Кристаллы в пленках

Расположение кристаллов в пленке [c.11]

Для электроники иногда требуется германий в виде пленочного материала на затравке (подложке) наращивается множество тончайших пленок германия, причем регулярность структуры кристалла в пленке должна быть такой же, как у затравки. Германий выделяется из иодида в результате реакции самоокисления— самовосстановления (диспропорционирования) последнего [c.180]

Для исследования и разработки низкотемпературных электролитов ртути используют способ и устройство для определения температуры фазовых переходов в пленке раствора, помещенной на поверхность жидкой ртути [44]. Температуру замерзания электролита определяют по появлению первых кристаллов в пленке электролита при охлаждении системы и пропаданию последних кристаллов при ее последующем нагреве (с целью исключения переохлаждения электролита). Этот метод требует малых затрат времени (3—5 мин), обладает высокой точностью и требует малых количеств исследуемого электролита. [c.118]

Механические свойства пленок, особенно относительное удлинение, не ухудшаются во время хранения при температуре выше комнатной. При большом содержании этого эфира, он склонен выпотевать, особенно после длительного хранения, о чем можно судить по образованию кристаллов в пленке. [c.568]

Фосфолипиды, составляющие основу клеточных мембран, относятся к жидким кристаллам. Как в любом реальном кристалле, в пленке из фосфолипидов могут быть дефекты, в месте которых и развиваются основные события структурных перестроек. Виды дефектов многообразны, но и наиболее естественным для бислоя является дефект типа сквозной гидрофильной поры. Эти поры и будут предметом дальнейшего рассмотрения (рис. 2.13). [c.48]

Существуют еще два метода получения очень чистых поверхностей металлов, которые имеют то преимущество, что позволяют в известной степени регулировать геометрию и ориентацию кристаллических плоскостей, экспонированных на поверхности. Первый из них [15—17] заключается в выращивании монокристаллов металлов и такой их обработке, прн которой экспонируется преимущественно одна кристаллическая плоскость это приводит к поверхности со строго определенным расположением атомов, но небольшой по величине площади, соответствующей нескольким квадратным сантиметрам. Во втором методе [18, 19] металл испаряется нагреванием чистой проволоки, изготовленной из данного металла, н получают пленку на охлаждаемой поверхности. Ориентацию кристаллов в пленке можно регулировать изменением условий испа-решгя, а еще лучше — соответствующим подбором веществ-подложек для пленки при этом пленки многих металлов могут иметь значительные удельные поверхности, например порядка 100 см /мг. [c.183]

Другой эффект состоит в том, что при раздуве пленки происходит повышение механических свойств вследствие молекулярной ориентации. Это связано с тем, что на молекулярном уровне характеристики растяжения выше в направлении ковалентной связи С—С в цепи, чем в поперечном направлении, где доминируют намного более слабые ван-дер-ваальсовы связи. Поскольку кристаллы в пленках из ПЭНП ориентированны преимущественно в продольном направлении, нагрузка, приложенная продольном направлении, дает более высокие значения прочности на разрыв, чем нагрузка, приложенная в поперечном направле- [c.315]

Таким же образом по электронограм-мам на отражение оценивали размер частиц на поверхности раздела металл — СиО. Размер кристаллов в более толстых оксидных пленках (толщиной в 0,25 0,7 и 1,0 мкм) оценивался по электронным микрофотографиям угольных реплик после удаления с поверхности оксидных пленок игольчатого слоя. Размер кристаллов в пленках толщиной 0,7 и [c.72]

Как видно из таблицы, кварц и сульфид цинка имеют одинаковую координацию в кристаллическом и пленочном состоянии, тогда как AljOj и Сар2 при переходе из кристалла в пленку понижают свои ПП и, следовательно, КЧ. Таким образом, ПП зависят от ковалентности связи (а значит, и валентности атомов) и КЧ. Аналитическая форма этой зависимости была дана Уэмплом и Ди Доменико [111, 208-210] [c.165]

Рис. 65. Кристаллы в пленке каучука, ох аждавшейся в течение двух недель при —25°. Скрещенные нико-ли. Увеличение в 75 раз.

Твердость. Твердость материала измеряется величиной продавливания, т. е. ее характеризует модуль при незначительных удлинениях. Следовательно, наличие кристаллизации можно установить по повышению твердости. Ван-Россем и Лотичиус [115] нашли, что при плавлении кристаллов в пленке латексного каучука твердость по Шору падает приблизительно с 85 до 30. Беккедал и Вуд [14] считают, что при кристаллизации вулканизованного каучука твердость по Шору повышается с 40 до 80. [c.94]

Для того чтобы количественно оцепить изменеппе скорости роста кристаллов в пленке под влиянием различных факторов, была разработана следующая методика измо]1епия. [c.763]

На, рис. 62 и 63 показаны негативные изображения реялик. Выступающие на поверхности препаратов кристаллы в пленке репликг уг-7 усле л , пь г. гчт г К оп . . 8 > п с. <н - [c.251]

Интерметаллические соединения М1А1д и СОзА , в сплавах А1—N1 и А1—Со не растворяются или мало растворяются в серной кислоте в процессе анодного окисления, что способствует накапливанию этих кристаллов в пленке и подъему анодного напряжения. [c.120]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология