Обработка рентгеновских данных

Уменьшение усилий, необходимых для установления кристаллической структуры, позволяет все чаще использовать в исследованиях рентгеновскую кристаллографию. В настоящее время при благоприятных условиях можно провести исследования от кристаллизации до воспроизведения структуры в течение двух—десяти дней. При правильной организации работы сроки получения результатов, их обработки и доведения структуры до деталей можно сократить. Вероятно, каждому ученому в ходе своих исследований приходится обращаться к рентгеновской кристаллографии. Цель настоящей главы — дать достаточно информации, чтобы читатель мог получить представление о рентгеноструктурном исследовании кристаллов. [c.360]

Использование методов инфракрасной спектроскопии при установлении строения природных органических соединений является, по необходимости, чисто эмпирическим. Число возможных типов колебаний большой асимметричной молекулы настолько велико, что полная математическая обработка зависимости формы колебаний от молекулярной структуры в настоящее время невозможна. Если бы даже и удалось вывести такого рода зависимость, то весьма сомнительно, чтобы за время, потраченное на эту работу, была бы получена информация, сравнимая по объему с той, которую за это же время может дать метод дифракции рентгеновских лучей. Поэтому единственно возможным путем является сбор данных по частоте и интенсивности поглощения чистых соединений известного строения с целью использовать эту информацию при исследовании новых соединений. [c.158]

При обработке данных по рассеянию следует помнить, что рассеяние рентгеновских лучей происходит при каждом изл енении электронной плотности. Нарушения кристаллической решетки, недоступные для молекул газа, могут дать изменения электрон- [c.88]

Эти соображения позволяют дать новое и более правдоподобное объяснение результатов, полученных Эстерманом, Лейво и Стерном. Эти авторы, облучая КС1 рентгеновскими лучами (стр. 59), обнаружили, что в глубине кристалла быстро появляются анионные вакансии. Действие рентгеновских лучей на кристалл приводит к появлению электронов с большой энергией (и положительных дырок), которые, проходя около внутренних дислокаций, вызывают местное нагревание, достаточное для того, чтобы произошло образование вакансий на уступах Зейтца. Возникшие таким образом анионные вакансии захватывают электроны, образуя /"-центры, в то время как катионные вакансии захватывают положительные дырки, причем получаются так называемые 1/-центры, вызывающие поглощение в ультрафиолетовой области. Применяя этот новый механизм, можно избежать трудностей, которые встречаются при объяснении относительно быстрой миграции вакансий с поверхности (стр. 60) кроме того, он объясняет с более общей точки зрения результаты экспериментов Пржибрама и других, которые отмечали влияние механической и термической обработки кристал- [c.63]

Практически все опыты, основанные на рассеянии рентгеновских лучей, в основных чертах сходны. На образец падает узкий пучок монохроматического или почти монохроматического рентгеновского излучения. Часть лучей рассеивается во всех направлениях и регистрируется фотографической пленкой, ионизационной камерой или счетчиком Гейгера. Картина, даваемая рассеянным излучением, определяется геометрией прибора и рассеивающим образцом. Но, поскольку структура образца является одним из определяющих факторов, можно попытаться установить однозначное соответствие между регистрируемой диффракционной картиной и структурой образца. Однако, хотя зная структуру образца, всегда можно предсказать соответствующую ей диф-фракционную картину, обратная задача не всегда выполнима. Только иногда (в особенности для сложных структур) рентге-(Ювская диффракционная картина дает возможность определить структуру образца. Тем не менее обработка рентгенограмм может дать много полезных сведений. [c.356]