Кристаллы инертных газов

Наиболее простыми по структуре являются кристаллы инертных газов. [c.139]

Для кристаллов инертных газов, например, расчет поверхностной энергии приводит к такой оценке деформации поверхности увеличение первого межплоскостного расстояния достигает 3,5 %, для пятого слоя — только 0,04 % [26, 39]. [c.19]

Б. Кристаллы инертных газов [c.207]

Рис. У-6. К расчету взаимодействия молекул кристалла инертного газа через разделяющую поверхность [39].

Теперь нетрудно провести полный расчет поверхностной энергии Е кристалла инертного газа. Для этого достаточно умножить и на число атомов, приходящихся на единицу поверхности рассматриваемой плоскости кристалла. [c.209]

Поверхностная энергия кристаллов инертных газов при О К [c.210]

В работе [39] с помощью уравнения (У-4) рассчитаны также поверхностные напряжения кристаллов инертных газов. Получены отрицательные величины, по абсолютному значению составляющие около одной десятой поверхностной энергии. [c.210]

Как и поверхности ионных кристаллов и кристаллов инертных газов, поверхность металла должна быть деформированной. Бертон и Юра [64] теоретически оценили ожидаемое увеличение межплоскостных расстояний на поверхностях различных металлов. [c.213]

Наиболее простыми по структуре являются кристаллы инертных газов. Хотя решетка образуется в этом случае атомами инертного газа, однако по характеру связей она относится к молекуляр- ным, а не к атомным решеткам, так как валентные силы никакой [c.137]

По расположению пиков можно установить взаимное расположение атомов аргона в кристаллах. Таким путем было найдено, что в кристаллах инертных газов распределение атомов соответствует гексагональной плотной упаковке с координационным числом 2=12. Гексагональная плотная упаковка наблюдается также в кристаллах ртути, бериллия, магния и ряда других веществ. [c.115]

С теоретической точки зрения поверхностная энергия отождествляется с изменением потенциальной энергии при раскалывании кристаллов вдоль определенной кристаллографической плоскости и удалении двух частей на бесконечное расстояние друг от друга. Разности нулевых энергий атомов, лежащих на поверхности и в объеме, незначительны, и так как можно не принимать в расчет разности в вибрационной энергии для тех и других атомов, то вычисление поверхностной энергии обосновано только для 0° К. Простейшей системой является кристалл инертного газа, и поверхностная энергия получается суммированием потенциальной энер- [c.156]

Следовательно, мы должны принять многоатомные взаимодействия как единственную возможность объяснения стабильности кубической решетки кристаллов инертных газов. Однако, прежде чем изучать многоатомные взаимодействия в кристаллах инертных газов, обсудим очень кратко стабильность кристаллов галогенидов щелочных металлов, в случае которых возникает аналогичная проблема. [c.254]

Проблема стабильности кристаллов инертных газов может быть решена на основе указанных свойств трехчастичных взаимодействий. Так как энергия парных взаимодействий ii для каждого равнобедренного треугольника отрицательна, величина АА имеет такой я е знак, как AEi, т. е. полный трехчастичный эффект благоприятствует образованию гранецентрированной кубической решетки у кристаллов инертных газов. [c.269]

Однако результаты, полученные для кристаллов инертных газов, нельзя без некоторых существенных изменений применить к кристаллам галогенидов щелочных металлов. Прежде всего анион и катион одного галогенида имеют неодинаковые размеры, так что их гауссовские параметры р также различны. Параметры р нельзя определить по виду потенциальных функций, так как мы пе располагаем достаточно точной информацией [c.270]

Поскольку энергия > О, мы делаем вывод, что во всех случаях трехчастичные взаимодействия первого порядка благоприятствуют образованию треугольников с малым углом О, так же как и у кристаллов инертных газов. [c.272]

Розен [20[ и Шостак [21] в первом порядке вычислили энергию трехчастичных взаимодействий между атомами гелия, используя соответственно метод валентных связей и метод молекулярных орбиталей. Имеется интересная аналогия между относительными трехчастичными атомными взаимодействиями в схеме Аксельрода — Теллера (относительно аддитивных сил второго порядка) и в схеме Розена — Шостака (относительно аддитивных сил первого порядка) эта аналогия заключается в том, что оба относительных эффекта отрицательны, если взаимодействующие атомы образуют равносторонний треугольник, и положительны при линейном располон ении атомов. Однако прямых попыток учета трехчастичных атомных взаимодействий первого порядка не было сделано. Кроме того, тверды гелий не представляет особого интереса, так как он образует гексагональную решетку. Имеются также данные исследования ряда многочастичных атомов взаимодействий, в одних случаях основанных на электростатических эффектах, в которых перекрывание зарядовых облаков рассматривалось классически, в других случаях — на модели Друде гармонических осцилляторов для атомов с дипольными взаимодействиями [22]. Однако никакие из указанных сведений не могут служить ключом к пониманию стабильности кристаллов инертных газов, поскольку [c.257]

Очевидно, что детальные расчеты с какими-либо конкретными волновыми функциями для отдельных кристаллов инертных газов и кристаллов галогенидов настолько сложны, что нет никакой надежды на успех. Кроме того, совсем необязательно учитывать такие детали. Это легко понять, если принять во внимание, что проблема стабильности кристаллических решеток является общей проблемой как для инертных газов, так и для галогенидов щелочных металлов. Следовательно, стабильность решетки не должна зависеть от детального аналитического вида волновой функции, а должна определяться более общими параметрами, характеризующими зарядовое распределение атомов или ионов. [c.258]

Рассмотрим более или менее детально кристаллы инертных газов, для которых методика расчета довольно проста и не требует громозд- [c.207]

Поверхностная энергия при ОК. История этого вопроса является слишком длинной и запутанной. Поэтому здесь мы дадим ее только в кратком изложении. Классическая процедура расчета ловерхностной энергии ионных кристаллов в целом напоминает описанную выше методику расчета для кристаллов инертных газов. Правда, в ионных кристаллах узлы заняты заряженными атомами, и в этом случае для потенциальной энергии необходимо использовать более сложные функции. Если в гранецентрированной кубической решетке кристалла щелочного галогенида некоторый ион принять за начало координат, то все ионы того же знака имеют координаты с четной суммой mi+m2+"i3. а противоположно заряженные ионы — с нечетной суммой. Как и в случае кристаллов инертных газов, на первой стадии расчета вычисляется. потенциальная энергия взаимодействия двух половинок кристалла, разделенного некоторой плоскостью скола. Здесь такж е проводится суммирование по всей решетке, однако при этом для разных ионов используются различные функции для потенциальной энергии. Первые расчеты такого рода проведены были Борном и др. [41]. [c.210]

Вычисленные величины включают поправки на перераспределение ионов у вновь образованной поверхности эти поправки незначительны для кристаллов инертного газа, но становятся существенными для ионных кристаллов. Необходимо заметить, что энергия когезии зависит почти исключительно от электростатического взаимодействия, тогда как электростатическая компонента поверхностной энергии соизмерима с долей, определяемой оттал-кивательными силами, которые действуют на близких расстояниях. Поэтому поверхностная энергия по порядку величины должна совпадать с энергией, обусловленной лондоновскими дисперсионными силами другими словами, поверхностная энергия определяется энергией, требующейся для раскалывания кристалла на две нейтральные части, в то время как энергия когезии зависит от энергии, требующейся для разделения противоположно заряженных ионов. [c.158]

Таким образом, очевидно, что при вычислении разности энергий обеих упаковок с использованием потенциала Борна — Майера энергия решетки типа хлорида цезия занижается не менее, чем на несколько килокалорий на 1 моль. Поэтому, пытаясь решить проблему стабильности кристаллов, мы должны найти источник дополнительной энергии стабилизации для решеток типа s l. Заметим также, что, поскольку энергия сцепления в кристаллах инертных газов (порядка нескольких килокалорий 1 моль) мала по сравнению с энергией сцепления в кристаллах галогенидов щелочных металлов (150—200 ккал1моль), предсказываемая разность энергий обеих кристаллических решеток при нормальном давлении у галогенидов щелочных металлов примерно в 10" ра больше, чем у двух конфигураций с плотной упаковкой кристаллов инертных газов. [c.255]

Допустим, что параметр р относится к большему иону, ар — к меньн1ему иону данного галогенида щелочного металла. Введем еще один параметр у (р7р) > 1. В таком случае энергии всех трехчастичных ионных взаимодействий могут быть записаны как функции параметров рЛ, и структуры ренштки (/ — расстояние между двумя ближайшилМИ соседями в ре1петке). В отличие от кристаллов инертных газов значения рЛ у галогенидов щелочных металлов значительно меньше, а именно лежат в интервале от 1,26 (В11) до 2,16 (КаР). Соответствующий интервал значений р/ у кристаллов инертных газов заключен между 2,0 (ксенон). [c.270]

КИ (0к). Используя динамическую теорию кристаллов, Бэррон И Домб вычислили 0 для двух типов решеток и подтвердили условие 0г > 6ц. Однако вычисленные температуры переходов оказались в области температур кинения кристаллов инертных газов, т. е. они оказались намного выше, чем это необходимо для получения объяснения стабильности решетки. [c.253]

Смотреть страницы где упоминается термин Кристаллы инертных газов: [c.80] [c.89] [c.135] [c.208] [c.252] [c.253] [c.253] [c.256] [c.256] [c.257] [c.257] [c.261] [c.264] [c.266] [c.267] [c.270] [c.271] [c.271] [c.273] [c.274] [c.252] [c.253] [c.256] [c.256] [c.257]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология