Монокристалл, определение

В виде монокристаллов определенного размера кристаллизуется очень много различных веществ, и только очень немногие из них исследовались как возможные подложки для напыленных металлов. Иногда вместо поваренной соли используют монокристалл окиси магния, так как он также расщепляется вдоль грани (100), но более термостоек, чем поваренная соль. Однако его расщепление осуществить труднее. В отношении легкости расщепления, величины поверхности, небольшой толщины и гибкости со слюдой не способен конкурировать ни один материал. Тем не менее некоторые вещества можно, как и слюду, использовать в качестве подложки и при получении эпитаксиальных пленок, например с преимущественной ориентацией граней (111) параллельно плоскости подложки в случае металлов с г. ц. к. структурой. Это гексагональные плоскости (001) графита, дисульфида молибдена и а-окиси алюминия. Для графита н дисульфида молибдена грань (001) является плоскостью спайности, но а-окись алюминия расщепить нельзя, и кристалл необходимо разрезать и полировать. Отполированная поверхность а-окиси алюминия весьма неупорядоченна и при травлении обнаруживает различные дефекты. Для получения четких картин ДМЭ необходимо неупорядоченные слои удалить ионной бомбардировкой и отжигом. Аналогичное положение, по-видимому, характерно и для других граней, получаемых разрезанием и полировкой. [c.103]

В расплавленный германий предварительно добавляют 3 незначительном количестве вещества, создающие в монокристалле определенный тип проводимости (электронную или дырочную). После создания в монокристалле определенного типа проводимости, например электронного (за счет добавок сурьмы, мышьяка и т. д.), в расплав вводят вещества, создающие дырочный тип проводимости (за счет добавок алюминия, галлия и т. д.). Таким образом, в германии создается электронно-дырочный п-р-) переход, обладающий выпрямительными свойствами по отношению к переменному току. [c.200]

Поверхностно-активные вещества, содержащиеся в среде, окружающей деформируемый монокристалл, определенным образом воздействуют на кинетику и динамику деформации в начальной пластической области до предела текучести. То, что такое воздействие действительно имеет место, видно уже из того, что предел текучести монокристалла в присутствии поверхно-стно-активных веществ понижается почти в 2 раза. Но так как этот факт—результат действия адсорбирующихся веществ в области пластических деформаций до предела текучести, то, пользуясь только этими данными, невозможно выяснить закономерности адсорбционного воздействия, в этой пластической области. [c.36]

Доля скачкообразной деформации в общей деформации монокристалла возрастает с увеличением кристаллографического сдвига. При изучении скачкообразной деформации оказалось выгодным сообщать исследуемым монокристаллам определенный заданный кристаллографический сдвиг с последующим отдыхом,— это значительно повышало воспроизводимость результатов. Скачкообразная деформация наблюдалась для всех исследованных ориентировок с отклонением плоскости скольжения от оси образца скачкообразность растет, причем наиболее сильно в области Хо — [c.67]

ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ОПРЕДЕЛЕННОЙ ФОРМЫ [c.66]

СУЩНОСТЬ СПОСОБА ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ОПРЕДЕЛЕННОЙ ФОРМЫ [c.67]

В последующем мы уделим главное внимание использованию для целей получения кристаллов определенной формы явления капиллярного формирования жидкости как простейшего и наряду с этим весьма эффективного. Дело сводится к управлению капиллярными явлениями, определяющими форму столба жидкости, который образуется за вытягиваемым из нее предметом. У образцов, кристаллизуемых из сформированной жидкости, можно регулировать структуры с помощью общеизвестных приемов съедания одного кристалла другим или затравливания и получать образцы, состоящие из одного зерна-монокристалла. В этом и заключается сущность обсуждаемого способа получения монокристаллов определенной формы. По существу, этот способ идентичен получению поликристаллических изделий пепосредственно из расплава [1—10, 32, 33], отличие заключается лишь в режимах процесса и условиях затравливания. [c.67]

Схема одного из вариантов способа выращивания монокристаллов определенной формы представлена па рис. 2 [1, 3, 12]. Отметим, что фор- [c.67]

Выращивание монокристаллов определенной формы. Степанов А. В. Проблемы современной кристаллографии. Изд-во Наука . М., 1975, стр. 66 [c.401]

Степанов А. В. Получение монокристаллов определенной формы. — Материалы I совещания по получению полупроводниковых монокристаллов способом Степанова и перспективам их применения в приборостроении. Л., ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР, 1968, с. 4—20. [c.273]

Наряду с этим типом электродов используют и мембраны, изготовленные из монокристаллов определенных солей (напри-"мер, LaFs) или из спрессованного порошка соответствующей соли (например, Ag2S). Подобные мембраны обладают высокой селективностью, обусловленной тем, что в узлах кристаллической решетки мембраны могут только размещаться ионы определенного размера и заряда. Так, мембраны, указанные в качестве примера, обладают высокой селективностью к F и S -. Так как большинство солей не обладают необходимыми механическими свойствами для [c.342]

Исследования проводились в нашем институте Фёльтером с сотрудниками. В работе применялись тонкие диски монокристаллов определенной кристаллографической ориентации, поверхность которых была подвергнута электрополировке. Кинетические измерения проводились статическим методом в вакуумной установке. [c.20]

Е. д. Щукин, Е. А. Амелина, П. А. Ребиндер. О срастании кристаллов при образовании дисперсных кристаллизационных структур А. В. Степанов. Выращивание монокристаллов определенной формы М. Г. Милъвидский, В. Б. Освенский. Получение совершенных монокристаллов Я. Е. Гегузин. Механизмы и кинетика преобразования формы включений в кристаллах Д. Е. Овсиенко. Зарождение центров кристаллизации в переохлажденных жидких металлах В. Н. Шредник. Рост кристаллов и автоэмиссионная микроскопия [c.61]