Травители селективные

Таким образом, повышение температуры приводит к увеличению единичной скорости химической реакции и поэтому к усилению полирующих свойств данного травителя. К такому же результату приводит и уменьшение единичной скорости диффузии, происходящее при введении в раствор вязких веществ, например глицерина, гликолей и т. д. Интенсивное перемешивание раствора увеличивает единичную скорость диффузии и усиливает селективное действие травителей. [c.109]

Таким образом, выявление резких, но малых по размеру неоднородностей происходит в полирующем травителе по такому же механизму, как и в селективном. Поскольку при этом более крупные неоднородности остаются невыявленными, наблюдение микронеоднородностей после полирующего травления является гораздо более легкой задачей, чем после селективного. [c.110]

Следует иметь в виду, что любой полирующий травитель в первый момент является селективным. Данное обстоятельство вызвано тем, что в начале процесса обедненный слой отсутствует [c.109]

Селективное травление применяют для растворения определенного металла в многослойной пленочной структуре. Мерой селективности служит отношение скоростей растворения разных металлов при одновременном воздействии одного травителя. В тех случаях, когда потенциалы начала растворения металлов близки, в травильный раствор вводят поверхностно-активные вещества (ПАВ). При этом используется различная адсорбция их к различным металлам, что приводит к избирательному торможению процесса. [c.114]

Необходимо также отметить, что при выявлении очень маленьких по геометрическим размерам неоднородностей применение полирующих травителей более эффективно, чем селективных. Для правильного понимания этого явления следует учесть, что при химическом полировании концентрация молекул травителя вблизи поверхности кристалла различна и зависит от энергии активации, т. е. от микроструктуры данного участка поверхности. С другой стороны, концентрация молекул травителя изменяется за счет процессов диффузии относительно плавно и не может скачкообразно принять другое значение. Иными словами, можно утверждать, что в пределах небольшого объема, определяемого так называемой диффузионной длиной, концентрация молекул травителя практически постоянна. Отношение скоростей травления для двух участков поверхности кристалла, находящихся на расстоянии, не превышающем диффузионной длины, определяется поэтому только разницей в энергиях активации, т. е. в микроструктуре рассматриваемых участков [c.110]

В заключение заметим, что существует мало травителей с ярко выраженными полирующими свойствами. Последнее объясняется тем, что ввиду значительных энергий активаций, единичная скорость химических реакций при обычных температурах, как правило, существенно меньше, чем единичная скорость процесса диффузии. Поскольку единичные скорости диффузии в большинстве растворов и для большинства молекул имеют близкие и весьма высокие значения, то можно утверждать, что скорость растворения в полирующих травителях должна быть существенно больше, чем в селективных если для большинства [c.110]

Скорость растворения в полирующих травителях, как правило, выше, чем в селективных. [c.111]

При малой единичной скорости взаимодействия между окислом и молекулами растворителя травитель также является селективным, но не обязательно выявляющим структуру кристалла. Последнее объясняется тем, что энергия активации для реакции растворения окисла может не зависеть от энергии активации образования этого окисла. В рассматриваемом случае выявляется структура поверхностных окислов, а не кристаллической подложки. Поскольку поверхностные окислы германия и кремния [c.111]

В селективных травителях концентрации окислителя и комплексо-образователя выше, чем в травителях полирующих. Поэтому для повышения скорости селективного травления часто рекомендуется использовать подогрев. Хотя процессы диффузии также ускоряются нагреванием, но влияние температуры на скорость химических процессов значительно больше и поэтому травитель остается селективным и при более высокой температуре. [c.284]

Если самой медленной стадией процесса является химическая реакция, то травители называются селективными. При этом скорость травления зависит от температуры, структуры поверхности, ее ориентации, но мало зависит от перемешивания и вязкости раствора. В селективных травителях выявляются неоднородности поверхности. [c.102]

В первый момент травления скорость диффузии равна нулю, концентрация травителя вблизи поверхности такая же, как в объеме, условия для протекания химической реакции наиболее благоприятны. Травление — селективное. Через некоторое время концентрация травителя вблизи поверхности снизится до значения скорость диффузии возрастет, а скорость реакции, наоборот, уменьшится. При достижении стационарного состояния обе скорости станут равными по величине. С этого момента с больше изменяться не будет и скорость травления постоянна. [c.281]

Растворитель часто выступает в роли замедлителя или ускорителя процесса. Замедлителями или ускорителями также служат специально добавляемые реагенты. Очень часто они или сами являются катализаторами процесса, или способствуют образованию катализаторов, генерируют или обрывают цепи в цепных реакциях. В состав некоторых травителей добавляют соли таких малоактивных металлов, как ртуть, серебро, медь. Обычно эти добавки обусловливают селективность, Тяжелые металлы при восстановлении декорируют участки выхода дислокаций и р— -переходы. При этом или появляется различие в окраске отдельных участков поверхности, или меняется скорость их растворения. [c.103]

В табл. 1 приведены составы некоторых наиболее употребительных полирующих и селективных травителей для германия. [c.104]

Чтобы увеличить скорость роста алмаза, необходимо удалять графит. Травителем для селективной газификации графита может [c.99]

Необходимой селективностью для травления по меди в пленочной структуре медь -f оловянно-свинцовый сплав обладают сернокислые или слабощелочные травители. Сернокислый травитель име- т две разновидности — с перекисью водорода и с хромовым ангидридом. При использовании сернокислого травителя с перекисью водорода протекают реакции [c.120]

Травление полупроводниковых электродов необходимо для того, чтобы удалить механически поврежденные слои, образующиеся при вырезке электрода из слитка монокристалла. Состав травителя может часто влиять на микроскопическую ориентацию поверхности электрода, т. е. в зависимости от применяемого травителя будет подвергаться воздействию та или иная плоскость Кристалла. Такие травители называются селективными травите- [c.441]

Существует разнообразная рецептура травителей германия. Для очистки поверхности германия применяются электрополировка в растворе фтористого калия или хлористого натрия в азотной кислоте и другие способы [40, 62]. Для выявления дислокаций употребляется чаще всего травитель СР-4 [37, стр. 188]. Существуют и селективные травители, например, травитель WAg [38, стр. 177] они образуют фигуры травления, ограниченные плоскостями, параллельными определенным кристаллографическим плоскостям. [c.73]

Если возникновение ступеней на плоскости затруднено или движение ступенек идет неравномерно, на поверхности образуются выступы, соответствующие медленно растворяющимся участкам. Здесь на первый план выступает химическое взаимодействие с травителем. С течением времени поверхность становится все более неоднородной. Такое явление наблюдается в селективных травителях. [c.278]

Травители, в которых самой медленной стадией (контролирующей) служит химическая реакция, называются селективными. При этом скорость травления зависит от температуры, от структуры поверхности, от ее ориентации, но не зависит от перемешивания, вязкости. В селективных травителях выявляется неоднородность поверхности, отдельные участки ее с разными АЕ травятся с различной скоростью. [c.281]

Состав травителей. Большинство полупроводниковых материалов не изменяется под действием неокисляющих травителей. Химическое травление полупроводников основано на процессах окисления поверхности и удаления образовавшихся продуктов. В состав травителей обычно включаются 1) растворитель — среда для образования гомогенного травителя 2) окислители, которые должны образовать окислы или другие продукты окисления на поверхности полупроводника (повысить степень окисления) 3) комплексообразователи, которые должны растворить образовавшийся продукт окисления, удалить его с поверхности 4) ускорители или замедлители первых двух реакций, если последние протекают с такой скоростью, что ими трудно управлять 5) специальные добавки, обусловливающие селективность действия травителя. [c.282]

Введение в травитель добавок солей малоактивных металлов (нитратов ртути, серебра, меди) обычно обусловливает селективность воздействия травителя на отдельные участки поверхности. Такие травители широко используются, например, для выявления дислокаций, выявления р—п-переходов или других неоднородностей поверхности. На участках выхода дислокаций и на р—/г-переходах происходит оседание тяжелых металлов. При этом появляется различие в окраске мест поверхности или меняется скорость стравливания. [c.283]

Германий и кремний переходят в водные растворы в виде производных от соответствующих двуокисей (ОеОз, SiOj). Таким образом, процесс травления рассматриваемых элементов состоит из реакций окисления и растворения двуокисей. В свою очередь, каждая из этих реакций может распадаться на множество последовательных стадий, имеющих различные единичные скорости. Скорость результирующего процесса и свойства данного травителя зависят от соотношения между указанными единичными скоростями. Когда наименьшей является единичная скорость взаимодействия кремния или германия с окислителем, травитель обладает ярко выраженными селективными свойствами и выявляет кристаллическую структуру обрабатываемого образца. [c.111]

В зависимости от концентрации компонентов меняется скорость травления и характер действия травителя. Так, в травителе СР-4 увеличение концентрации азотной кислоты повышает скорость катодного процесса настолько, что она может превысить скорость анодного процесса. Тогда травитель становится селективным. Диффузионный контроль сменяется контролем химическим. [c.284]

Селективными травителями с ярко выраженными выявляющими свойствами являются для германия водный раствор щелочи и ферроцианида калия (Кз [Fe( N)J -f КОН), а для кремния чистый раствор щелочи (КОН или NaOH). Скорость процесса в этих травителях определяется единичной скоростью взаимодействия с молекулами окислителей [c.112]

Травитель является селективным и отличается небольшой скоростью травления. [c.285]

Селективный травитель при оптическом определении ориентировки кристаллов германия. [c.226]

Травление кремния происходит, конечно, и в смесях щелочи с окислителями, например перекисью, однако никаких преимуществ по сравнению с чистой щелочью эти составы не имеют и применяются поэтому редко. В некоторых специальных случаях для травления кремния и германия употребляются смеси перекиси водорода и плавиковой кислоты (Н2О2 + HF). Этот травитель, как и большинство других, является селективным. [c.112]

На оставшейся после определения толщины пленки части образца проводят микроструктурные исследования. Предварительно поверхность эпитаксиальной пленки обезжиривают спиртом. При различных увеличениях микроскопа сначала изучают особенности микроструктуры пленки, не прибегая к травлению. При этом возможно наблюдение террасообразной структуры, несовершенств, обусловленных включениями и нерегулярностью роста. Наиболее характерные детали поверхности рекомендуется сфотографировать. Затем поверхность пленки подвергают селективному травлению для выявления дефектов упаковки и дислокаций. Составы травителей и методика травления приведены в работе 12. На эпитаксиальной пленке предлагается определить плотность дефектов упаковки [светлые плоские треугольники при ориентации (111)1 и дислокаций (темные треугольные ямки травления) (см. работу 12). [c.150]

Контрастное окрашивание диффузионных структур на кремнии проводят 49%-ным раствором HF с добавкой 0,1% 70%-ной HNOg. При этом р-область селективно окрашивается вследствие более интенсивного оксидирования. Для этого же пригоден травитель СР-4А (см. работу 12). Толщину диффузионного слоя рассчитывают по формулам h = dsina или h = liga в зависимости от способа наблюдения (см. работу 14). Экспериментально определенную глубину диффузионного слоя сравнивают с теоретически рассчитанной- [c.165]

В зависимости от морфологии получаемой пов-сти химическое Т. может быть выравнивающим (полирующим, шлифующим) и избирательным (селективным). При выравнивающем Т. происходит сглаживание рельефа пов-сти, уменьшение ее шероховатости, цри избирательном Т.-увеличение неоднородности пов-сти, выявление дефектов структуры, границ двойников и доменов, растравливание трещин, царапин и т.п. Грани монокристаллов с разл. ориентацией раств. с разной скоростью. Поэтому избирательное Т. монокристаллов связано с образованием фигур (ямок) Т., форма к-рых опреде.чяется структурой кристалла, ориентацией пов-сти, в1щом дефектов и составом травителя, а кол-во-плотностью дефектов. [c.616]

Обработкой поверхности образцов Си1п5е2 в селективных травителях получены разные удельные поверхностные сопротивления материала и соответственно различные детектирующие п другие электрические свойства. [c.333]

Имеется большое число органических соединений, структура и растворимость которых изменяются под воздействием света, особенно под воздействием ультрафиолетовой области длин волн. Первыми материалами, которые, как было установлено, обладают такими свойствами, были природные вещества рыбий клей, гудрон, сахар или желатин, сенсибилизированные солями двухромовой кислоты [69]. Коллоидальные органические вещества этого типа в течение некоторого времени использовались для изготовления шкал и координатных сеток и для другого вида фотогравиро-вочных работ. Кроме того, светочувствительные вещества, а на практике это материалы типа фоторезистов, должны также обладать способностью образовывать однородные покрытия с хорошей адгезией, покрытия, которые не разрушаются никакими физическими или химическими методами, кроме травления. И, наконец, необходимо иметь селективные травители, чтобы сформировать, а в конечном счете полностью удалить рисунки в слое. фоторезиста. [c.588]

В области ядра дислокации кристаллическая решетка заметно деформирована. В окрестностях краевых дислокаций имеются как сжатые, так и растянутые области решетки. В растянутые места стремятся переместиться внедренные в межузлиях атомы. Атомы примесей могут при этом образовать целые облака или атмосферы Котрелла , которые в случае перемещения дислокации (например, при пластической дефор-, мации) следуют за ней как хвост. На этом, в частности, основан один из прямых методов наблюдения дислокаций — метод декорирования , заключающийся в том, что примеси, диффундируя в кристалл, селективно конденсируются на дислокационных линиях. Другой метод — травления — позволяет выявить выход дислокации на поверхность кристалла. Для этого необходимо использовать какой-нибудь травитель, который бы селективно воздействовал на ядро дислокации, создавая ямки Б местах ее выхода. Оба метода существенно дополняют друг друга. [c.92]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология