Плотность рентгеновская

Для расчета кривых распределения определяются относительные значения плотностей рентгеновского почернения по кругу (рис. 4.27) путем микрофотометрирования рентгенограмм (в пределах углов от О до 180°). По измеренным значениям АВ микро-фотометрической кривой (рис. 4.28) и известной величине сдвига (в мм), соответствующей Г, вычисляется угол полушироты Н [c.87]

Обсуждение понятий, входящих в определение глубины области генерации рентгеновского излучения, подытоживается на рис. 3.43. На этом рисунке приводится сравнение глубины области генерации линии Ка алюминия, линии Ка меди в матрице с плотностью 3 г/см (например, алюминий) и в матрице с плотностью —10 г/смз (например, медь, никель) при одной и той же энергии пучка. В матрице с низкой плотностью рентгеновское излучение как алюминия, так и меди образуется иа больших глубинах, чем в матрице с высокой плотностью. Кроме [c.83]

При обсуждении глубины генерации рентгеновского излучения нужно помнить, что плотность генерации рентгеновского излучения на единицу объема не является постоянной по всей области взаимодействия. Плотность генерации связана с числом и длиной электронных траекторий на единицу объема и средним перенапряжением. Генерация рентгеновского излучения в зависимости от координаты по глубине в образце известна как функция ц>(рЕ). На рис. 3.44 образец предполагался разделенным по глубине на слои равной толщины. По мере прохождения падающим пучком этих слоев длина траектории в каждом последующем слое возрастает вследствие того, что, во-первых, за счет упругого рассеяния электрон отклоняется от движения по нормали, что приводит к удлинению пути через слой, и, во-вторых, отражение приводит к тому, что электрон пересекает слой в противоположном направлении. Таким образом, генерация рентгеновского излучения проходит через максимум на некоторой глубине, а затем уменьшается, так как потеря энергии и отражение уменьшают число электронов с углублением внутрь объекта. Более того, из сечения, приведенного на рис. 3.39, видно, что электроны при перенапряжении 4 дают наиболее существенный вклад в генерацию рентгеновского излучения. Таким образом, видно, что плотность рентгеновского излучения существенно меняется с глубиной. Для целей анализа функции ф(р2) является более точным описанием распределения генерации рентгеновского излучения по глубине. [c.85]

Данные определения степени кристалличности по, плотности, рентгеновской дифракции и т. п. могут быть использованы для оценки характера распределения узлов разветвлений между кристаллическими участками и поверхностным слоем. Было обнаружено, что для кристаллов образца, содержаш его метильных групп 17,2/1000 С, их число в кристаллической фазе составляет 4,3/1000 С, а в поверхностном слое — 48/1000 С в образце, содержащем про-пильных групп 11,5/1000 С, последние не входят в кристаллическую решетку, а их содержание в поверхностном слое достигает 39/1000 С. Следует, однако, заметить, что полученные значения, как уже указывалось выше, зависят также от условий кристаллизации. [c.243]

Плотность. Рентгеновская плотность бария р=3,594 Мг/м пикнометрическая плотность р = 3,5 Мг/м . Плотность при 1000 К Р= =3,32 Мг/м Изменение плотности бария при плавлении 0,0526 кг/(мЗ-К). [c.117]

Плотность. Плотность (рентгеновская) а-Н(1 р = 7,003 Мг/м , p-Nd р=6,80 Мг/м . Плотность -N(1 (пикнометрическая) р = 6,908 Мг/м . [c.563]

Плотность. Плотность (рентгеновская) а—Gd р = 7,886 Мг/м пикнометрическая р=7,96 Мг/м [c.574]

Плотность Плотность (рентгеновская) эрбия р = 9,045 Мг/м , пикнометрическая р=9,040 Мг/м1 [c.586]

Плотность рентгеновских лучей для этого полимера рассчитана путем интерпретации экваториальных рефлексов на основе наклонной ячейки с [c.22]

V—ЧИСЛО мономерных звеньев, приходящихся на одну элементарную ячейку, плотность рентгеновского излучения. [c.144]

Имеется еще одно важное дополнительное условие. Псевдоожиженный слой является динамической системой, причем скорость движения твердых частиц и- газовых пузырей равна нескольким десяткам сантиметров в 1с. Для получения требуемого сигнала за промежуток времени, достаточно малый по сравнению с необходимым для изменения положения пузыря, нужна высокая плотность рентгеновского излучения. Фотоны не только должны иметь энергию, необходимую для проникновения через слой заданной толщины, но достаточное их число должно достигать экрана или фотопластинки, дабы можно было получить изображение, например, за 0,01 с. Это означает, что сила анодного тока должна составлять несколько сот миллиампер, что близко к пределу для медицинского оборудования и на порядок выше, чем в аппаратах для исследования сварных швов. [c.129]

И Е , обусловленным прошедшим светом интенсивности и I - Примем, что значение в точке D отвечает фону плюс собственная плотность рентгеновских интерференций от плоскостей кристалла, соответствуюш ая иптен--сивности 1 . [c.21]

Атом- Эле- Плотность рентгеновская 3 Плотность пикнометри- ческая Изменение плотности Примечание Литера- [c.68]

Для независимого определения степени кристалличности полимеров необходимо знать теплоту плавления полностью закристаллизованного полимера. Такие данные для полимеров, как правило, отсутствуют. Лишь для линейного полиэтилена эта величина определена путем экстраполяции значений теплот плавления низкомолекулярных н-парафинов на цепь бесконечной длины она составляет примерно 293 кДж/кг [147]. Поэтому обычно для расчета на основании этого уравнения используют другой путь. Степень кристалличности находят при определенной температуре другими методами (по данным измерения плотности, рентгеновским методом и др.) и, используя эти значения, рассчитывают ДЯпд. [c.101]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология