Удельное сопротивление простых веществ

УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ р И ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ [c.932]

УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ 9 И ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ о ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ [c.932]

Связанная вода обладает свойствами упругого твердого тела. Тонкие ее пленки (толщиной около 0,1 мкм) обладают расклинивающим действием. Плотность связанной воды значительно выше плотности простой воды (1130—1740 кг/м ). Такая вода замерзает при более низкой температуре (до —75°С) и не способна растворять легко растворимые вещества, обладает высоким удельным сопротивлением (практически электрическая проводимость ее равна нулю). Более прочно с материалом связан мономолекулярный слой жидкости, последующие ее слои менее прочно связаны и свойства их постепенно приближаются к свойствам свободной жидкости. Соответственно и затраты на удаление жидкости неодинаковы. Испарение остаточных количеств влаги требует значительно более высоких затрат теплоты по сравнению с испарением первых ее порций. [c.183]

Однако из литературных данных известно, что физические дефекты, созданные в твердом веществе путем облучения, в ряде случаев оказываются неожиданно стойкими даже при высоких температурах. Так, семидневное облучение металлов, например меди или золота, в ядерном реакторе (Ок-Ридж) вызывало [33] вытеснение из решетки приблизительно 0,001% атомов. Для такого вытеснения требуется около 25 эв, что является величиной, до известной степени типичной для металлов с подобной кристаллической структурой. Вызванное облучением увеличение удельного сопротивления на 80—90% исчезало в результате отжига, который происходил уже при температурах ниже комнатной. Однако увеличение объема меди, вызванное-бомбардировкой дейтронами, даже при 400° С исчезало в результате отжига лишь на 20%. Следовательно, не все действия радиоактивного излучения удается устранить простым нагревом. [c.121]

Нами разработана сравнительно простая и общедоступная методика и спроектировано оборудование для измерения электропроводности твердых веществ до температуры 1600° С и выше в регулируемой газовой среде. Методика разработана специально для измерения удельного сопротивления керамики из особо чистых окислов, имеющей исключительно низкую электропроводность эта методика может успешно применяться и для других целей. В ряде случаев она может быть еще более [c.557]

Удельное электрическое сопротивление р и коэффициент теплопроводности Я. некоторых простых веществ при 20 °С [c.530]

УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ р И ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ и ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ Значения а даны в интервале температур 0—100° С. [c.931]

Мостовые меюды по принципу работы делятся на две группы 1) нерезонансные или простые мосты различного типа (уравновешенные, неуравновешенные и квазиуравновешенные), которые используются главным образом при низких частотах (не выш е 10" гц) и 2) резонансные мосты, условия равновесия которых зависят от частоты и которые могут применяться при частотах до 10 —10 гц для веществ с удельной электропроводностью до 10- сим-см К Резонансные мосты, как правило, имеют более высокую чувствительность по сравнению с нерезонансными мостами. Кроме того, мостовые методы измерения -позволяют производить раздельный отсчет активной и реактивной составляющих полного сопротивления. [c.258]

При этом предполагается, что удельная активность на каждой поверхности равна таковой в омывающем растворе. Тогда Ар относится к разности удельных активностей в омывающих растворах. Уравнение (9.28) показывает, что в рассматриваемых условиях для системы с идентичными каналами движения в отсутствие сопряжения между изотопными потоками эксперимент по простому изотопному обмену позволяет определить сопротивление суммарному потоку [и, следовательно, проницаемость для суммарного потока по уравнению (9.18)] даже без всяких данных о движущей силе, действующей на рассматриваемое вещество, и при наличии сопряжения с потоками других веществ или даже при активном транспорте. Так, например, если Ас = О, то [c.203]

Полупроводники характеризуются удельным электрическим сопротивлением от 10 до 10 Ом-м. К полупроводникам относятся простые вещества, находящиеся при условиях, близких к нормальным, в твердом состоянии В, С, 81, Се, 8п, Р, Аз, 8Ь, 8, 8е, Те, I. Полупроводниками являются многие бинарные соединения оксиды (2пО, РеО), сульфиды (2п8, С<18), пниктогениды (СаАз, 2п8Ь), карбиды (81С), а также сложные соединения. Наиболее распространенные бинарные соединения полупроводников можно определить по простому правилу — это должны быть соединения по числу валентных электронов изоэлектронные бинарному соединению из атомов IV главной подгруппы. То есть это соединения элементов только четвертой, третьей и пятой, второй и шестой групп периодической системы. Ширина запрещенной зоны в полупроводниках изменяется от 0,08 эВ (у металла Зп) до 5,31 эВ (у неметалла С(алмаз))- [c.635]

Величину темпового тока можно изменять разными способами. Как и в случае энергии активации, точного значения для удельного сопротивления не установлено. Известно только, что оно велико и составляет около 10 ом-см. В частности, различные газы могут влиять на темновой ток в общем так же, как на фототок. Этот вопрос рассматривается более полно в ходе дальнейшего изложения. Нортроп и Симпсон [128] провели интересную серию экспериментов. Они изучали антраценовые пленки с добавками нафтацена, пентацена, перилена и антантрена. Оказалось, что простой экспоненциальный закон для проводимости здесь уже не соблюдается. Вместо этого были найдены две энергии активации типичная для растворителя (при высоких температурах) и типичная для растворенного вещества (при низких температурах). Соответствующие данные антрацена с добавками приведены в табл. 2. Было отмечено поразительное совпадение между энергией активации растворенного вещества и вычисленным (а в одном случае экспериментальным) значением синглет-триплетного перехода для данного углеводорода. Это оказалось справедливым также при растворении [c.23]

Величина у = dJIdE., называется удельной дифференциальной проводимостью (или просто электропроводимостью) вещества. Обратная ей физическая величина 1/у = р аазыъг.ется удельным дифференциальным электрическим сопротивлением. Вообще говоря, у зависит от и в большинстве случаев dJ/dE > 0. В частном случае, когда ВАХ представляет собой прямую линию, у не зависит от 3. Тела, обладающие такой вольт-амперной характеристикой, подчиняются закону Ома J = у з, где у = onst (не зависит от Е,). [c.410]