Леммлейн

Особенности такого строения и определяют внутреннюю морфологию кристаллов кварца. Макроскопическое распределение примесей осложняется явлением вторичной секториальности (образованием паразитных пирамид роста, по Г. Г. Леммлейну) и двойникованием кварца. Известно, что реальные грани даже в случае медленного роста, не говоря уже о стабильных и быстро нарастающих поверхностях, не являются идеальными плоскостями, а имеют характерный для данной грани или поверхности рельеф, состоящий либо из акцессорий (холмиков) роста, либо из участков гранен других индексов ( поверхности вырождения ). Поскольку коэффициент захвата примесей чрезвычайно чувствителен к изменению ориентации растущей поверхности, нарастание такой рельефной грани приводит к образованию вторичной секториальности в пределах данной пирамиды роста. Аналогичные искажения вносят также ростовые двойники. [c.22]

Аномальная симметрия поглощения света, не соответствующая истинной симметрии кристалла, была достаточно давно обсуждена и описана для одной из окрашенных разновидностей кварца— аметиста. Аналогичное явление резко аномального плеохроизма, не соответствующего оптической индикатрисе, было, в частности, отмечено Г. Г. Леммлейном в 1944 г. у кристаллов из пегматитовой жилы на Волыни. Хотя вопрос о возможной природе этого явления неоднократно обсуждался в минералогической и кристаллографической литературе, почти полное отсутствие данных о структуре соответствующих центров окраски не позволяло надеяться на отыскание какого-либо разумного решения. [c.70]

Основной источник дислокации в кристалле — это либо напряжения, вызванные неравномерным вхождением примесей в решетку ( 1.8), либо термические напряжения. Установлены также некоторые частные способы образования дислокаций при росте. Так, Г. Г. Леммлейн и Е. Д. Дукова наблюдали возникновение дислокаций при срастании ветвей скелетного кристалла (о скелетах см. в 1.6). М. И. Козловский [1958] описал возникновение дислокаций при слоистом обрастании кристаллом твердых частиц, осевших на его поверхность. Аналогично возникает большое число дислокаций при смыкании слоев над жидкостными включениями [Хаджи В. Е., 1966], в частности при обычном захвате включений при регенерации. Не случайно поэтому наблюдается преимущественное расположение ямок травления на гранях над затравками. Подробно возникновение дислокаций в кристаллах при росте рассмотрено Е. П. Костюковой и др. [1977]. [c.32]

Тип ориентации кристаллита из переохлажденных расплавов также представляет характерную зависимость от внешних условий. Ринне назвал параллельную группировку кристаллов, растущих в направлении температурного градиента термотаксисом, а группировку их перпендикулярно к линиям центров кристаллизации ортотропизмом. А. В. Шубников и Г. Г. Леммлейн исследовали эти явления на модельных системах в частности, они изучали влияние затравок в виде кристаллического порошка, рассыпанных по поверхности переохлажденного расплава. Характерные многоугольные ячеистые структуры на поверхности образуются при этом следствие изменения поверхностного натяжения жидкости под действием выделяющейся теплоты кристаллизации. Термотаксис и ортотропизм типичны для литых металлов и муллитовых брусьев, отлитых в формы после плавления в дуговых печах (см. D. И, 70). [c.385]

Спирали роста на гранях кристаллов были открыты Г. Г. Леммлейном в Институте кристаллографии АН СССР в 1945 г. [c.361]

И второе предположение о том, что первичные включения можно отличить от вторичных, гораздо труднее обосновать, чем указано в литературе. Критерии для различения первичных и вторичных включений обсуждались Леммлейном [13]. [c.33]

Элементарные процессы роста кристаллов. Микроявления, происходящие, при росте, испарении, растворении и травлении кристаллов. Сб. переводных статей под ред. Г. Г. Леммлейна и А. А. Чернова, серия Проблемы физики , ИЛ, 1959. [c.186]

Последний результат, впрочем, не вызывает особенных недоумений, если связывать появление дымчатой окраски рентгенизированных кристаллов кварца с присутствием в кристалле статистически распределенных в его объеме неоднородностей, связывающих электроны, вырванные рентгеновскими лучами из атомов кристалла, или, как на этом особенно настаивает Г. Г. Леммлейн [23], с наличием потенциальных центров окрашивания, находящихся в виде микропримесей в [c.55]

Рис. 4. Снимок участка границ 0001] кристалла Si (по Леммлейну)

Леммлейн [80], описывая секториалькое строение кристаллов, использует понятие двумерноизоморфных веществ, понимая при этом кристаллы, имеющие сходство лишь по некоторым плоскостям по этим плоскостям они и нарастают в процессе совместного роста. Такие вещества, в отличие от истинных (гомальных) твердых растворов, образуют аномальные смешанные кристаллы . Поскольку последние по существу отличаются от твердых растворов, мы не будем пользоваться такой терминологией, хотя в некоторых работах она получила распространение. [c.232]

Г. Г. Леммлейн и Е. В. Цехновицер. К истории возникновения микрохимического анализа. Архив истории науки и техники, 1934, 4. стр. 365. [c.480]

Г. Г. Леммлейн и Е. В. Цехновицер в своей статье указывают, что Ловиц слишком большое значение отводил формам соляных налетов ,— скелетных форг. роста кристаллов, полученных из насыщенных растворов высыханием на стекле . Едва ли можно согласиться с таким мнением этих авторов. Не только потребности аналитических определений того времени, но и потребности современной нам аналитической практики диктуют исследователям изыскание новых путей анализа веществ. Таких путей в общем немного, и каждый из них после соответствующего изучения должен быть либо принят, либо отвергнут. [c.482]

Образование твердых растворов. Работами Хлопина [88], Хана (1947 г.) было показано, что радиоэлементы, находящиеся в растворе в микроколичествах, лишь тогда соосаждаются с осадками, когда образуют с ними твердые растворы. По Леммлейну [47 ], ионы из раствора переходят в твердую фазу через двойной электрический слой на межфазовой поверхности, а во внутреннюю обкладку этого слоя проходят лишь те ионы, которые способны давать твердые растворы с кристаллом. [c.137]

Впервые подобные спирали наблюдал советский исследователь Г. Г. Леммлейн [19]. На рис. 118 приведена электронная микрофотография [20] спирали роста кристалла углеводорода С36Н74. [c.390]

Более того, как было показано Шубниковым [17], Леммлейном и другими советскими учёными, на гранях кристаллов часто возникают пирамидки (один из видов так называемых вицинальных граней), высота которых зависит от условий роста кристаллов. [c.90]

Напечатано Г. Г. Леммлейн и Е. В. Цехновицер. К истории возникновения микрохимического анализа. Архив истории науки и техники, вып. 4, Л., 1935, стр. 365—384, фиг. 1. [c.169]

Физическая химия силикатов (1962) -- [ c.54 , c.297 ]

Химия несовершенных кристаллов (1969) -- [ c.42 ]

Химическое строение биосферы земли и ее окружения (1987) -- [ c.161 , c.173 ]

Химическое строение биосферы Земли и ее окружения Издание 2 (1987) -- [ c.161 , c.173 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология