Дефекты кристаллографический сдвиг

В ряде оксидных кристаллов упорядочение дефектов происходит путем перегруппировки координационных полиэдров, в результате чего уменьшается отношение кислород — металл внутри некоторых плоскостей кристалла, которые можно рассматривать как плоскости кристаллографического сдвига [34] (рис. 2.9). Плоскость кристаллографического сдвига является поверхностью соприкосновения двухмерных блоков кристалла, имеющих более или менее неизменную идеальную структуру. Состав кристалла в це- [c.99]

Таким образом, упорядоченные дефекты связываются друг с другом, становясь менее подвижными, чем неупорядоченные. Помимо описанного механизма упорядочение дефектов может происходить путем перегруппировки координационных полиэдров. Вследствие этого уменьшается отношение кислород — металл внутри некоторых плоскостей кристаллов ферритов, рассматриваемых как плоскости кристаллографического сдвига. Сами же эти плоскости становятся поверхностями соприкосновения двух блоков кристалла, имеющих неизменную идеальную структуру. [c.41]

Рис. 2.13. Структура НеОз, спроецированная на плоскость (010) и содержащая дефекты типа антифазной границы (а) и кристаллографического сдвига б—е) в различных направлениях (Индексы ллоскостей сдвига указаны на рисунках.)

В некоторых оксидных кристаллах упорядочение дефектов происходит путем перегруппировки координационных полиэдров, в результате чего уменьшается отношение концентраций кислорода и металла внутри некоторых плоскостей кристалла, которые можно рассматривать как плоскости кристаллографического сдвига (рис. 3.9). Плоскость кристаллографического сдвига является по- [c.137]

Следует отметить, что механизм перегруппировки координационных полиэдров путем вращения, а также скольжения или отражения является умозрительным и требует доказательств. Вместе с тем такая перегруппировка не обязательно связана с наличием точечных дефектов. Более того, Д. Андерсон отрицает возможность высоких концентраций точечных дефектов в нестехио-метрических и легированных кристаллах. Новая структурная организация как результат кристаллографического сдвига в идеальной [c.145]

Представление о том, что перегруппировка координационных полиэдров путем кристаллографического сдвига всегда ведет к дискретным изменениям состава, в последние десятилетия было подвергнуто пересмотру. Существует немало систем с бесконечно адаптированной структурой, т. е. таких бинарных и более сложных кристаллов, которые сохраняют высокую структурную организацию при непрерывном изменении состава и без участия точечных дефектов. [c.146]

За последнее десятилетие изменились представления о дефектах, возникающих при восстановлении высших окислов или образовании твердых растворов с ионами, изменяющими отношение металл кислород. Австралийская школа кристаллографов обнаружила протяженные двухмерные дефекты типа дислокаций по определенным кристаллографическим плоскостям, обусловленные смещением одной плоскости относительно соседней на определенную ступень, причем если в регулярной структуре координационные полиэдры соединены вершинами, то после сдвига в плоскости сдвига они соединяются ребрами и т. п. Отношение металл кислород увеличивается без образования вакансий кислорода. Область кристалла между плоскостями сдвига является совершенной и стехиометрической. Эти представления получили подтверждение и развитие за последние годы благодаря появлению электронных микроскопов высокого разрешения, которые позволяют непосредственно наблюдать распределение координационных полиэдров в кристаллах. [c.5]

Однако локальные искажения кристаллической решетки не являются единственным видом искажений, возникающих в результате взаимодействия точечных дефектов. Упорядочение дефектов может привести к образованию сверхструктуры или структуры сдвига. Причем образование сверхструктуры происходит путем ассимиляции вакансий или внедренных атомов (ионов). Одинаковые по заряду дефекты, стремящиеся занять наиболее удаленные друг от друга позиции, по мере увеличения их концентрации под действием отталкивающих сил размещаются в вполне определенных кристаллографических узлах. [c.40]

Было показано [31—33], что взаимодействие точечных дефектов может привести и к более серьезным структурным изменениям, нежели локальные искажения решетки. Речь идет об упорядочении дефектов с образованием сверхструктуры или структуры сдвига. Первая возникает путем ассимиляции вакансий или внедренных атомов одинаковые по заряду дефекты стремятся занять более удаленные друг от друга позиции, но по мере увеличения их концентрации отталкивающие силы заставляют дефекты занимать вполне определенные кристаллографические узлы. При некоторой концентрации вакансии или внедренные атомы полностью упорядочиваются с образованием сверхструктуры. Естественно, что упорядоченные дефекты связывают друг друга они значительно менее подвижны, чем неупорядоченные и, строго говоря, не могут рассматриваться как дефекты во вновь возникшем кристаллографическом порядке. В качестве дефектов теперь выступают любые нарушения сверхструктуры, а не основной структуры, существовавшей первоначально. [c.99]

Рис. 15.1. Схема, иллюстрирующая основные области применения ПЭМВР прн исследовании твердых веществ. Д дислокация КС - кристаллографический сдвиг ДС-доменные структуры (междоменные границы в двойниках и срос-щихся кристаллах) ДУ-дефекты укладки плоскостей кристаллической рещетки.

Физическая особенность и выделенность плоскости скольжения состоит не только в том, что вдоль нее можно безболезненно произвести порождающий дислокацию сдвиг (после сдвига межатомные расстояния в окрестности плоскости скольжения остаются неизменными), но и в том, что в этой плоскости возможно сравнительно легкое перемещение дислокации. Последнее следует непосредственно из микроскопической картины дислокационного дефекта и проще всего демонстрируется с помощью схемы с лишней полуплоскостью, изображенной на рис. 86. Пусть краевая дислокация создана сдвигом на величину Ь вдоль плоскости скольжения, след которой на рис. 86 совпадает с кристаллографическим направлением АВ. Рассмотрим две конфигурации атомов вблизи ядра дислокации в случае, когда лишняя атомная полуплоскость находится в положении ММ (атомы отмечены черными кружками) и в случае, когда роль лишней кристаллической полуплоскости играет атомный слой, занимающий положение Л Л (атомы показаны светлыми кружками). [c.252]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология