Тензор эффективный

При решении задачи отбрасывают все уравнения цепочки, кроме первых, а для того, чтобы иметь возможность вычислить значение условного среднего напряжения 2 (Г, г+х/г) на поверхности пробной частицы, делается ряд упрощающих предположений. В частности, суспензия рассматривается как некоторая среда, имеющая фиктивные свойства вязкость и плотность pf. Это позволяет представить структуру среднего тензора эффективных напряжений г) в виде [118. ЦЧ]- [c.71]

Опыты по циклотронному резонансу при Т = 4 К (см. гл. VI) дают для компонентов тензора эффективной массы электрона следующие значения [c.236]

А.А. Аверкин, Б.М. Гольцман и сотрудники исследовали возможности повышения 2 путем воздействия на зонную структуру материала упругой деформацией [17]. При этом подвергались гидростатическому сжатию поликристаллические образцы термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута стандартных составов, а также термоэлемент, приготовленный из них, в котором непосредственно под давлением измеряли максимальный перепад температуры. Оказалось, что при давлении 15 кбар происходит сильный рост электропроводности и, как следствие этого, увеличение 2 до (4-4,5)10 К . Этот результат подтверждался и измерениями на термоэлементе. Причина этого эффекта до конца не выяснена. По-видимому, давление изменяет величины компонент тензора эффективной массы, анизотропной в материалах на основе теллурида висмута. [c.49]

Уравнения (1.74) для тензора эффективности взаимодействия двух партнеров следует решать при следующих граничных условиях на бесконечности Т (г) стремится к единичному оператору, а на расстоянии предельного сближения реагентов кинематический поток Т (г) должен быть равен нулю. [c.49]

В рамках экспоненциальной модели компоненты тензора эффективности бимолекулярных встреч, Т, удовлетворяют системе алгебраических уравнений с постоянными коэффициентами [48] [c.50]

Полученные уравнения сохранения принципиально не отличаются от уравнений (2.3) (2.4). Однако усреднение микроскопических" реоло гических соотношений позволяет получить конкретные выражения для среднего тензора эффективных напряжений в дисперсной смеси 2 и средней силы межфазного взаимодействия Д .д. При этом оказывается, что макроскопические реологические соотношения, получаемые [c.69]

Эффективная масса т , вообш,е говоря, может зависеть от направления волнового вектора в кристалле. Поэтому в общем случае следует говорить о тензоре эффективной массы т [см. (179а)]. [c.131]

Используя обобщенный принцип симметрии в присутствии намагниченности и преобразования симметрии, допустимые для магнитной и кристаллографической ячеек РеВОз, нетрудно убедиться, что тензор эффективной диэлектрической проницаемости (при Hik = oik) имеет вид [c.160]

Полученный в работе [7] спектр металлов V группы весьма сложен, причем сложность спектра связана с учетом вырождения ( 2 и 10). Если же не учитывать вырождения, то поверхность Ферми, расположенная вблизи того значения р = ро, где энергия в данной зоне имеет минимум е(ро) ео, есть эллипсоид с полуосями Y2 ] — 8о), У2ш2 (бу7 — бц), У 2шз ер — 6j), где nil, f 2, ni2 — главные значения тензора эффективных масс dhjdpi дрк)р р . Из формулы (11.3) при этом легко находим [c.116]

Если поверхность Ферми расположена вблизи того значения р = р1, где е(р) достигает максимума e(pi)= Eh то поверхно-стью Ферми также является эллипсоид. Его полуоси У2т г — гр), У"2тЦе, — e J), У 2тЦе, — е ,) определяются главными значениями тензора эффективных масс т, /гг, т взятыми с обратным знаком. Величину ei — гр часто связывают с числом свободных электронных состояний в данной зоне N ) [c.116]

В (1) —(3) р1, р2 — плотность твердой и жидкой фаз и V, — скорости твердой и жидкой фаз по оси х, I — время о,у р, — тензоры напряжений в твердой и жидкой фазах д, — компонента силы тяжести — тензор касательных напряжений р — давление в жидкой фазе 6, — единичный тензор 0 — первый инвариант тензора эффективных напряжений Оу = (1 — т)(Оу + р). Ниже через к, т, обозначены соответственно проницаемость, пористость, коэффициент макрошероховатости [c.202]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология