Дефект двумерный

Рис. 121. Идеальный двумерный кристалл (а), дефекты по Шоттки (б), дефекты по Френкелю (в)

Двумерные дефекты — это ошибки в наложении слоев, а также границы, отделяющие различные области идеальных (или близких к ним) решеток. [c.271]

Энергетически возбужденными состояниями равновесной решетки являются только 0-мерные дефекты. Дислокации и двумерные дефекты не относятся к равновесным структурам. Они определяются условиями синтеза и пластическими деформациями кристаллов. [c.271]

На рис. 121, а изображен идеальный двумерный кристалл, находящийся в равновесии при Т = 0. На рис. 121, б изображен кристалл, в котором некоторые атомы удалены от своих нормальных положений в узлах решетки и расположены на поверхности, где они образовали новый слой нормальной кристаллической решетки. В этом случае говорят об образовании дефектов по Шоттки. Если атом кристалла переходит в междоузлие (рис. 121, в), то говорят об образовании дефектов по Френкелю . Предполагается, что точки а тл Ъ расположены так далеко друг от друга, что взаимодействие между атомом в точке Ь и атомами, расположенными вокруг точки а (вакансии), отсутствуют. Таким образом, дефект по Френкелю состоит из атома в междоузлии и вакантного узла решетки, или дырки . [c.279]

Изучение вклада в реальную структуру всевозможных дефектов сталкивается с трудностями, которые обусловлены многообразием источников дефектообразования. В связи с этим необходима их систематизация, в основу которой можно положить принцип, учитывающий степень воздействия этих дефектов на диссипацию энергии в монокристаллах. На основе этого принципа всю совокупность дефектов условно можно разделить на три группы. К первой группе относятся так называемые трехмерные дефекты — всевозможные включения макроскопических размеров. Ко второй группе относятся двумерные дефекты — блочные и малоугловые границы, линии скольжения и дислокации. И, наконец, к третьей группе можно отнести одномерные дефекты вакансии, примеси, кластеры. Так как почти все вышеуказанные дефекты в монокристаллах при высоких температурах подвижны, то учесть их вклад без знания динамики дефектов практически невозможно. Несомненно, более эффективное влияние на реальную структуру оказывают дефекты третьей группы, поскольку их плотность в монокристаллах может быть очень высокой. [c.77]

Применение различных высокоразрешающих методов исследования (электронная микроскопия, дифракция электронов высокой и низкой энергии, оже-электронная спектроскопия, масс-спектроскопия) показывает, что для большинства реальных условий осаждения характерно не двумерное, а трехмерное зарождение преимущественно на электрически активных дефектах с последующей коалесценцией трехмерных островков растущей пленки (механизм Фольмера—Вебера). [c.482]

Исследование спектра колебаний показало, что в определенном интервале температур-кристалл графита ведет себя как двумерная система, в связи с чем удельная теплоемкость графита изменяется пропорционально второй степени абсолютной температуры, а не третьей, как для большинства, твердых тел. В табл. 2.12 приведены данные по удельной темплоемкости графита, а также связанных с ней функций в широком интервале температур. Хорошее совпадение многочисленных данных позволяет считать, ч о теплоемкость не зависит от мелких дефектов в кристалле, за исключением теплоемкости в области очень низких температур. [c.28]

Диссоциативная адсорбция происходит с большей скоростью на структурных дефектах, например ступенях, чем на гладких гранях. Адсорбированные атомы кислорода типа I обладают очень высокой 1>еакционной способностью по отношению к молекулам СО и На и способны превращаться в абсорбированные атомы кислорода типа II. Реакционная способность атомов кислорода типа II, находящихся в двумерном поверхностном слое оксида, значительно ниже, чем атомов кислорода типа I. При повышенных температурах наблюдается переход атомного состояния кислорода типа П в трехмерный оксид толщиной в несколько атомных слоев. Атомы кислорода оксида также значительно менее активны в отношении СО и На, чем атомы кислорода типа I. [c.701]

Системы сер. "Авгур" предусматривают прозвучивание ОК прямыми или наклонными, совмещенными или раздельными преобразователями. Для каждого шага запоминаются результаты в виде А-разверток с учетом временных задержек и истинной формы эхосигналов. Голографическое изображение дефектов получают, совместно обрабатывая массив -раз-верток в области сканирования = 50. ... .. 200 мм. Предполагается, что регистрация проводится вдоль линии (линейная голография) и изображение восстанавливается в одной плоскости (слое). При двумерном сканировании данные обрабатываются когерентно только послойно. [c.266]

Оптимизация процедуры ТК цилиндрических изделий из стеклопластика связана с теоретическим решением двумерной задачи активного ТК. В отечественной литературе имеется значительное число публикаций, в которых проанализированы основные зависимости поверхностного температурного сигнала от параметров дефекта и внешних условий. Тепловой контроль стеклопластиковых композитов явился полигоном испытаний алгоритмов решения обратных задач [15, 40, 70]. [c.327]

Размерность элемента структуры кристалла принимают за нулевую и выделяют следующие типы дефектов нульмерные, одномерные, двумерные, трехмерные [Современная кристаллография, т. 2, 1979]. [c.5]

К двумерным дефектам относятся прежде всего границы между несколько разориентированными блоками одного кристалла. При этом можно выделить два типа границ дислокационные и индукционные. [c.8]

Поверхность кристалла также входит в двумерные дефекты. Отнесения ее к числу дефектов требуют и формальные соображения (нарушение периодичности расположения элементов структуры), и искажение в расположении частиц вблизи поверхности раздела по сравнению с их расположением вдали от нее. Например, для грани куба галоидов щелочных металлов установлено [Де Бур Я. X., 1959 г.], что плоскость, проходящая через центры анионов, на 0,2 А выше плоскости, проходящей через центры катионов. На глубине кристалла эти плоскости совпадают. Расстояния анион — катион в молекулах газа [Кондратьев В. Н., 1959 г.] на 20% меньше соответствующих расстояний в кристалле, из чего следует, что в поверхностном слое кристалл должен быть уплотнен. [c.11]

Область применения системы - контроль за образованием дефектов в процессе сварки трубопроводов, резервуаров и др. мониторинг и периодический контроль объектов нефте- и газо-химического комплексов. Отличительной особенностью системы является наглядное графическое отображение зоны контроля на экране монитора персональной ЭВМ в виде двумерного изображения, на котором яркость и цвет отдельных участков характеризуют акустическую активность зоны сварки в процессе остывания последней, а следовательно, и степень ее дефектности. [c.285]

Дефекты в кристаллах принято классифицировать по их размерам точечные и атомные дефекты (нульмерные), линейные дефекты (одномерные), поверхностные дефекты (двумерные). Появление объемных дефектов соответствует выделению второй фазы и, следовательно, нарушению монокристалличности обра з-ца. В этом случае создается гетерогенная система, в которой выделившаяся фаза не оказывает непосредственного влиякия на структурно-чувствительные свойства материнской фазы, хотя свойства образца в целом претерпевают заметные и часто резкие изменения. [c.161]

В процессе адгезии играют роль поверхностные (двумерные) силы, так как в процессе участвует только тонкий приповерхностный слой жидкости. В предложенной нами модели поверхность адгезива (раствора) рассмотрена как двумерный газ полимерных молекул, а процесс адгезии - как изобарное изотермическое расширение этого газа в поле вандервальсовых и химических сил субстрата. Предполагается, что при расширении двумерного поверхностного газа заполняются поры и дефекты поверхности субстрата. В дальнейшем этот газ взаимодействует с его активными центрами. [c.11]

В работах Ю. М. Полукарова с сотр. [82] установлено, что увеличение перенапряжения катода при электроосаждении меди вызывает переход от слоисто-спирального роста осадка к образованию и росту двумерных зародышей с появлением дефектов упаковки двойникового типа добавки к электролиту меднения поверхностно активных веществ резко повышают вероятность образования дефектов упаковки, увеличивают искажения кристаллической решетки и плотность дислокаций. Заряд двойного электрического слоя ускоряет процессы возврата в тонких осадках меди (эффект Ребиндера), приводящие к появлению внутренних напряжений растяжения. Влияние электрохимических условий осаждения на состояние кристаллической решетки осадков становится определяющим при достаточно большой толщине осажденного слоя на пластически деформированной монокристал-лической подложке дефектность слоев осадка постепенно уменьшалась при утолщении слоя, а при росте осадка на подложке из граней совершенного монокристалла, наоборот, увеличивалась до значений, соответствующих условиям электролиза. [c.93]

В работах Ю. М. Полукарова с сотр. [90] установлено, что увеличение перенапряжения катода при электроосаждении меди вызывает переход от слоисто-спирального роста осадка к образованию и росту двумерных зародышей с появлением дефектов упаковки двойникового типа добавка к электролиту меднения поверхностно-активных веществ резко повышают вероятность обра- [c.96]

Все частицы в трёхмерном пространстве являются либо бозонами, либо фермионами. Волновая функция бозонов не меняется ири перестановке двух частиц, а волновая функция фермионов умножается на —1. В любом случае ири возвращении каждой из частиц на прежнее место состояние системы не меняется. В двумерных системах возможно более сложное поведение. Прежде всего заметим, что речь пойдёт не об элементарных частицах тина электрона, а о возбуждениях, или дефектах в двумерной электронной жидкости. Такие возбуждения похожи иа настоящие (т. е. элементарные) частицы, по обладают некоторыми необычными свойствами. Возбуждение может иметь дробный электрический заряд (наиример, 1/3 от заряда электрона). При движении одного возбуждения вокруг другого состояние окружающей их электронной жидкости меняется строго определённым образом, зависящим от тниа возбуждений и от топологии пути, ио ие от конкретной траектории. В простейшем случае волновая функция домножается иа число [c.15]

Двумерная спектроскопия (гл. 8-10) в общем случае очень чувствительна к дефектам спектрометра. Выполните эксперимент OSY (гл. 8) на концентрированном образце, где обычный шум пренебрежимо мал. Проанализируйте величины шума по (гл. 8, разд. 8.3.6), которые очень чувствительны к качеству спектрометра, но убедитесь, что все условия проведения эксперимента (ширины спектров, углы импульсов, задержки, режимы обработки данных и функции окна) одинаковы на сравниваемых спектрометрах и спектры не симметризованы (разд. 8.3.6). Особенно чувствительна к прибору У-спектроскопия (гл. 10) зарегисгрйруйте У-спекгр без использования EXOR Y LE и посмотрите, на тго похожи ложные пики [24, 25]. [c.258]

Попробуйте, наконец, провести эксперименты того типа, которые вы собираетесь выполнить иа этом приборе. Сначала испытайте простые образцы, свойства которых вам уже известны, а затем сложные, которые вы еще никогда не исследовали. Попробуйте очень разбавленные и очень концеитрированиые образцы (не удивляйтесь, дефекты электроники приемника могут проявиться как раз на интенсивных сигналах). Посмотрите, нет ли в спектре выбросов на частоте передатчика, других выбросов, квадратурных пиков и т.д. Получите спектр без использования фазового цикла Y LOPS й посмотрите, насколько он ухудшился. Попробуйте зарегистрировать спектр одновременно с выполнением серьезной вычислительной задачи (например, двумерного преобразования Фурье) часто компьютер или система его дисков могут наводить помехи в радиочастотном канале спектрометра. [c.258]

Как отмечено выше, теоретическая плотность железа, имеющего при комнатной температуре идеально упакованную кристаллическую решетку, может быть установлена довольно точно. Все нарушения укладки атомов в решетке (дефекты структуры) - точечные (вакансии и межуэельные атомы и их Группировки), одномерные (дислокации и дисклинации), двумерные (дефекты упаковки, границы субзерен, границы зерен и границы фаз), а также трехмерные дефекты (например, микропоры), которые по определению относятся к микроструктуре и не требуют анализа на атомном уровне, - неизбежно приводят к дилатации и изменению плотнос- и металла. Соответственно вклад дефекта в изменение удельного объе-или плотности металла может послужить оценкой значимости вклада Данного вида дефектов в изменение его субмикроструктуры. [c.97]

Тепловые методы контроля качества ориентированы на применение универсальной теплоизмерительной или тепловизионной аппаратуры для получения и переработки информации о тепловом излучении контролируемого объекта. С помощью такой аппаратуры в зависимости от потребностей можно получать одномерную или двумерную информацию, причем ее обработка производится специализированными или универсальными ЭВМ. Стало возможным подавление самого сильного мешающего фактора — вариации коэффициента теплового излучения контролируемого объекта, определяемого состоянием его поверхности. Усилия ученых и инженеров направлены в первую очередь на улучшение эксплуатационных характеристик аппаратуры теплового контроля, в частности на создание первичных измерительных преобразователей с выходным сигналом большей величины, например, за счет эффектов накопления энергии излучения, а также на применении электрического охлаждения взамен неудобной заливки жидкого азота. Важную роль имеет разработка методик проведения контроля, обеспечивающих высокую достоверность испытаний для конкретных изделий, особенно сложной конструкции. В ближайшее время значение тепловых методов в неразрушающем контроле будет возрастать в связи с разработкой качественной универсальной аппаратуры контроля и пригодности этих методов для контролй самых разнообразных материалов, промышленной продукции и решения многих задач контроля качества. Значительные расстояния, на которых тепловыми методами могут обнаруживаться дефекты энерготрасс, промышленного оборудования и других объектов, а также быстрота анализа, в том числе и с помощью ЭВМ, делает их незаменимыми для оперативного контроля. [c.359]

Данные мог)т обрабатываться несколькими способами. Один из них приведен на рис. 2.89, 6. Здесь представлено несколько сигналов, соответствующих -разверткам для нескольких положений преобразователя. Временное положение эхоимпульсов, рассеянных точечным дефектом, в зависимости от координаты преобразователя изменяется по гиперболе. Для любой выбранной области в визуализируемом сечении можно вычислить определенную гиперболу (в двумерном-SAFT), исходя из которой значение сигналов, соответствующих -развертке, "сдвигается , а затем суммируется. Полученная таким образом совокупность значений амплитуд сигналов позволяет построить сечение объекта с высоким разрешением по осям ХИ2. [c.264]

Над слаботеплопроводным дефектом, тепловой поток попадает в своего рода "ловушку" и начинает преимущественно распространяться в поперечных направления в сторону более низких "бездефектных" температур. Тогда диффузию тепла в дефектных зонах можно считать двумерной согласно уравнению [c.157]

Для довольно простого случая - маленького отражающего одинаково во все стороны дефекта (небольшое отверстие для накладок на рис. 13.6) —ход кривой амплитуд и времени прохождения при сканировании прямым искателем приведен на рис. 13.7. Кривыми, на которых, если смотреть с одной из точек поверхности, должен располагаться дефект, являются окружности или сферические поверхности, звук на которых проходит по радиусу (на рис. 13.7 для простоты это показано в том же масштабе, что и время прохождения, и только в двумерном нзобралшнии). [c.304]

К трехмерным дефектам относятся прежде всего области кристалла, ограниченные рассмотренными выше двумерными дефектами, — двойниковые прослойки, включения других политипных или полиморфных модификаций, макроблоки. Важным типом трехмерных дефектов являются включения раствора, рассматриваемые в 1.6. Сюда же относятся включения посторонних твердых фаз. Твердые включения подразделяются на протогенетические — захваченные кристаллом при росте, сингенетические — возникшие и разраставшиеся одновременно с кристаллом, и- эпигенетические — возникшие при преобразовании готового кристалла. [c.12]

Источником слоев роста, помимо отдельных дислокаций и их групп, могут служить и двумерные дефекты — сетки дислокаций вдоль границ макроблоков и залеченных трещин (рис. 1-19), а также двойниковые швы. Последние заслуживают несколько более подробного рассмотрения. Давно известно, что двойники, у которых между индивидами имеется входящий угол, растут значительно быстрее монокристаллов. Объясняют это явление более легким присоединением частиц во входящем углу двойника. В этом случае двойниковый шов должен служить линейным источником слоев роста. Однако при росте двойников винной кислоты из водного раствора мы наблюдали распространение слоев роста из двух-трех точечных источников, расположенных на двойниковом шве. Об аналогичном расположении центров роста на двойниках природного флюорита сообщал Ф. К. Франк [1950]. Таким образом, по крайней мере в некоторых случаях слои генерируются дислокациями, лежащими в плоскости двойниковой границы (по-види-мому, это имеет место для некогерентных границ). [c.34]

Рис. 1-19. Центры роста на двумерных дефектах, а — па границе субиндивида б — на залеченной трещине. Ув. 50.

Иногда кристаллы K I, КВг, которые обычно изометричны, образуются в виде тонких кристаллических волокон — усов (подробнее об усах см. в книгах Г. В. Бережковой [1969], Е. И. Гиварги-зова [1977 г.]). Боковые грани усов не имеют выходов винтовых дислокаций, поэтому утолщение усов может происходить только путем двумерного зародышеобразования. Для кристаллов нормального габитуса при обычном росте из растворов достоверных примеров их образования по механизму двумерного зарождения почти нет. Рост грани дипирамиды (101) кристаллов КН2РО4 при переохлаждениях свыше 14° С (относительное пересыщение 29%) идет, видимо, по рассматриваемому механизму [Белюстин А. В., Степанова Н. С., 1980]. Эта грань в процессе роста освобождается от дефектов (рис. 1-18) и не растет при переохлаждениях ниже 14° С. Мы практически всегда наблюдали работу дислокационных центров роста вплоть до пересыщений, когда в объеме раствора начинается трехмерное зарождение. [c.37]

Современная наука о материалах во многом базируется на изучении монокристаллов и монокристаллических пленок (включая наноструктуры), то есть монокристаллического состояния вещества. При этом фундаментальный интерес представляет не столько идеальная структура монокристаллического состояния, сколько его реальная структура, т. к. именно она в значительной степени определяет физичесыте и химические свойства. На сегодняшний день на уровне трехмерных и двумерных дефектов (механичесыхе включения и дислокации) фундаментальные задачи синтеза монокристаллов и пленок практически решены. Остаются пока нерешенными некоторые задачи технологического характера, связанные с синтезом технически ценных монокристаллов. [c.5]

Влияние дефектов на распределение напряжений в двумерном теле было впервые рассмотрено Инглисом [84, с. 219]. Гриффит [75] рассмотрел модель Инглиса применительно к случаю линейной трещины. Для определения условий механического разрушения были приняты два критерия. Первый — механическое разрушение происходит тогда, когда напряжение в вершине микро трещины достигает критического значения, определяемого струк турой и когезионными силами материала второй — общая энер ГИЯ системы уменьшается с увеличением размера дефекта с Система становится нестабильной, и размер трещины будет увели чиваться, если [c.53]

Другой алгоритм получения изображений - алгоритм проекции в спектральном пространстве (ПСП), основная операция в котором - БПФ. Алгоритм основан на том, что просфанственный спекф функций, описывающий падающее и рассеянное дефектами поле, отличен от нуля на окружности радиусом 2к = 4л/А. плоскости волновых векторов кх, с ценфом (О, 0) (для совмещенного акустического преобразователя). Здесь также рассмотрим двумерный случай - плоскость х, z. Измерив поле вдоль некоторой линии можно путем проецирования его спектра и выполнения обратного двумерного преобразования Фурье определить поле в сечении х, г. [c.295]

Изображение дефектов можно восстановить, обрабатывая измеренный массив Л-сканов. Предполагается, что регисфация проводится вдоль линии сканирования (линейная голофафия) и изображение восстанавливается в одной плоскости (слое). При двумерном сканировании (х, 2) данные обрабатываются когерентно только послойно. В системе можно получать изображения дефектов многочастотным вариантом метода угловых спектров. Такие изображения обладают высоким качеством, но для их получения фебуется значительное время. Другой метод - ПСП - позволяет получить изображение значительно быстрее, особенно при использовании многих частот и многих ракурсов озвучивания, но из-за ошибок интерполяции уровень шумов в восстановленном изображении несколько выше, чем в методе угловых спекфов. В рассмофенной системе метод ПСП реализован для двух схем сбора данных совмещенной (раздельно-совмещенной) и раздельной, что существенно расширяет возможности прибора. Многослойные изображения при двумерном сканировании также можно восстанавливать методом ПСП. [c.298]

Запись производится на электрохимическую бумагу в виде многотонового двумерного изображения и многоканальной раздельной регистрации максимальных значений амплитуд сигналов от дефектов, расположенных в различных зонах по толщине контрольных образцов. [c.353]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология