Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Растворение полого шара

    Более новые расчеты изменения растворителем уровней энергии растворенных молекул красителя привели к уравнениям, которые показывают, что зависимость волнового числа поглощения от растворителя определяется в основном дисперсионным и поляризационным взаимодействиями (ориентационная и деформационная поляризация) субстрата и растворителя. Все расчеты используют одинаковые упрощения аппроксимация электрического поля в точке расположения растворенной молекулы при помощи реактивного поля Онзагера представление растворенной молекулы красителя в виде шара или эллипсоида, в центре которого расположен точечный диполь рассмотрение растворителя как изотропного, гомогенного непрерывного диэлектрического пространства пренебрежение всеми специфическими взаимодействиями, например образованием водородных связей и донорно-акцепторными взаимодействиями. [c.101]


    Растворение шаровидных кристаллов протекает существенно иначе. Плоские грани при этом не возникают, и в конце остается тело, ограниченное искривленными поверхностямп, которые соприкасаются друг с другом по более или менее острым ребрам и углам. При полых шарах (вернее полых полушариях), наоборот, растворение приводит к плоскому огранению, в то время как рост ведет к нерегулярному огранепию. [c.108]

    Длительность измерения коэффициента сокристаллизации вынудила к разработке способов интенсификации процесса спонтанной перекристаллизации. Для этого воздействовали на сокристал-лизующуюся систему, применив различные возмущающие факторы, как, например, кипячение, ультразвук, вибрацию, электролиз, принудительное возбуждение потоков роста и растворения и т. д. Так, И. В. Коршунов, Ю. С. Поликарпов [16] ускоряли перекристаллизацию диспергированием укрупняющейся твердой фазы ультразвуковым полем, Н. Б. Михеев [17] — дроблением осадка в процессе соосаждения вибрирующими стальными шарами  [c.6]

    Эксперимент с растворением шара, в отличие от опыта с ростом, до сих пор не получил обстоятельной молекулярно-теоретической трактовки. Поэтому мы ограничимся противопоставлением областей, соответствующих истинным граням роста, остальным частям поверхности. Строительные элементы в гранях роста связаны прочнее, чем во всех других участках поверхности. С этим согласуется тот факт, что на этих гранях их связь самая слабая. Согласно (7) сумма работ отделения от блока и из верхней плоскости блока равна работе, требуемой для изъятия строительного элемента из объема решетки таким образом, (бо —eaд) — —(ео — бвн) = 2(ёо — е ). Чем меньше одно из слагаемых, тем больше другое. Строительные элементы, способные к отделению, появляются только тогда, когда в верхней плоскости решетки возникает люк. Наименьшая ямка, у которой краевые строительные элементы характеризуются средним значением х > Х1 СЦиоо представляет собой двумерный полый зародыш. Можно убедиться, что полый зародыш при недосыщении А[х по форме и величине в точности совпадает с двумерным зародышем на плоскости решетки при том же по величине пересыщении. Для других частей поверхности такая работа образования двумерного полого зародыша отсутствует, и поэтому на них отделение строительных элементов протекает легче. Отсюда следует, что растворение истинных граней роста должно протекать постепенно, начинаясь у краев. Условия для образования плоских граней везде отсутствуют и в результате возникает тело с закругленной поверхностью, на котором области истинных граней роста выступают в виде тупых углов или ребер. [c.112]



Кинетика образования новой фазы (1986) -- [ c.112 ]




ПОИСК







© 2024 chem21.info Реклама на сайте