Кристаллы двумерные состояния энергетические

Энергетически возбужденными состояниями равновесной решетки являются только 0-мерные дефекты. Дислокации и двумерные дефекты не относятся к равновесным структурам. Они определяются условиями синтеза и пластическими деформациями кристаллов. [c.271]

Энергетически возбужденными состояниями равновесной решетки являются только 0-мерные дефекты. Ни при каких температурах дислокации и двумерные дефекты не относятся к равновесным структурам. Они определяются случайными условиями синтеза кристаллов и возникают по кинетическим причинам. Поэтому в статистической термодинамике равновесных кристаллов изучают только 0-мерные дефекты. [c.232]

При щ - 4м, >0 энергетически выгодно состояние (31.29) с одной гармоникой, соответствующее продольной синусоидальной структуре. В противоположном случае - 4 , < О выгодно состояние (31.30) с двумя сдвинутыми по фазе гармониками. Это состояние отвечает либо геликоидальной структуре, либо поперечной синусоидальной структуре. Последнее определяется выражением спиновой плотности в данном кристалле через базисные функции соответствующего двумерного представления. Как видно из выражений (31.29) и (31.30), параметр порядка меняется непрерывно в окрестности температуры фазового перехода Т , поскольку ( 0) (Г - 7 ), так что фазовый переход из исходной фазы в модулированную является переходом второго рода. [c.188]

Как и для одномерных систем, электронная вместимость энергетической зоны двумерного кристалла определяется числом (М) принимающих участие в ее образовании атомных орбиталей. Если учесть, что на каждой одноэлектронной блоховской орбитали можно разместить по два электрона с противоположными спинами, то максимальное число электронов, которое может вместить данная зона, будет равно 2К Допустим, что в рассматриваемом нами случае каждая 15 -орбиталь содержит по одному электрону. Тогда из состояний энергетической зоны целиком будет заполнена лищь половина. [c.68]

С другой стороны, в 1927—1928 гг. Косселем и Странским был развит молекулярно-кинетический подход к рассмотрению кристаллизационных явлений. Важную роль в их теории играет так называемое положение на половине кристалла . Это положение является самовоспроизводимым если кристалл достаточно большой, то присоединение или отрыв одной частицы от этого полонгеиия не вызывает никаких изменений — ни геометрических, ни энергетических. При равновесии с окружающей средой вероятности присоединения и отрыва от положения на половине кристалла равны между собой и работа отрыва одной частицы равна энергии решетки кристалла (на одну частицу). Эти свойства положения полукристалла превращают его в своеобразный эталон сравнения вероятностей элементарных процессов отрыва и присоединения и к другим местам на поверхности кристалла. Таким образом, из данных определения работ отрыва частиц при различных их положениях на кристаллической поверхности выявились важные следствия о структуре разного типа кристаллографических граней как в состоянии равновесия, так и при их росте или растворении, т. е. была создана наглядная полуколичественная картина всего процесса кристаллизации. Из нее следует, что рост плотпоупакованных граней кристалла энергетически затруднен из-за необходимости предварительного образования стабильных в отношении дальнейшего роста двумерных комплексов. Однако на этом этапе внутренняя связь между трактовками Косселя — Странского и Фольмера оставалась невыясненной. [c.5]

В связи с этим и исходя из новых физических представлений о воде как гетерофазной ион-кристаллической системе под термином активация следует понимать процесс изменения структурно-физических, энергетических и магнито-электрических свойств гетерофаз связанного состояния вещества (гетерофаза - метастабильная фаза с двумерной организацией структуры) в составе жидкофазных систем, включая воду, водные растворы, жидкие кристаллы, аморфные материалы, полимеры и металлы под действием физических полей. [c.353]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология