Цеолиты, аммонийные формы дегидроксилирование

Изучение ЯМР-спектров цеолитов показало, что после дегидроксилирования при 500 °С в каждой элементарной ячейке присутствует от 19,5 до 24 атомов водорода. Этот факт нельзя объяснить исходя из классической модели, поскольку остаточное содержание протонов слишком велико. Кроме того, был сделан вывод, что в исходном цеолите суш ествуют 2 типа ионов аммония, однако стехиометрия разложения аммонийной формы согласуется с классической картиной декатионирования. [c.492]

Исследована термическая стабильность структурных гидроксильных групп и кислотных центров декатионированных цеолитов. Присутствие обменного катиона Mg + повышает температуру разложения иона NH4+ аммонийных цеолитов и последующего дегидроксилирования цеолита [75, ПО]. Установлено [54], что декатионированные формы цеолита У обладают большей кислотностью, чем цеолиты X. Для случая цеолитов СаУ и MgY кислотность возрастает линейно с ростом содержания алюминия в цеолите. [c.370]

Ряд интересных данных по адсорбции бутена получен при исследовании реакций алкилирования на цеолите Y [219]. Аммонийные формы цеолита У предварительно обрабатывали при температурах от 300 до 700° С. В отличие от авторов работы [217] Уикс и сотр. [219] исследовали адсорбцию при комнатной температуре и равновесном давлении бутена-1 20 мм рт. ст. Избыток паров бутена-Г удаляли путем 30-минутного вакуумирования образца при комнатной температуре. Как правило, цеолиты необратимо удерживали 20% адсорбированного бутена. Сразу после напуска паров бутена на цеолит в ИК-спектрах наблюдались полосы, указывающие на то, что бутен-1 частично Т1зомеризуется до бутена-2. Обнаружены полосы поглощения связей С= С в молекулах бутена-1 и бутена-2. По мере увеличения длительности контакта бутена-1 с цеолитами из спектра исчезали полосы связей С = С и появлялись полосы при 2960, 2930, 2870, 1465, 1380 и 1365 см . Появление этих полос поглощения можно связать с присутствием адсорбированных насыщенных соединений, которые не удаляются из цеолита вакуумированием образца при комнатной температуре. В процессе образования насыщенных соединений в адсорбированной фазе полоса поглощения гидроксильных групп при 3640 см , которая при адсорбции бутена не 1енялась, уменьшшта свою интенсивность. Подобные спектры были получены при адсорбции на цеолите Y, дегидроксилированном при 700° С. Увеличение температуры десорбции до 300° С привело к появлению в спектре полос поглощения в области 2900 см , которые можно приписать образованию полимерных продуктов на поверхности цеолитов. [c.338]

Гопкинс [215] провел сравнительное изучение адсорбции н-гексана и бензола при 200°С на NaY и NH4Y. Аммонийную форму откачивали в вакууме при 280°С, если нужно было получить чистую водородную форму, и при 500°С, если изучалось влияние дегидроксилирования. При небольших заполнениях теплоты адсорбции н-гек-сана оказались близкими ( 12 ккал/моль) для всех цеолитов с увеличением степени заполнения теплоты адсорбции несколько возросли в результате взаимодействия адсорбат — адсорбат. Г опкинс считал, что молекулы адсорбируются не на катионах, а на звеньях цеолитного каркаса. Теплота адсорбции бензола на дегидроксилированном цеолите Y несколько выше (18 ккал/моль), чем на других цеолитах ( 15 ккал/моль) причем с увеличением степени заполнения теплота адсорбции на дегидроксилированном цеолите снижалась. В резуль- [c.62]

Аммонийные и водородные формы морденита и других цеолитов. Морденит характеризуется более высоким ( 5) соотношением Si/Al, чем цеолит У, и пористая структура морденита образована параллельными двумерными каналами, минимальные размеры которых 6 X 7 A меньше, чем входные окна в большие полости цеолита У ( 8 A). При нагревании НН -формы морденита сначала происходит разложение иона аммония, а затем дегидроксилирование. Данные термогравиметрического [70] и дифференциально-термического [72] анализов показали, что оба эти процесса идут в мордените при более высоких, чем в КН4У, температурах и могут частично перекрываться. Поэтому получить Н-морденит, не содержащий [c.34]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология