью известны для всех трех систем [3]. [c.147]

Рассмотрение диаграмм состояния систем элементов-аналогов показывает как общие черты характера химического взаимодейств11Я в системах А —В 1, так и их различие при переходе от легких элементов к тян елым, т. е. от бора к таллию и от серы к теллуру. Двойные системы В — S и В — Se не исследованы, а соединения бора с теллуром до сих нор никто не получргл. Сульфидные системы алюминия, галлия и индия изучены лишь в пределах кон-центраци11 О—60 ат.% S, так как изучение составов с большим ее содержанием представляет значительные трудности из-за высокого давления пара серы при температурах синтеза. Давления паров селена и теллура при температурах синтеза селенидов и теллуридов элементов III Б подгруппы невысоки, что позволило осуществить синтез всех соединений этих халькогенидов методами, применяемыми для получения неорганических полупроводниковых веществ, содержащих легколетучие компоненты. [c.170]

В табл. 22 приведены некоторые данные о полупроводниковых свойствах соединений этой группы. Халькогениды галлия — полупроводники дырочного типа с очень ма.чой подвижностью носителей тока. Электросопротивление GaS достигает 10 °—10 ом-см, оно ниже у GaSe и GaTe в соответствии с увеличением металлического характера связи, что такн е обусловливает падение ширины за- [c.184]

Образование соединений состава А Вз наиболее характерно для халькогенидов элементов И1 Б подгруппы. В отличие от халькогенидов этих же элементов состава iiigvi соединения алюминия, галлия и индия состава [c.197]

Все халькогениды галлия полупроводники. Из них наибольшее внимание в последние годы привлекают монохалькогениды, в чзст-ности ОзЗе, а также двойные селениды и теллуриды. [c.236]

Смотреть страницы где упоминается термин Галлий халькогенид: [c.72] [c.161] [c.236] [c.275] [c.157] [c.275] [c.346] [c.394] [c.227] [c.230] [c.486] [c.404] [c.407] [c.409] [c.410] [c.160] [c.174] [c.185] [c.197] [c.207] [c.209] [c.210]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология