Грани роста истинные

Выявляющееся различие в поведении граней мы определим следующим образом грани первого рода —это молекулярно-плоские грани, на которых отдельно посаженный строительный элемент характеризуется величиной Pi > Mi (Хц , и для достижения условия я, = Hl требуются добавочные связи этого элемента по двум боковым направлениям, т. е. связь в трех пространственных направлениях. Наименьший молекулярный агрегат, удовлетворяющий этому условию, не содержащий ни одного слабее связанного строительного элемента, является двумерным зародышем длина его внешнего ряда равна длине одномерного зародыша. Можно видеть, что грани первого рода, это те самые, которые мы выше обозначили как сохраняющиеся или истинные грани роста. В предельном случае минимального пересыщения (Pi Hii ) на конечном теле роста присутствуют все возможные истинные грани. Но мере увеличения Hi число этих граней падает, так что на конечном теле они сокращаются до углов и ребер, где связь последнего строительного элемента в одном или, соответственно, в двух пространственных направлениях начинает [c.109]

Напротив, стенка полого шара в ходе отделения строительных элементов постепенно покрывается плоскими гранями, подобными истинным граням роста выпуклого кристалла. В процессе удаления более легко освобождающихся строительных элементов [c.112]

Из сказанного выше видно, что молекулярно-теоретические соотношения, описывающие процессы роста, если не ограничиваться истинными гранями, весьма сложны даже в случае простейшей решетки. Эксперимент с ростом шара, задуманный для выявления простых соотношений, оказывается в действительности случаем, сложным для анализа. [c.112]

Поляризацией мы называем сдвиг потенциала от исходного равновесного значения, отвечающий определенной плотности тока. Вопрос о поляризации при восстановлений металлов осложнен тем, что истинная плотность тока может быть определена далеко не во всех случаях. Рост кристаллов, образование новых зародышей, адсорбционная пассивация отдельных граней, сосредоточение роста грани не на всей ее поверхности, а на сравнительно узком фронте роста очередного слоя, — все это приводит к тому, что действительно активная поверхность металла остается обычно неизвестной и изменяющейся во времени. Вследствие этого определение рациональной зависимости между /к и —Дф часто представляет большие трудности. [c.514]

Влияние примесей проявляется и в процессе роста монокристалла серебра. При осаждении серебра малыми токами на катоде растет один кристалл в виде нити. Такая форма роста связана с различием в энергии адсорбции ПАВ на разных гранях кристалла. Грани, на которых адсорбируются ПАВ, не растут растет лишь та грань, на которой энергия адсорбции мала. Если изменить плотность тока (рис. 12.9), например увеличить ее, то в первый момент времени перенапряжение возрастет, а затем установится такое же, какое было до изменения плотности тока. При этом диаметр монокристалла увеличится. При уменьшении плотности тока перенапряжение сначала снизится, а затем повысится, достигая прежнего значения, и диаметр монокристалла станет меньше. Поперечное сечение монокристалла устанавливается таким, что плотность тока при изменении общего тока остается постоянной. При этом истинная плотность тока сильно возрастает с ростом концентрации органических добавок и не зависит от концентрации ионов серебра в растворе. [c.336]

Для сорбции примеси характерным является неравномерность ее захвата растущими частицами по двум причинам. Во-первых, из-за полидисперсности образующихся частиц, вызванной тем, что их истинный рост, согласно обобщению Николаева (см. гл. 7), имеет предел, связанный с агрегацией частиц. Полидисперсность частиц приводит к различию в степени несовершенства структуры отдельных мелких и агрегированных частиц и в концентрации в них разного рода дефектов (вакансий, дислокаций, деформированных участков структуры). Во-вторых, из-за различия в доступности сорбируемой примеси к разным участкам и граням кристаллических частиц, быстро растущих в сильно пересыщенных растворах. Это вызвано, в первую очередь, изменчивостью электрического рельефа поверхности частиц (см. гл. 2), тесно связанного с концентрацией дефектов, перечисленных выше, в несовершенной структуре частиц. Чем выше содержание структурных дефектов в объеме, тем больше подвижность сорбированной примеси как в объеме, так и на поверхности частиц. Все это приводит к тому, что на втором этапе осаждения примесь преимущественно локализуется вблизи структурных дефектов и неравномерно распределяется в объеме и на поверхности частиц. [c.140]

Мы полагаем также, что при недостатке ионов у катода, отдельные грани кристаллов, прекратившие свой рост, пассивируются после восстановления необходимой копцентрации ионов на этих гранях возникают новые кристаллы, которые растут также недолго. Чередование процессов роста и пассивирования кристаллов приводит к тому, что скопления отдельных мелких конгломератов кристаллов оказываются непрочно связанными друг с другом и с поверхностью катода. После значительного увеличения поверхности и снижения истинной плотности тока дальнейшее развитие губки продолжается и иногда усиливается влиянием структуры подслоя. [c.263]

Для нормального роста кристалла серебра, как это было показано выше, необходимо равномерное увеличение силы тока соответственно росту его поверхности. При постоянной силе тока в цепи, вследствие роста поверхности кристалла, истинная плотность тока уменьшается, в результате чего скорость адсорбции чужеродных частиц становится соизмеримой со скоростью осаждения металла. После этого величина активной поверхности не изменяется и выделение металла происходит только на некоторых его гранях. Растущий кристалл при этом превращается в иглу или нить с постоянным сечением (рис. 10). Металл выделяется только на конце нитеобразного кристалла, поскольку боковые его грани в результате адсорбции чужеродных частиц пассивны [2, 18]. Поперечное сечение нити зависит, таким образом, от степени чистоты электролита. Чем более тщательно очищен электролит, тем [c.24]

Наряду со сказанным надо отметить ряд экспериментальных фактов, выявленных в специально поставленных опытах, и относящихся главным образом к области небольших пересыщений. Из этих опытов особого внимания заслуживают те, в которых процессы роста и растворения протекали на кристаллах, в исходном состоянии ил1евших форму выпуклой или вогнутой сферы, и, следовательно, в этих процессах принимали участие все мыслимые тины граней. С этих опытов мы и начнем. Внешней фазой во всех этих опытах был раствор, и уже это определяет трудности теоретической интерпретации экспериментов, выводы из которых могут однако иметь общее зпачепие. Шлифованные или полированные кристаллические шары в процессах роста становятся матовыми, за исключением определенно ориентированных блестящих и мерцающих областей. На матовых участках поверхность продвигается вперед быстрее. В результате возникает ограпение кристалла плоскими гранями. В дальнейшем грани распространяются, а матовые промежуточные области сокращаются в конце концов образуются углы и ребра. Одновременно выявляются различия в скоростях роста граней, что приводит в итоге к исчезновению наиболее быстро растущих из них. Конечная форма роста, таким образом, оказывается ограниченной только некоторым — относительно малым — числом плоских граней в дальнейшем эта форма сохраняется неизменной. Отсюда следует, что мы можем различать три вида поверхностных мест 1) сохраняющиеся на кристалле истинные грани роста-, 2) промежуточные грани роста, 3) не четко выраженные части поверхности. [c.107]

Эксперимент с растворением шара, в отличие от опыта с ростом, до сих пор не получил обстоятельной молекулярно-теоретической трактовки. Поэтому мы ограничимся противопоставлением областей, соответствующих истинным граням роста, остальным частям поверхности. Строительные элементы в гранях роста связаны прочнее, чем во всех других участках поверхности. С этим согласуется тот факт, что на этих гранях их связь самая слабая. Согласно (7) сумма работ отделения от блока и из верхней плоскости блока равна работе, требуемой для изъятия строительного элемента из объема решетки таким образом, (бо —eaд) — —(ео — бвн) = 2(ёо — е ). Чем меньше одно из слагаемых, тем больше другое. Строительные элементы, способные к отделению, появляются только тогда, когда в верхней плоскости решетки возникает люк. Наименьшая ямка, у которой краевые строительные элементы характеризуются средним значением х > Х1 СЦиоо представляет собой двумерный полый зародыш. Можно убедиться, что полый зародыш при недосыщении А[х по форме и величине в точности совпадает с двумерным зародышем на плоскости решетки при том же по величине пересыщении. Для других частей поверхности такая работа образования двумерного полого зародыша отсутствует, и поэтому на них отделение строительных элементов протекает легче. Отсюда следует, что растворение истинных граней роста должно протекать постепенно, начинаясь у краев. Условия для образования плоских граней везде отсутствуют и в результате возникает тело с закругленной поверхностью, на котором области истинных граней роста выступают в виде тупых углов или ребер. [c.112]

Этот вопрос обсуждался Майерсом [Miers, 1902]. Если измерять на гониометре углы главных граней хорошо выращенного кристалла, то оказывается, что иногда они в точности равны углам, которые определяются индексами Миллера этих граней, в пределах нескольких угловых минут. Однако это не всегда так, иногда грани отклоняются от правильного положения до 20. С точки зрения механизмов роста, рассмотренных в этой главе, такие отклонения не вызывают удивления. Насколько грань будет действительно плоской, зависит, как это было показано, от отношения высоты ступеней к интервалу между ступенями (раздел 1.1). Только еслп это отношение очень мало, грань будет истинно плоской. С увеличением отношения положение грани будет прогрессивно отклоняться от положения, диктуемого ее индексами Миллера. [c.209]

В зависимости от условий электролиза, природы металла, присутствия в растворе поверхностно активных вешеств с ростом кристаллов меняются, как выше указывалось, аффективная поляризация и истинная плотность тока, возникают условия отмирания граней. В результате получаются осадки металлов различных структурных характеристик, с различными размерами кристгллов. [c.95]

Положения, развиваемые К. М. Горбуновой и П. Д. Данковым, отражают результаты микрофотопрафических исследований, представляющих процесс роста кристаллов посредством послойного образования двухмерных зародышей. Подробные исследования роста кристаллов были предприняты Р. Каишевым на примере серебра. Наблюдения показали, что кубические грани серебряных монокристаллов чаще всего растут спиральными фронтами. Условия роста спиралей можно менять, изменяя силу поляризующего тока. Было показано, что хотя истинная плотность тока остается практически постоянной при различных перенапряжениях, кажущаяся плотность тока возрастает с ростом перенапряжения за счет возрастания числа витков спирали. [c.366]

При выращивании кристаллов кварца (с использованием затравок 2- или х-среза, удлиненных по оси у) на них часто образуются довольно большие по объему пирамиды роста граней положительных тригональных дипирамид <-Ь5>. Истинный символ этих граней пока не установлен. Измерение их ориентации с помощью прикладного гониометра дает углы, не позволяющие приписать им простой символ. Ближе всего эти поверхности к рациональной плоскости (Г122). Эти пирамиды обычно весьма активно захватывают структурную примесь алюминия и при 98 [c.98]

Бихромат калия К2СГ2О7. Моноклинный. Сложная огранка. Интересен как вещество, которое обнаруживает свою истинную симметрию (отсутствие центра симметрии) благодаря особенностям роста кристаллов одна из пар противоположных граней резко отличается по дефектности, а одна из этих граней не растет при небольших пересыщениях. После выдержки раствора выше 50° С кристаллы растут при комнатной температуре более симметричными при отсутствии заметных изменений в структуре кристалла. [c.188]

От геометрической поверхности переходят к истинной или адсорбционной поверхности, умножая ее на фактор шероховатости , величину которого принимают равной единице для поверхности жидкости и близкой к единице для непористых порошков [401 (см. подраздел В данного раздела — определение пористости). Однако неясно, какой величиной этого множителя нужно пользоваться для массивных металлов. Часто пользовались дробными множителями между 1 и 2, однако Ридил, Боуден и их сотрудники [41] показали, что для протянутых или подвергавшихся электрополировке металлов этот множитель равен 3 или большей величине, которая может достигать 13 для свежеотполированного никеля. В принципе подробные сведения о шероховатости поверхности можно получить при помощи многолучевой интерферометрии [42] или электронномикроскопического изучения методом оттенения. В ин-терферометрическом методе поверхность помещают вблизи оптически гладкой поверхности кварца таким образом, чтобы образовался тонкий клин, который дает интерференционные полосы (получаемые при отражении или пропускании), смещаемые неправильностями поверхности. Если исследуемая поверхность и плоскость покрыты тонким однородным слоем серебра, нанесенным на них испарением, то картина интерференционных полос, образуемых многократным отражением, становится более ясной. Топография поверхности может быть получена контурнрованием через интервалы по 30. В методе оттенения проекции выступов или впадин проявляются после того, как их склоны или ступени покроют атомами золота из молекулярного пучка, направленного под косым углом к поверхности. Подобного рода исследования проводились для того, чтобы детально проследить изменения, происходящие при росте кристаллов и образовании пленок металлов, а определение таким способом фактора шероховатости едва ли целесообразно. С другой стороны, подробные сведения о топографии поверхности монокристаллов, вероятно, важны для отнесения активности их граней за счет поверхностных дислокаций, выступов, изломов и т. п. [c.168]

Действительно, представление Эрдей-Груц о механизме электродного выделения металлов нельзя считать обоснованным. При выделении металлов, имеется ряд побочных явлений, усложняющих картину, поэтому по простым поляризационным кривым трудно судить о механизме процесса. При малых перенапряжениях сказывается обратный процесс, при больших — проявляется концентрационная поляризация. Вследствие выделения металла истинная величина поверхности электрода непрерывно изменяется во времени. Кроме того, было обнаружено, что металл выделяется не одновременно на всей грани, а слоями, граница которых постепенно проходит через всю грань (ступенчатый рост). В последнее время применяют особые приемы, например осциллографи-ческий метод измерения поляризации, позволяющий производить измерения [c.613]

VII.61. Киртисинг использовал также другой метод, в котором кристалл салола нарастал вокруг проволоки термопары. По мере того, как растущая грань кристалла приближалась к спаю термопары, температура возрастала, но возрастание резко прекращалось, как только термопара врастала в кристалл. Эта постоянная величина и принималась за истинное значение температуры на поверхности. Этот метод, который часто использовался и другими исследователями, кажется грубым, но он дает разумные и согласующиеся результаты. Присутствие термопары, но-видимому, не существенно влияет на скорость роста кристалла. Для салола [c.240]

В литературе неоднократно обсуждался вопрос о механизме вхождения ( встраивания ) частиц металла в активные места растущего кристалла, а также о механизме обратного процесса — анодной деструкции (или электродекристаллизации ) металлического кристалла. При малых плотностях тока в случае металлов, у которых разряд ионов происходит без значительного торможения, можно предположить осуществление простейшего механизма ион дегидратируется и разряжается только в тех точках поверхности, где энергия активации разряда снижена благодаря выигрышу энергии вхождения атома в кристаллическую решетку. Однако если истинная плотность тока не очень мала, то для протекания процесса по такому механизму возникает препятствие — омическое и диффузионное падение потенциала в растворе возле активных мест (например, возле отвесной части ступени роста) Если доставка ионов к местам роста благодаря этому затруднена, можно предположить, что разряд ионов происходит не только на активных местах, но (хотя с меньшей скоростью) и на остальной поверхности грани кристалла. [c.83]

Из-за роста дендри-тов при выделении металла истинная поверхность электро-да может длительное время возрастать. Экспериментально это можно установить, например, по увеличению емкости двойного слоя, измеренной с помощью переменного тока. Может возрастать на поверхности электрода число граней одних индексов и уменьшаться — других, на которых кинетика электродного процесса может иметь иные параметры. Наконец, с течением электрохимического процесса могут изменяться число активных мест па данной грани, число ступеней, связанных с выходом осей дислокаций или с образованием двухмерных зародышей. Соответственно будут меняться истинная плотность тока и иеренаиряжение разряда г р, а также омическое падение потенциала в растворе вблизи ступени роста. По мере увеличения поверхности отдельных кристалликов, растущих из зародышей, плотность тока, а значит и i-)p, уменьшается [140, 160]. Для изучения изменений поверхности в ходе электролиза все чаще применяют упомянутые осциллографические методы, позволяющие производить измерения почти мгновенно. [c.87]

OM 100 , на которых происходит рост кристалла, непрерывгю уменьшается по отношению к размеру граней с индексом 110 . Кристаллизация при 80° С позволила обнаружить. истинно ромбовидные кристаллы, а при более низких температурах (больших скоростях охлаждения) образовывались дендритные кристаллы. С ростом концентрации или молекулярного веса увеличивается температура, при которой наблюдается переход от простого однослойного кристалла к дендриту. Если во время роста [c.29]

Из изложенного видно, что в иринциие нри одновременном измерении скорости смещения ступеней спирального фронта роста и расстояния между его последовательными витками можно проследить зависимость кристаллизационного неренаиряжения у] от истинной плотности тока ц. Если известна высота ступени 8, то можно вычислить и соответствующую зависимость у] от кажущейся плотности тока г на растущей грани кристалла. [c.376]

Площадь, на которой происходит перенос, равна или меньше площади, к которой происходит диффузия, так что плотность тока обмепа на 1 см истинной поверхности, но крайней мере, в пять раз больше, чем та, которая дана в табл. 2. Ясно, что модель, возникающая из этого обсуждения, не противоречит процессу образования гладких осадков, так как приведенные здесь рассуждения касаются механизма скорость определяющей реакции ионного переноса и ее площади переноса , в то время как рост граней поверхности электрода может быть быстрым процессом для всей поверхности электрода. [c.393]

Кольшюттер и Торичелли [5] выяснили условия, при которых рост кристаллов прекращается. Они заметили, что растущий монокристалл серебра пассивируется при замедлении процесса выделения металла на его грани, (вызываемом уменьшением истинной плотности тока вследствие роста поверхности кристалла. При искусственном пассивировании серебра кратковременным прерыванием тока пассивировались лишь некоторые активные центры на кристалле. При увеличении продолжительности нахождения электрода в электролите без тока пассивированию подвергались вершины или целые грани кристалла. Наконец, при достаточно большой продолжительности нахождения электрода в электролите без тока пассивировался весь кристалл. Такая последовательность пассивирования кажется естественной, если исходить из предположения, что на вершинах кристалла атомы наиболее нена-сыщены и поэтому обладают наибольшей адсорбционной способностью. Менее активные атомы расположены на ребрах кристалла, а наименее активные — на гранях. Грани кристаллов с неодинаковой упаковкой атомов имеют различную склонность к пассивированию. [c.12]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология