Физика полупроводников

В послевоенные годы развитие в стране совершенно новых областей науки и техники - ядерной физики, физики полупроводников, квантовой электроники, ракетной и космической техники и т.д. - привело к необходимости организации метрологического обеспечения принципиально новых промышленных производств. Поскольку в тот период наиболее эффективно это можно было осуществить посредством стандартизации, правительство страны в 1954 г. приняло решение о подчинении государственной метрологической [c.185]

В терминах физики полупроводников кислотные центры представляют собой дефекты акцепторного типа, основные—донорного. [c.130]

Для физиков, работающих в области физики полупроводников, а также для физикохимиков, интересующихся вопросами адсорбции и катализа. [c.208]

Наконец, нельзя не отметить, что весь без исключения технический катализ — да и все лабораторные исследования по гетерогенному катализу -- проводились и проводятся на полупроводниках, которые с точки зрения физики полупроводников абсолютно грязные , все примесные уровни в них уже забиты и вырождены и теоретически дальнейшее введение примесей не должно сказываться на их полупроводниковых свойствах или же должно протекать по иному, не примесному механизму. Действительно, современная техника полупроводников имеет дело с материалами, в которых максимальная концентрация носителей тока 10 —10 см , что соответствует содержанию примесей 0,001—0,0001%, в то время как в лабораторном, а тем более в техническом катализе чистота полупроводниковых материалов не превышает 99,90—99,99%, а, как правило, значительно ниже. [c.36]

Д. П. Б е л о ц к и й. В сб. Вопросы металлургии и физики полупроводников.— Полупроводниковые соединения и твердые сплавы. М., Изд-во АН СССР, 1961, стр. 18. [c.130]

В. И. Рык о в. Труды по физике полупроводников, 1, 142 (1962). [c.131]

В настоящем практикуме описаны экспериментальные работы по химии и технологии полупроводников. Этот практикум базируется на лекционных курсах по основам физики полупроводников, физикохимическому анализу полупроводников (с изложением основ термодинамики растворов и гетерогенных равновесий), химии твердого тела и иолупроводников, химии кремния, а также технологии иолуировод-никовых материалов и приборов, которые читаются в течение ряда лет на кафедре общей и неорганической химии Воронежского ордена Ленина государственного университета им. Ленинского комсомола. [c.3]

Уже давно было отмечено, что проводимость приповерхностной области как легированных бором, так и не легированных (диэлектрических) алмазных пленок на воздухе часто превышает объемную проводимость алмаза [57]. Образование проводящего канала объясняли наличием поверхностных состояний на поверхности алмаза [58] (как это принято в физике полупроводников) но было вьщвинуто и электрохимическое объяснение [59]. Именно, предполагается, что на поверхности алмаза конденсируется влага в пленке воды растворены газы (например, СО ) и соли, которые образуют окислительно-восстановительную систему. Если эта система находится в электрическом равновесии с твердым телом, то при соответствующем значении электрохимического потенциала она может вызвать обогащение поверхности алмаза дырками. Аналогичным образом обстоит дело и в растворах, причем возникновение проводящего канала зависит от степени окисленности поверхности, pH раствора и других факторов [60]. Само явление образования такого канала может быть использовано при разработке электрохимического полевого транзистора , в котором ток, протекающий в канале, регулируется внешним напряжением, прикладываемым к алмазу с помощью вспомогательного электрода- сетки , находящегося в растворе [61, 62]. [c.21]

Дифференциальная емкость электрода плавно увеличивается с ростом содержания платины (рис. 43, кривая 2), что свидетельствует о появлении на поверхности электрода но при этом удельное сопротивление материала практически не меняется и составляет порядка 10 Ом см. Последнее означает, что платина не является легирующей примесью в алмазоподобном углероде в том смысле, в каком этот термин употребляется в физике полупроводников (т. е. она не повышает концентрацию носителей заряда) также не достигается и порог перколяции, т. е. частицы платины не создают непрерывной структуры, обеспечивающей протекание тока в обход углеродной матрицы (см. ниже). 1У1ожно поэтому предположить, что платина лишь ускоряет перенос зарядов на границе раздела а-С Н/раствор атомы на поверхности электрода играют роль активных мест, на которых адсорбция и электродная реакция протекают с большой скоростью. Для объяснения наблюдаемого порогового эффекта в [264] предложена модель, предполагающая неоднородный характер как проводимости в объеме пленки, так и ускоряющего действия платины на перенос заряда на границе раздела а-С Н/раствор. По способу введения платины в а-С Н, она может [c.75]

Несмотря на определенный спад исследований по медицинскому тепловидению, в России до сих пор сохранилась система переподготовки и аттестации вра-чей-термографистов, а отечественный матричный тепловизор ТКВр-ИФП (Институт Физики Полупроводников СО РАН) прошел аттестацию в качестве медицинского диагностического прибора и иснользуется в ряде клиник г. Новосибирска и других городов. [c.356]

Данлэп В. Сб. Проблемы физики полупроводников . ИЛ, 1957, стр. 87 Б. И. Б о л т а к с, С ю э X и - я н ь. Физика твердого тела, 2, вып. И, 1960, 26. [c.246]

Поверхностные состояния играют важную роль в физике полупроводников. Предположение о наличии на поверхности полупроводника большой концентрации поверхностных состояний позволило Бардину [2] объяснить чрезвычайно интересный опытный факт независимости работы выхода полупроводника от положения уровня Ферми в его объеме. В случае германия или кремния именно эти состояния (расположенные, по-видимому, на поверхности окисной пленки) ответетвенны за явления медленной релаксации, наблюдаемые в опытах по эффекту поля [3 по измерению проводимости канала а п-р-п (или р-п-р) переходе [4] и в опытах по поверхностному фотоэффекту. [c.146]

Статьи, представленные в этом сборнике, свидетельствуют об активной деятельности советских ученых, направленной на разработку научных основ подбора катализаторов, способов нахождения оптимальных катализаторов для уже применяемых процессов и открытие новых катализаторов для осуществления принципиально новых, еще не известных реакций. На решение этой задачи, имеющей огромное народно-хозяйственное и научное значение, направлены усилия химиков-каталитиков различных научных школ и направлений. Совместное применение принципов структурного и энергетического соответствия Мультиплетной теории, современных электронных представлений в физике твердого тела и в физике полупроводников, проведение комплексных экспериментальных исследований с использованием кинетических, термохимичес,ких и физико-химических методов уже привели, как показали итоги совещания, к получению ряда ценных результатов и обещают- еще большие успехи в дальнейшем. [c.3]

Шулепов С, В,, Плечев В. Н., Тезисы докладов 111 Всероссийской научной конференции по физике полупроводников и диэлектриков, Краснодар, 1963. [c.61]

У.Дэнлеп, Введение в физику полупроводников, ИЛ, 1959. — 80. В. Бью б. Фотопроводимость твердых тел, ИЛ, 1962. [c.214]