Кристаллы изменения

Перенос массы и энергии через границу раздела фаз в направлении 1- 2 приводит к изменению поверхностной энергии кристалла (дуги 17, 18). Изменение поверхностной энергии кристалла (в частности, неравномерности поверхностного натяжения А,,) может привести к изменению формы кристалла, изменению границы раздела фаз (дуги 19), изменению его поверхности. [c.8]

Процесс растворения сопровождается значительным возрастанием энтропии системы, так как в результате равномерного распределения частиц одного вещества в другом резко увеличивается число микросостояний системы. Поэтому, несмотря на эндотермичность растворения большинства кристаллов, изменение энергии Г иббса системы при растворении отрицательно и процесс протекает самопроизвольно. [c.219]

Вещества делят на простые и сложные. Простые вещества состоят из атомов одиого и того же элемента их можно рассматривать как форму существования элементов в свободном состоянии. В настоящее время известно 107 элементов, а простых веществ гораздо больше, поскольку многие нз них образуют несколько видоизменений (модификаций). Существование химического элемента в виде нескольких простых веществ получило название аллотропии (от греч. другая форма ). Образование аллотропных модификаций при данных условиях может быть обусловлено способом размещения атомов элемента в кристалле, изменением химической связи между атомами или составом молекул. [c.32]

Плотность жидкости при температурах заметно ниже критической близка к плотности кристалла, изменения объема при плавлении кристаллов невелики. В результате средние энергии межмолекулярных взаимодействий для двух состояний отличаются не очень сильно, энтальпии плавления заметно меньше, чем энтальпии испарения в стандартной точке кипения. Близки теплоёмкости веществ в жидком и кристаллическом состояниях. [c.198]

Влияние на размер кристаллов изменения продолжительности кристаллизации, т. е. времени снятия пересыщения, ири интенсивном перемешивании оказывается менее существенным. Превалирует влияние перемешивания, приводящего к уменьшению размера кристаллов. Однако, комбинируя определенные скорости снятия пересыщения и интенсивность перемешивания, можно достигать больших скоростей кристаллизации без значительного уменьшения размеров образующихся кристаллов. [c.249]

К поверхностным явлениям относятся все эффекты, связанные с различием физических свойств изучаемых систем, зависящих от различного поведения молекул в поверхностном слое и объеме непрерывной фазы. Помимо явлений адсорбции с этими же причинами связано возникновение вполне определенных равновесных форм огранения кристаллов, изменение термодинамических свойств вещества в зависимости от размера частиц (капель или кристаллов). Термодинамика поверхностных явлений широко используется в теории возникновения и роста частиц новой фазы. [c.156]

При переходе от реакций превращения молекул к реакциям, в которых участвуют твердые фазы, особенно ионные или атомные кристаллы, изменение числа связей становится далеко не так очевидно, однако в ходе реакции оно, несомненно, имеет место. [c.120]

Рис. 37. Результаты расчета тепловых условий выращивания монокристаллов кремния диаметром 36 мм в вакууме, основанного на экспериментальных измерениях вдоль оси д — распределение результирующего теплового потока па боковой поверхности кристалла — изменение второй производной температуры на боковой поверхности кристалла гз — распределение касательных напряжений на поверхности кристалла [51]. Обозначения те же, что на рис. 36

Однако из последующих работ [348] видно, что рост и растворение кристаллов не всегда являются строго обратимыми процессами. Наличие веществ, не влияющих на скорость растворения кристаллов, резко тормозит, а иногда и полностью прекращает рост кристаллов. Изменение вязкости раствора иногда не отражается на скорости роста кристаллов, а увеличение движения кристалла [c.91]

Причем (см. рис. 42) после умеренного перемешивания (20— 30 об/мин) даже при значительном растворении кристаллов изменение их линейных размеров не отклоняется от чисто диффузионного механизма и описывается уравнением (5.42). Начальный размер кристаллов не влияет на характер изменения их линейных размеров при растворении в этих условиях. [c.130]

Если же несколько увеличить интенсивность перемешивания (50—60 об/мин), то при значительном растворении кристаллов изменение их размеров уже не может описываться уравнением [c.130]

Кинг использовал кварцевые диски диаметром около 12 мм и толщиной около 0,2 мм с частотой 9 МГц. Такие кристаллы широко доступны. Для этих кристаллов изменение частоты (ЛР, Гц) [c.584]

При более длительном контакте фаз с увеличением исходной температуры раствора величина коэффициента захвата сначала уменьшается, а затем возрастает. Таким образом рост начальной температуры при сравнительно коротком времени контакта фаз способствует получению более чистых кристаллов. Изменение содержания примеси в кристаллах азотнокислого калия в зависимости от длительности перемешивания указывает на то, что распределение примесей между фазами в данном случае не является равновесным. О том же свидетельствует и тот факт, что при одинаковом по составу маточном растворе получаются кристаллы с различным содержанием иримеси. Перемешивание полученной пульпы после ее охлаждения может привести либо к обогащению кристаллов примесью, либо к снижению ее концентрации в них в зависимости от того, выше или ниже эта концентрация равновесной. [c.66]

Другим эффектом, обусловленным загибом зон, является изменение работы выхода. На рис. 11 работа выхода обозначена через ф. Это, по определению, есть расстояние от уровня Ферми до уровня, соответствующего значению потенциала в пространстве вне кристалла. Изменение работы выхода Дф равно скачку потенциала между поверхностью-. и объемом полупроводника. Мы имеем [c.73]

Правило Борескова является приближенным, поскольку различия в каталитической активности разных граней кристаллов, изменение функции распределения неоднородной поверхности и значений параметров неоднородности могут приводить к изменению удельной скорости реакции. Однако можно ожидать, что влияние таких факторов не приведет к очень резким изменениям удельной скорости, колебания величин которой не превысят одного-двух порядков. [c.284]

Другим эффектом, обусловленным загибом зон, является изменение работы выхода. На рис. 3 работа выхода обозначена через ф. Это, по определению, есть расстояние от уровня Ферми до уровня, соответствующего значению потенциала в пространстве вне кристалла. Изменение [c.27]

Вакуумная система дает возможность регулировать величину и характер кристаллов изменением температуры и скорости образования их из выпариваемого раствора. [c.220]

Последнее выражение не учитывает смещение максимума интенсивности из Оо в из-за преломления рентгеновских лучей в кристалле. Изменение длины волны в результате преломления приводит к тому, что уравнение Вульфа — Брэгга можно представить в [c.198]

Законы, определяющие образование зародышей в объеме, применимы также к процессу образования зародышей на поверхности и росту уже образованной кристаллической поверхности. Уравнения, описывающие образование зародышей, можно видоизменить так, чтобы они описывали образование зародышей на поверхности, а не в объеме кристалла. Изменение свободной энергии зависит от степени пересыщения, т. е. отклонения системы от состояния равновесия, и так как степень пересыщения входит в показатель экспоненты (см. [c.201]

В молекулярных кристаллах изменение объема воздействует прежде всего на межмолекулярные расстояния, оставляя существенно неизменными внутримолекулярные. Поэтому в первом приближении градиент поля для молекулярных кристаллов можно считать [c.44]

НИЯ С характеристиками процессов, происходящих иа катоде, и с данными о строении и свойствах образующихся осадков. Про-вед0Н1Ные исследования позволяют сделать вывод, что при нри-сталливации никеля, кадмия, частично цинка и меди из электролитов, содержащих и не содержащих добавки пoвqpxнo тнo активных веществ, влияние переменного тока сказывается в уюру)п-нении кристаллов, изменении их ориентации в осадке и часто в уменьщении блеска. [c.371]

Иногда химическая реакция начинается, идет некоторое время, а затем как будто прекращается еще до того, как израсходуется один из реагентов в этом случае говорят, что реакция достигла равновесия. Интересным примером может служить взаимный переход двуокиси азота N02 и четырехокиси азота N204. Газ, получаемый при нагревании концентрированной азотной кислоты с медью, имеет, как установлено, при высоких температурах плотность, отвечающую формуле N02, а плотность при низких температурах и высоких давлениях приблизительно соответствует формуле N204. При высоких температурах газ имеет темно-бурый цвет, а при низких приобретает более светлую окраску при дальнейщем охлаждении газа образуются бесцветные кристаллы. Изменение цвета газа и других его свойств с изменением температуры и давления можно объяснить, предположив, что газ представляет собой смесь двух видов молекул N02 и N204, находящихся в равновесии между собой в соответствии с уравнением [c.290]

Следует заметить, что избыток "замороженных" в процессе электро-кристаллизации железа вакансий, стекая в петли, как экспериментально установлено Ё.А.Мамонтовым [ЗЗб], служит источником дислокаций.Ш менее важным обстоятельством для дальнейшего обсуждения физико-механических свойств злектроосажденного железа является зависимость мии-роискажений кристаллической решетки от концентрации вакансий ь кристалле [35Э,. 360] П, где п - атомная доля дефектов Уд - атомный объем совершенного кристалла - изменение объема, вызванное деформацией вокруг одного дефекта. [c.98]

Вклад градиентных членов в свободную энергию гетерофазной системы наиболее ощутим в области резкого изменения параметров ф, т. е. вблизи межфазной границы, где параметры испытывают скачок. Наличие градиентного взаимодействия приводит к размытию скачка на некоторый переходный слой. Необходимо отметить, что полевая модель предполагает [27], что в кристалле изменение любого параметра ф/ сопровождается смещением узлов решетки. Следовательно, плотность свободной энергии зависит от градиентов смещения — деформаций. Упругое поле, возникающее вследствие контакта фаз с различной собственной деформацией, простирается на глубину порядка радиуса поверхности контакта, и энергия упругого взаимодействия оказывается пропорциональной не площади поверхности контакта, а объему фаз. Это приводит к тому, что происходит частичная трансформация межфазной поверхности энергии в объемную энергию фаз, что может приводить как к смещению равновесия, так и к снижению барьера для зарождения. В случае превращения графита в алмаз, т. е. в однокомпонентной системе, образование более плотной модификации углерода сводится к изменению взаимного расположения узлов решетки и может быть описано как некоторая деформация. При этом деформация является единственным параметром превраше-310 [c.310]

Муллит I, синтезированный из каолинита, был подразделен на муллитообразную фазу и муллит призматический. Моментом появления муллитообразной фазы авторы [10] считают 950 °С. Габитус кристаллов муллитоподобной фазы изометрический и короткостолбчатый. Повышение температуры ведет к увеличению размеров кристаллов, изменению их габитуса и превращению в призматический муллит. [c.145]

В 1985 г. общее количество фосфогипса в отвалах составило i25 млн т /ё/, причем ежегодный выход его примерно в два раза превышает потребление природного гипсового камня. В большинстве случаев фосфогипс получают по дигидратной технологии, в которой сочетание температуры и концентраций реагирующих веществ способствует образованию преимущественно кристаллогидрата сульфата кальция с двумя молекулами воды. В дигидратном режиме фосфогипс кристаллизуется относительно медленно, в результате чего формщ)у-ются крупные, хорошо отмывающиеся кристаллы. Изменения параметров технологического режима, состава и количества примесей влияют на условия кристаллизации и свойства фосфогипса. [c.9]

Предположим, что е в приведенном выше примере увеличилась на единицу. Тогда величина будет равна 71 ккал моль, т. е. увеличится на 4 ккал1молъ. Достаточно, поэтому, небольшого изменения е катализатора или его поверхностного слоя, чтобы получить значительное изменение энергии активации, а следовательно и скорости каталитической реакции. К этому эффекту может привести введение примесей в кристалл, изменение характера его ограненпя, появление трещин и пор на поверхности катализатора и т. д. [c.83]

Значительный интерес представляет поглощение водорода. Сжатый водород в диапазоне 660—1250 лi- имеет заметное поглощение, которое Кетеляр и др. [34] приписали чисто вращательному спектру. Основной колебательный спектр поглощения водорода, вызванный межмолекулярными силами, был изучен в широкой области давлений и температур. Разрешение полосы поглощения улучшается при понижении температуры. Элин, Хэ и Макдональд [35] исследовали инфракрасное поглощение водорода в жидком и твердом состояниях. Под влиянием межмолекулярных сил молекулы асимметрично деформируются по мере падения температуры, что приводит к индуцированному инфракрасному поглощению. Когда водород находится в кристаллическом состоянии, эта деформация вызывается не только случайной ориентацией свободно вращающейся молекулы, но также и колебаниями решетки кристалла. Изменения в основном поглощении водорода в твердом состоянии при 13,6 0,2° К возникают вследствие изменения пропорции орто- и параводородов [36]. При уменьшении процентного содержания параводорода наблюдается дополнительная структура спектра. ....... [c.27]

Связь между инфракрасными и раман-спектрами кристаллов. Изменения частот в инфракрасном спектре NaNOs в зависимости от его ориентации. [c.142]

Правда, по отношению к макрообъему или макроповерхности кристалла изменение, вызванное отдельным электрохимическим актом, может считаться бесконечно малым, и современная химия твердого тела вполне позволяет в расчетных целях рассматривать такие элементарные изменения, как статистически распределенные точечные дефекты, концентрация которых определяет сколь угодно плавные отклонения состава кристаллической решетки от стехиометрическо-го состава индивидуальной молекулы химического соединения (24, 25]. Именно на этом и основано широкое использо- [c.12]

Разложение хорошо сформированных мопокристаллических игл азида серебра в вакууме при 230° характеризовалась сигмоидной кривой (рис. 5. 4), которая в первой части описавалась кубическим уравнением, а затем уравнением сокращающейся кубической оболочки. От кристалла к кристаллу изменения в максимальной скорости составляли до 20%, так что надежно вычислить энергию активации не удалось. Однако в указанных пределах колебаний максимальная скорость равнялась постоянной скорости на участках, соответствовавших глубине разложения 0,05<а< 0,3 в опытах с микрокристаллическими препаратами. Предварительное облучение ультрафиолетовым светом, как и осторожное дробление не влияли ни на общую форму кривой разложения, ни на максимальную скорость в пределах точности ее определения. Неизвестно, однако, изменялась ли при этом величина ц. [c.250]

Первое, с чем может быть связано увеличение температуры плав ления, - это напряженное состояние проходных молекул в аморфных областях (разд. 8.5.3). Действительно, растянутые образцы полимеро находящиеся в напряженном состоянии, плавятся при более высоких те пературах чем изотропные ненапряженные образцы (разд. 9.3.3. и ри 9.3, 9.33, 9.36 и 9.38).Цахман [265] показал, что при плавлении непо ностью растянутых проходных молекул, связывающих друг с другом различные кристаллы, изменение их энтропии меньше, чем средняя энтропия плавления. Однако, если связанные кристаллы могут двига по направлению друг к другу, изменение энтропии проходных молеку. при плавлении больше, чем среднее значение энтропии плавления. В этом случае происходит уменьшение температуры плавления, и, по-в1 димому, этим обусловлена более крутая форма пика плавления со ст роны низких температур. Такой эффект можно наблюдать в образцах которые релаксируют после частичного плавления. Релаксация проис ходит в результате движения в образце областей размером на уровж размеров кристаллов, которое может иметь место как при плавлении образцов с закрепленными концами (рис. 9.3), так и при плавлении н< напряженных образцов (рис. 9.33). [c.308]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология