Эффективная масса электрона

Эффективная масса электрона. . . 0,043—0,071 [c.756]

Если подсчитать по этим формулам эффективную массу электрона, то она, естественно, совпадет с его гравитационной массой. Однако если уровень Ферми приближается к краю зоны, то плотность уровней уменьшается и возрастает эффективная масса. Эти величины могут быть определены из опытных данных, характеризующих одно свойство, и использованы для предсказания другого свойства. [c.508]

Эффективная масса электронов, . , , , 0,08 0,04 0,02 [c.306]

Величины Шд для различных полупроводников, как правило, больше эффективной массы электронов, а следовательно, и подвижность дырок меньше подвижности электронов. [c.125]

Энергия е (к) вблизи максимума валентной зоны тоже должна иметь вид (407), если заменить в нем на е и учесть, что эффективная масса электрона т п в этом случае отрицательна (см. гл. И). Тогда для энергии вблизи потолка валентной зоны получим [c.235]

Опыты по циклотронному резонансу при Т = 4 К (см. гл. VI) дают для компонентов тензора эффективной массы электрона следующие значения [c.236]

ДЯ — ширина запрещенной зоны, эВ, т — эффективная масса электрона, [c.7]

Приведенная масса осциллятора — это эффективная масса электрона. Отсюда следует, что частота колебаний электрона определяется его массой, зарядом и поляризуемостью структуры, в которую он входит. Поскольку здесь рассматривается частота колебаний и поляризуемость в отсутствие внешних [c.345]

Инфракрасное поглощение и эффективная масса электронов арсенида галлия -типа. [c.223]

Для тяжелых дырок т = 2,12 (см. (35 ). Эффективная масса электрона вблизи края зоны проводимости т 0,2т . Во всех приведенных выражениях Шц — масса свободного электрона. [c.84]

Из этого соотношения видно, что величина работы собственного полупроводника определяется шириной запрещ,енной зоны, соотношением эффективных масс электронов, дырок и температурой. [c.453]

Повышенная электрическая проводимость органических полупроводников объясняется высокой подвижностью я-электро-нов сопряженных двойных связей. Это обусловливает эстафетную электронно-дырочную проводимость при состоянии, когда электроны находятся в них на более высоких энергетических уровнях. В результате взаимодействия с поверхностью, ограничивающей объем, электрон мол<ет оторваться от молекулы л попасть на поверхность. При этом в молекуле возникает вакансия— дырка. Эффективная масса электронов и дырок много меньше массы молекулы, так что у соседней молекулы, которая не успевает заметно сместиться, один из электронов. может перескочить в образовавшуюся дырку. Одновременно мигрируют как положительные, так и отрицательные заряды. Электрическая проводимость по эстафетному механизму возникает за счет электронных донорно-акцеиторных взаимодействий между молекулами и на границе масляной фазы с поверхностью металла. В отличие от ионной или форетической проводимости при эстафетной электрической проводимости не происходит переноса вещества, а значит, последняя не долл<на зависеть от вязкости среды. [c.61]

Все свойства графитового монокристалла электрофизические, механические, теплофизические имеют ярко выраженную анизотропию. Это связано с отмеченным выше анизотропным распределением состояний а- и тг-электронов в кристалле графита и различием эффективных масс электронов и дырок вдоль и перпендикулярно слою. Значения эффективных масс носителей заряда вдоль слоя равны 0,06то и 0,04то и перпендикулярно слою 14то и 5,7то соответственно. [c.24]

Формулы (VIIJ.51) и (VIII.52) нередко используются как раз для определения эффективной массы электрона т по экспериментальным данным о ширине зоны (энергии Ферми). [c.190]

О К), 0,46 эВ (300 К) эффективная масса электронов проводимости = 0,22то, дырок т,, = О.ЗЗт,, (то-масса. своб. электрона) подвижность электронов 3,4- Ю см (В с) при 300 К и 8,2-10 см ДВ-с) при 77 К, подвижность дырок 460 мV(B ) при 300 К и 690 мV(B ) при 77 К. [c.231]

ДжДмоль-К) ДЯ 43,9 кДж/моль, ДЯ , 212 кДж/моль, ДЯ". - 143,1 кДж/молъ, ДС р - 139,7 кДж/моль 82,8 Дж оль К) ур-ние температурной зависимости давления пара (в Па) gp = - 11090/Г+ 12,0 (989-1325 К) температурный коэф. линейного расширения 10 К . К.с.-полупроводник при 300 К ширина запрещенной зоны 1,74 эВ, эффективная масса электронов проводимости т, = 0,13то, дырок Шр = 0,45шо (Шц масса своб. электрона), подвижность электронов 580 см /(В с). [c.282]

Здесь Ец — ширила занрещиниой зоны, рапная у кремния и германия 1,12 и 0,75 зв, соотпетственно Т — абсолютная тем1)ира-тура к — константа Больцмана т — эффективная масса электрона Л — константа Планка. [c.25]

У некоторых полупроводников эффективная масса дырок очень велика ио сравнению с эффективной массой электронов проводимости, и поэтому основной вклад в электрические свойства дают электроны проводимости. Такие полупроводники называются электронными полупроводниками или полупроводниками п-типа (от слова negativ — негативный, т. е. отрицательный). В противоположном случае (большая эффективная масса электронов проводимости) основной вклад дают дырки. Такие полупроводники называются дырочными полупроводниками или полупроводниками р-типа (positiv — позитивный, т. е. положительный). [c.216]

Соединения AIHBV. Для соединений типа AHIBV характерны высокая подвижность и малая эффективная масса электронов. Эти свойства обеспечивают им широкое применение. Изучены весьма подробно. [c.381]

Проведен расчет модели кристалла, поверхность которого полностью за)1ята хемосорбатом, и показано, что эффективная масса электронов в зоне энергий, образующейся нри гомеополярной хемосорбции, сравнима с эффективной массой электрона в зоне нроводимости кристалла. При заполне1ип1 такой хемосорбционной зоны электронами из адсорбированных атомов или из кристалла может значительно изменяться поверхностная проводимость. Так как хемосорбированные атомы могут [c.35]

Граница оптического поглощения и эффективная масса электронов в антимониде индия. [c.147]

Зонную теорию обычно используют для описания ионных кристаллов [104], которые, как правило, являются хорошими изоляторами. Полагают поэтому, что ее можно применять также при описании молекулярных кристаллов. Например, с использованием этой теории рассматривались электрические свойства кристаллов Ь и Зв [102], а также электрические свойства кристаллов типа антрацена [33]. Однако при рассмотрении молекулярных кристаллов встретились затруднения, которых не возникает, например, в случае ковалентных кристаллов типа германия или соединений двух элементов. Бьюб [18] приводит более 100 таких соединений, имеющих тесное соответствие между энергетической щелью и длинноволновой границей поглощения. Изучение всех этих кристаллов несколько осложнено наличием экситонов их спектр вполне определяется энергетической щелью. Дополнительной характеристикой служит и то, что вообще в таких соединениях эффективная масса электрона (а также дырки) имеет примерно тот же порядок величины, что и масса свободного электрона. Молекулярные кристаллы, такие, как антрацен, отличаются от только что обсуждавшихся неорганических соединений тем, что начало сильного поглощения у них непосредственно не связано с энергетической щелью между нижней зоной и зоной проводимости. Край поглощения кристаллом непосредственно связан с краем погло- [c.661]

Эффективная масса электронов т =1,58/По, эффективная масса дырок т =0,379то. [c.216]

Смотреть страницы где упоминается термин Эффективная масса электрона: [c.295] [c.295] [c.7] [c.188] [c.188] [c.295] [c.130] [c.249] [c.417] [c.418] [c.481] [c.481] [c.230] [c.231] [c.283] [c.283] [c.382] [c.67] [c.128] [c.307] [c.307] [c.77] [c.79] [c.73] [c.327] [c.206]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология