Потенциальная энергия, изменение вдоль поверхности кристалла

С теоретической точки зрения поверхностная энергия отождествляется с изменением потенциальной энергии при раскалывании кристаллов вдоль определенной кристаллографической плоскости и удалении двух частей на бесконечное расстояние друг от друга. Разности нулевых энергий атомов, лежащих на поверхности и в объеме, незначительны, и так как можно не принимать в расчет разности в вибрационной энергии для тех и других атомов, то вычисление поверхностной энергии обосновано только для 0° К. Простейшей системой является кристалл инертного газа, и поверхностная энергия получается суммированием потенциальной энер- [c.156]

Теперь разделим кристалл на две части вдоль (ЮО)-плоскости, также при 0° К. Изменение энергии системы приблизительно равно суммарной потенциальной энергии разорванных связей, и в то же время оно равно поверхностной энергии вновь образованной поверхности. Пусть Шо — число молекул на единицу площади поверхности. Тогда [c.81]

Как и следовало ожидать, полученные ранее закономерности [45, 67] в основном остались теми же- (на контурных картах потенциальной энергии угловая зависимость имеет тот же вид [67]), что свидетельствует о предпочтительности ориентации макромолекул вдоль направлений <110>, <110> кристалла-подложки. Расстояния, на которых контуры потенциальной поверхности приобретают вид горизонтальных прямых, также остались теми же по порядку величины. Изменения в энергетике процесса эпитаксиальной кристаллизации имеют один и тот же характер для всех трех рассмотренных растворителей лишь с незначительными вариациями абсолютных значений, а именно необходимо учитывать затраты энергии на отвод молекул растворителя. Проведенные авторами расчеты показали, что энергия активации процесса, характеризующая данную систему полимер—растворитель—подложка, убывает в направлении о-ксилол > бензол > толуол (см. рис. 7). [c.117]

На поверхности молекулярных кристаллов резко различаются расстояния между соседними атомами, связанными химически в одной молекуле, и расстояния между соседними атомами разных молекул. Однако поверхность отдельной грани таких кристаллов можно рассматривать как физически однородную благодаря строгой периодичности изменения потенциальной энергии при перемещении адсорбированной молекулы вдоль такой поверхности. В этом случае периодически повторяющиеся участки представляют собой площади, занимаемые молекулами на соответствующей грани кристалла. Эти площади могут быть значительными, а периодичность может сильно зависеть от направления перемещения адсорбированной молекулы вдоль поверхности грани. Например, в случае кристаллов -алканов площади периодически повторяющихся участков часто состав.яяют десятки А , причем движение вдоль оси одной вытянутой молекулы к-алкана связано с периодичностью на расстоянии, определяемом длиной химической связи С—С, равной около 1,5 А, а при переходе от одной молекулы к-алкана к другой периодичность определяется ван-дер-ваальсовыми размерами групп СНа соседних параллельно расположенных молекул и-алканов, т. е. проявляется на рас- [c.19]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология