Фоторезиста рисунки в слое адгезия

Ф. обычно включает 1) нанесение фоторезиста на металл, диэлектрик или полупроводник методами центрифугирования, напыления или возгонки 2) сушку фоторезиста при 90-110 °С для улучшения его адгезии к подложке 3) экспонирование фоторезиста видимым или УФ излучением через фотошаблон (стжло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения осуществляется с помощью ртутных ламп ( и контактном способе экспонирования) или лазеров (гл. обр. при проекц. способе) 4) проявление (визуализацию) скрытого изображения imeM удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и орг. р-рителями либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда 5) термич. обработку (дубление) полученного рельефного покрьп ия (маски) при 100-200 С для увеличения его стойкости при травлении 6) травление [c.171]

Процесс изготовления микроаналитических систем базируется на технологиях, использующихся при производстве интегральных схем (чипов). В их основе лежат хорошо изученные и отработанные на практике процессы фотолитографии и травления либо в растворах, либо в газовой фазе (например, реакционное ионное травление). На рис. 15.2-1 представлен типичный процесс изготовления устройства с системой микроканалов. Подложку, обычно из кремния, стекла или кварца (в принципе, возможно использование полимеров), покрьшают пленкой металла (обычно хром или золото с тонким слоем хрома для улучшения адгезии) и слоем фоторезиста. Затем с использованием фотошаблона, на котором нанесен рисунок будущего микроустройства, поверхность подвергают действию УФ-излучения. После соответствующей химической обработки (проявления) пленка фоторезиста удаляется с участков, подвергнутых экспозиции. Пленка металла, не защищенная фоторезистом, удаляется в травильных ваннах. Затем, на второй стадии травления травится и сама подложка (обычно в НГ/НКОз или КОН). В зависимости от выбранного травителя и типа подложки получающиеся микроканалы имеют различный профиль. Стеклянные и другие аморфные подложки обычно изотропны по свойствам и травятся с одинаковыми скоростями в любом выбранном направлении. Протравленные каналы, как правило, имеют скругленные кромки. На монокристаллических кремниевых или кварцевых подложках в присутствии подходя1цих травителей возможно анизотропное травление, приводящее к получению каналов со специфичными профилями, зависящими от расположения кристаллографических плоскостей, подвергнутых травлению. На заключительной стадии процесса по- [c.642]

Если для экспонирования пластин со слоем хрома применяются шаблоны с галоидной эмульсией, то никакого выигрыша в увеличении разрешения получить не удается. Тем не менее, применяя соответствующее экспонирование на эмульсионном шаблоне, можно воспроизвести рисунок без изменения оптической плотности на краях линий. Пленку хрома или вытравливают полностью, или поддерживают ее первоначально заданную толщину в защищенных участках, благодаря чему хромовые фотошаблоны обеспечивают получение хорошей контрастности и четкой проработки края. Необходимо отметить, что это не всегда удается, потому что оптические дефекты в эмульсионном фотошаблоне могут повторяться в процессе печа тания. Многие дефекты эмульсионных фотошаблонов имеют или ничтожно малые размеры, или очень маленькую оптическую контрастность и поэтому не могут быть проявлены фоторезистом. Основное преимущество металли зированных хромом фотошаблонов — их высокая износостойкость. Свойствами, которые обеспечивают их долговечность, являются твердость, хо рошая адгезия и химическая инертность металлической пленки. Первое свойство уменьшает возможность образования царапин на рисунке, следующие два обеспечивают возможность удаления фоторезиста такими растворителями, которые будут растворять изображения в эмульсионном слое. Обычно продолжительность использования хромовых фотошаблонов оценивают от 100 до 500 контактных экспонирований, в зависимости от условий работы н искусства оператора. Пленки фоторезиста, которые защищают пленки хрома в процессе вытравливания, примерно в 10 раз тоньше слоя эмульсии галоида серебра и по своей природе они не зернистого строения. Поэтому хромовые фотошаблоны потенциально обладают большей разрешающей способностью, чем липпмановские пластины. Однако для того чтобы реализовать это преимущество, рисунок изображения необходимо создать непосредственно на металлизированной хромом пластине, покрытой слоем фоторезиста, оптическими методами, с применением аппаратуры, обеспечивающей требуемую разрешающую способность. Для этих целей успешно были применены обращенные микроскопические объективы, кото- [c.587]

Имеется большое число органических соединений, структура и растворимость которых изменяются под воздействием света, особенно под воздействием ультрафиолетовой области длин волн. Первыми материалами, которые, как было установлено, обладают такими свойствами, были природные вещества рыбий клей, гудрон, сахар или желатин, сенсибилизированные солями двухромовой кислоты [69]. Коллоидальные органические вещества этого типа в течение некоторого времени использовались для изготовления шкал и координатных сеток и для другого вида фотогравиро-вочных работ. Кроме того, светочувствительные вещества, а на практике это материалы типа фоторезистов, должны также обладать способностью образовывать однородные покрытия с хорошей адгезией, покрытия, которые не разрушаются никакими физическими или химическими методами, кроме травления. И, наконец, необходимо иметь селективные травители, чтобы сформировать, а в конечном счете полностью удалить рисунки в слое. фоторезиста. [c.588]

Адгезия фоторезиста и подтравливание. Для того, чтобы реализовать максимальные разрешение и тoчнotть в защитном покрытии фоторезиста, необходимо, чтобы рисунок находился под слоем фоторезиста и точно повторял рисунок, созданный в полимерном слое, как это показано на рис. 16,0. На практике таких идеальных случаев не встречается, потому что химические травители одинаково воздействуют на материал пленки как в горизонтальной, так и в вертикальной плоскостях. В поликристалли- [c.617]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология