Фотосопротивление селеновое

Применение в энергетике. Селен — один из первых элементарных полупроводников, широко применяемых для изготовления селеновых выпрямителей, фотосопротивлений и других приборов и деталей полупроводниковой техники. Теллур тоже относится к элементарным полупроводникам, но применяется реже, чем селен. Многие селениды и теллуриды обладают полупроводниковыми свойствами. [c.234]

Элементарный серый селен — один из наиболее важных полупроводниковых материалов. Первое в мире фотосопротивление было изготовлено из селена, селеновый выпрямитель был сделан в 1933 г. Выше уже рассматривались многие халькогениды, являющиеся важными полупроводниками. Теллур как полупроводник пока применения не находит, а серу относят к изоляторам, хотя она и обладает фотопроводимостью. Чистейшую серу можно получить многократной перекристаллизацией из раствора в Sg или по общему для всех трех халькогенов методу фракционной возгонкой в вакууме. [c.308]

Ширина запрещенной зоны теллура 0,34 эв. Проводимость его при комнатной температуре значительно выше проводимости селена. Теллур — тоже дырочный полупроводник с сильно выраженной анизотропией проводимости. Селен широко используется для изготовления селеновых выпрямителей, фотосопротивлений, фотоэлементов с запирающим слоем. На мишени видиконов может идти аморфный селен, имеющий сопротивление порядка 10 —10 ом-см. Лучшие результаты дает твердый раствор 51,3-%-ного 5е и 48,7%-ного Аз он в 10 раз чувствительнее селена. [c.309]

Фотосопротивления, как и другие фотоэлементы, могут иметь спектральную чувствительность разного характера. Так, сопротивление ФС-А1 имеет максимум чувствительности при длине волны в 2,25 1, а ФС-Б1—при 0,6 11. Фотосопротивления практически безинерционны, чем отличаются от селеновых фотоэлементов с запирающим слоем. Обладая большим сопротивлением, они могут применяться в таких же схемах, как и фотоэлементы ЦГ-3, ЦГ-4 и СЦВ. Фотосопротивление ФС-А1 может быть использовано для фотометрирования в инфракрасной части спектра, причем схема устройства, состоящая из фотосопротивления, достаточно стабильной батареи и гальванометра, чрезвычайно проста. [c.212]

Проточные приборы используют и при фронтальном анализе в жидкостной хроматографии. Их работа может быть основана на оптических и электрических свойствах растворов. Так, известен прибор, регистрирующий изменение показателя преломления жидкости. Луч света от источника света проходит через оптическую систему и попадает в проточную кювету, составленную из двух полых призм. В верхней призме находится исходный раствор нижняя приз.ма — проточная, через нее проходит раствор из хроматографической колонки. Далее луч света попадает а два фотоэлемента. Это могут быть вакуумные или селеновые элементы или фотосопротивления. Так как фотоэлементы находятся на значительном расстоянии (1—2 м) от кюветы, световое пятно захватывает части обоих элементов. Элементы включены последовательно, но соединены одноименными полюсами. При одинаковой освещенности фотоэлементов ток в цепи будет отсутствовать, что соответствует одинаковым показателям преломления жидкости в обеих призмах. При изменении показателя преломления в проточной призме луч света отклонится и освещенность фотоэлементов уже не будет одинаковой в цепи поя- [c.118]

Возникновение фототока в описываемых фотоэлементах связано с освобождением электронов полупроводника под влиянием освещения. Если на электрод предварительно наложить некоторую разность потенциалов, то в цепи при освещении возникает первичный фототок. Этот фототок вызывает в полупроводнике вторичный фототок, являющийся результатом столкновения первичных электронов с атомами в полупроводнике. В то время как сила первичного фототока пропорциональна силе светового потока, сила вторичного фоготока подчиняется более сложным законам. Поэтому в общем случае сила фототока не пропорциональна освещению. На рис. 44 приведены кривые зависимости силы фототока от силы освещения для фотосопротивлений селенового (кривая 1) и таллофидного с сульфидом таллия (кривая 2). На рис. 45 приведены спектральные характеристики этих элементов. [c.78]

Р-300 пли ППТВ-1) с зеркальным гальванометром 6 типа М-21, используемым в качестве нуль-нрибора. Затем ключрм К замыкают рабочую цепь, устанавливают требующийся потенциал рабочего электрода и оставляют кнопку потенциометра утопленной. При этом световой луч осветителя О, отраженный от зеркальца гальванометра, попадает на фотосопротивление 7 типа ФС-К1. В результате через это сопротивлепие, обмотку б поляризованного реле 8 типа РП-4, полупроводник 9 (селеновый купроксный или германиевый столбик) и обмотку а реле 10 типа РП-4 потечет ток. Сработавшие при этом реле включают реверсивный двигатель 11 типа РД-09, который будет теперь воздействовать на движок трансформатора 12 тина ЛАТР-1 до тех нор, пока ток в цепи [c.10]

Для того чтобы лучше понять принцип действия полупроводниковых фотоэлементов, вернемся к оиисанию механизмов дырочной и электронной проводимостей. Полупроводниковый материал, электрическая проводимость которого меняется при изменении освещенности, называют фотосопротивлением. Изменение электропроводности сопротивления связано с изменением концентрации носителей под воздействием освещения. Ранее всех из фотосопротивлений были изучены селеновые, которые однако не следует путать с современными фотосопротивлениями с внутренним фотоэффектом, содержащими селен. В настоящее время фотосопротивления изготавливаются в основном из таких материалов, как сульфиды и селениды кадмия и свинца. Темновое сопротивление типичного полупроводникового фотосопротивления составляет порядка нескольких тысяч мегом, тогда как ири среднем уровне освещенности оно не превышает нескольких тысяч ом. В табл. 22.1. приведены параметры фотоэлектрических приборов различных типов. [c.298]

Приемники с внутренним фотоэффектом применяют в видимой области лишь для некоторых измерений, не требуюш их большой чувствительности и малой инерционности (селеновый фотоэлемент). Зато в инфракрасной части спектра с успехом используют фотосопротивления в виде тонких пленок на основе РЬ8, РЬТе и РЬ8е, чувствительных вплоть до 7—8 мк, а также 1п8Ь, 1пА8 и некоторые другие полупроводники либо с электронной, либо с дырочной проводимостью, меняюш,ейся под действием освещения. [c.327]

На рис. 1 показаны кривые старения селенового фотоэлемента ЛЭТИ и сернисто-серебряного фотоэлемента ФЭСС-УЗ при непрерывном освещении. Из рисунка видно, что имеющиеся в литературе [Ю, И] сведения о стабильности, например, сернисто-серебряных фотоэлементов в наших опытах не подтверждаются, что, возможно, связано с различием в величинах световых потоков. В этих же условиях сернисто-висмутовые и сернисто-кадмиевые (порошкообразные и кристаллические) фотосопротивления, подробно описанные в работах Коломийца [12, 13], не показали практически какого-либо старения после 600-часоВой экспозиции. [c.266]

Фотоэлементы, основанные на фотопроводимости, нередко называют фотосопротивлениями. Они находят применение почти исключительно для обнаружения и регистрации инфракрасного излучения. Другая во.зможная область их применения—это обнаружение очень слабых световых сигналов в тех случаях, когда инерционность фотоэлемента ие имеет существенного значения. Такое применение основано на тех больших значениях, которых может достигать сила вторичного тока. В настоящее время для этих целей применяются селеновые и таллофидные фотосонроти-вления. [c.208]

Серийно изготовляемый магнитоэлектрический регулирующий милливольтметр типа МР-1 обычно имеет позиционное регулирующее устройство с фотосопротивлениями, связанное с задающим устройством и встроенное в прибор. Оно состоит из последовательно включенных фотосопротивлений, электромагнитного реле типа РКН и селенового вентиля (рис. 5-6,6). Принцип действия регулятора заключается в том, что алюминиевый флажок, прикрепленный к стрелке прибора, во время ее движения между осветителем и камерой фотосопротивления прерывает световой пучок, падающий от осветителя на фотосопротивление. Реле срабатывает под действием тока, изменяющегося в зависимости от освещенности фотосопротивления. При срабатывании реле включаются сигнализирующие или регулирующие внешние цепи. Погрешность милливольтметра МР-1 1,5% габариты — 295x210x125 мм. [c.163]

Напряжение сети 220 в выпрямляют селеновым столбиком ВС (рис. XIV.26), включенным по схеме удвоения напряжения, и стабилизируют при помощи двух стабиловольтов СГ4С. Источник света Л или механизм затвора включают переводом переключателя И (счетверенный переключатель) в положение 3. Одновременно с этим замыкается цепь зарядки конденсатора выпрямленным напряжением через фотосопротивление ФСК-1. [c.458]

Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом носят название фотосопротивлений. Наиболее распространенные— селеновые фотосопротивления. Они имеют характеристики, аналогичные характеристикам фотоэлементов с внешним фотоэффектом. Наиболее распространенная конструкция — гребенчатая, в виде двух взаимнопрони- [c.44]

По Б. Т. Коломиец [343] искусственно приготовленный сернистый висмут (В12 з) может быть исп ользоваи в качестве фото-сопротивления в фотоэлектрической автом1атике. Достоинством фотосопротивлений из В1г5э является то, что их спектральная чувствительность имеет максимум в идимой сбласти спектра и близка к чувствительности селеновых фотосопротивлений. [c.433]

VI группы Периодической системы селен и теллур. Первое в мире фотосопротивление было изготовлено из селена 100 лет тому назад, а история селеновых выпрямителей начинается с 1933 г. В настоящее время элементарный селен — один из важнейших полупроводниковых материалов. Кроме того, селен служит одним из главных полупроводникоб-разующих элементов, на основе которого получают многочисленные селениды металлов. [c.117]

Явление эмиссии электронов положено в основу фотоэлеыюнтов с внешним фотоэффектом второе из указанных явлений лежит в основе вентильных фотоэлементов или фотоэлементов с запорным слоем третье явление (внутренний фотоэффект, или эффект фотосопротивлений) используется в селеновых и некоторых сульфидных фотоэлементах (наиболее известным, вероятно, является талофидный фотоэлемент). Для фотосопротивлений в большой степени характерны явления усталости электрический эффект Становится непропорциональным интенсивности падающего света. Третье явление в фотометрах для химических анализов используется редко. Вполне применимыми для фотометрических целей являются, повидимому, усовершенствованные недавно фотосопро тивления из сульфида свинца и селенида свинца (см. стр. 134). [c.88]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология