Импеданса анализ на комплексной плоскости

Анализ этого выражения, а также разделенного на действительную R = Re(Z) и мнимую X = Im(Z) составляющие импеданса сложен и неудобен. Чаще анализируется годограф - представление импеданса на комплексной плоскости, - который в ряде случаев позволяет упростить задачу оценки кинетических параметров электрохимических процессов или просто найти некоторый набор параметров для характеристики состояния источника тока. Годограф импеданса электрохимической системы показан на рис. 8.5. [c.218]

К ВПТ-С тесно примыкает метод комплексной плоскости, основанный на изучении зависимости реактивной составляющей импеданса 2 (или его обратной величины — адмитанса) цепи ячейки от активной составляющей Еа при изменении частоты, концентрации или потенциала [13]. Этот метод позволяет изучать кинетику сопутствующих химических реакций, адсорбцию различных веществ на электроде и другие процессы. Зависимость 2г/2д от потенциала используют для анализа -в методе так называемой фазовой вольтамперометрии переменного тока (Ф-ВПТ). При концентрации ЭАВ менее 10 Л4 отношение /аА я представляет собой угол сдвига фаз между активной составляющей тока ячейки (или поляризующим переменным напряжением) и полным током ячейки с погрешностью, не превышающей 7 %. Величина этого угла при потенциале пика прямо пропорциональна концентрации. Ф-ВПТ позволяет определять очень низкие концентрации ЭАВ [2-10 М цинка (II)] [14]. Однако практического применения для лабораторных анализов этот метод пока не нашел. Имеются лишь отдельные приборы промышленного изготовления, применяющиеся для непрерывного контроля технологических процессов, типа Фаза [3]. [c.35]

Метод анализа импеданса на комплексной плоскости пригоден лишь при условии применимости рис. 20 с независимой от частоты, однако он вовсе не требует независимости от объемных концентраций реагирующих частиц. Слюйтерс и сотр. [537, 561], при менявшие этот метод анализа импеданса к электродным системам как при наличии, так и в отсутствие специфической адсорбции, за ключили, что для систем со слабой специфической адсорбцией реагентов (или вовсе без нее) нефарадеевская емкость по существу не зависима от частоты. Примерами таких систем являются d(Hg)l и Zn(Hg) Zn в растворе K l [533, 534], а также Tl(Hg) Tl в растворе KNO [535]. [c.247]

Анализ результатов измерений состоит в построении диаграмм Коул—Коул, которые представляют собой зависимость в комплексной плоскости реактивной составляющей импеданса (1/С зм а) от активной Данная диаграмма для эквивалентной схемы (рис. 4.35) имеет вид полуокружности, центр которой лежит на оси абсцисс и смещен относительно начала координат на величину Яр. а Ч--Рр, в радиус раве / р. Схематически это показано на рис. 4.36. [c.267]

Чтобы не прибегать к предположению о независимости от наличия реагента, надо провести полный векторный анализ измерен ного импеданса ячейки в зависимости от частоты. С этой целью Слюй терс и сотр. [479, 480, 529, 531, 533, 536, 538] использовали особен но удобный подход, основанный на построении графика зависимости емкостной составляющей импеданса от его омической составляющей, что соответствует анализу на комплексной плоскости. Если замед ленной стадией является лишь перенос заряда, то взаимная зависи мость емкостной и омической составляющих описывается полуок ружностью (рис, 21, а). Нефарадеевскую емкостную составляющую можно определить по частоте со , соответствующей верхней точке [c.246]

При исследованиях на частотах 10 Гц и выше возможно несколько альтернативных подходов. Амплитуды радиочастотного напряжения на поверхности электрода в уравнениях (120) и (122) можно заменить на 0 = 0 1 1- абсолютная величина элекчродного импеданса, а - амплитуда радиочастотного тока, которую легко измерить. В свою очередь импеданс Z можно представить в виде точной функции С , (г р) , а, 0 , 0 и со, а не просто приравнивать величине 1,/(соС ), как делалось ранее. В полученных уравнениях для можно определить путем измерения импеданса на более низких частотах в присутствии реагентов, например методом анализа на комплексной плоскости. При этом предполагается, что измеренное при наличии реагирующих частиц значение не зависит от частоты. После этого значения ( ) и а в выражениях для АЁ находят путем сравнения с этим уравнением экспериментальных данных по АЁ /(/ ) , полученных при разных частотах и желательно при различных отношениях концентраций частиц О и К. Этот подход обсуждался Де Ливи и др. [151], которые также описали численные и графические методы определения ( ) , и а. [c.262]

Подобный анализ результатов, полученных путем преобразования комплексной составляющей импеданса неизменной толщи стекла на плоскости комплексного адмиттанса, показал, что адмит-танс при низких частотах прямо пропорционален частоте — [c.286]