Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Измерение тока насыщения при низких температурах

    В работах [234, 248, 249] была сделана попытка измерить коэффициенты диссоциативной рекомбинации в ударной трубе, где, как полагают авторы этих работ, Те = Tj. = Ту — Tj = Гэл В инертных газах ионы и электроны получались в отсеке низкого давления с помощью импульсного высокочастотного разряда. Затем на эту область набегала ударная волна, нагревавшая газ до температуры 700—3500° К. Измерение скорости спада концентрации ионов проводилось через 20 мксек после прихода фронта ударной волны (полное давление за фронтом р 20 торр) методом тока насыщения, идущего на двойной зонд. Оказалось, что измеренные таким образом коэффициенты диссоциативной рекомбинации при низких температурах (Г < 900° К [c.171]


    Реакция хлористого водорода с простыми олефинами в газовой фазе имеет высокую энергию активации, и при температурах, удобных для изучения, константа равновесия не благоприятствует присоединению [14]. С другой стороны, в органических растворителях присоединение протекает гладко и с хорошими выходами как при низкой, так и при умеренной температурах. Поскольку присоединение хлористого водорода может сопровождаться каталитическим присоединением гидроксилсодержащих растворителей, реакцию часто проводят в апротонных растворителях но иногда бывает удобно применять концентрированную соляную кислоту или, лучше, насыщенный водный раствор хлористого водорода, получаемый пропусканием тока сухого хлористого водорода через концентрированную соляную кислоту. В этих условиях концентрация ионов хлора достаточна для того, чтобы преимущественно происходило присоединение или чтобы любой образующийся спирт превращался в хлорид. Согласно опытным данным, присоединение хлористого водорода протекает значительно быстрее в случае олефинов, содержащих электронодонорные заместители. Так, например, Маасс с сотрудниками (15—18] показал, что при низких температурах в запаянных ампулах скорость присоединения хлористого водорода к изобутилену выше, чем к пропилену. Однако этот аспект реакций присоединения трудно иллюстрировать относительными скоростями, измеренными в условиях, для которых механизм установлен. [c.74]

    При - техническом использовании электронной эмиссии стремятся для катодов применять материалы, дающие при эозможно более низкой температуре и малой мощности накала возможно, брльшую электронную эмиссию, т. е. возможно больший так насыщения. Для необходимого в этом случае сравнения различных материалов можно воспользоваться измеренными при оди--наковой температуре токами насыщения. Однако с физической точки зрения такой приём неудовлетворителен. Гораздо чаще определяют физическую константу, характеризующую эмиссию, а именно работу выхода рассматриваемого материала. Измерение этой величины при различных внешних условиях, как мы увидим позже, одновременно также позволяет объяснить механизм электронной эмиссии исследуемого вещества. Поэтому очень вджно точно знать особенности. и границы применения существующих способов измерения работы выхода. [c.82]

    По соображениям, высказанным в 14, из всех методов, основанных на измерении контактной разности потенциалов, наиболее пригоден метод тока насыщения, который даёт среднюю работу выхода, определяющую собой температурную эмиссию. SitOT метод применяется преимущественно при низкой температура и малых значениях токов эмиссии, когда можно пренебречь явлениями ионной проводимости и диффузии, изменяющими сосгав слоя. Метод тока насыщения был применён Гейнце и Вагенером [152], исследовавшими оксидные слои из технической см есй окислов трёх щёлочноземельных металлов на подогревных к то дах с никелевым или платиновым керном. Они исследовали i pe-жде всего зависимость работы выхода от состояния активацяи й ря температуре около 800° К. Пример полученных при этом результатов приведён на рис. 155, где изображено изменение раб щ выхода во время активирования. В частности, измеренное эк шг авторами среднее значение работы выхода уменьшается во вр мя активирования. [c.351]



Смотреть страницы где упоминается термин Измерение тока насыщения при низких температурах: [c.206]    [c.185]    [c.213]    [c.318]    [c.344]   
Смотреть главы в:

Оксидный катод -> Измерение тока насыщения при низких температурах




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Измерение низких температур

Температура измерение



© 2025 chem21.info Реклама на сайте