Срывные реакции

Прямая срывная реакция. В реакции типа Д4 вс —> АВ С продукты АВ рассеиваются преимущественно в направлении движения атома А, например в реакции к + Вгз — КВг- -Вг (рис. 15), [c.84]

Прямая срывная реакция. В реакции типа А + ВС АВ С [c.99]

В отличие от рикошетных реакций, срывные характеризуются обычно большими сечениями, слабо зависящими от поступательной энергии. Типичными представителями срывных реакций являются так называемые реакции с переносом электрона на промежуточном этапе. Например, реакция К + Вг2 идет по механизму [c.87]

Сечения рикошетных реакций сравнительно невелики (а < 30 А ), в то время как срывные реакции характеризуются очень большой величиной сечений (сг > 100 А ). [c.270]

Для прямых реакций простые результаты можно получить лишь путем значительного упрощения модели. Для срывных реакций А + ВС АВ + + С такое упрощение состоит в том,- что атом С считается лишь наблюдателем процесса, и его скорость не меняется при переходе атома В к атому А (см. выше). Такое предположение соответствует тому,что основной вклад в сечение рассеяния дают малые углы (предельный случай рассеяния вперед, характерного для реакций срыва). В этом случае закон сохранения полного импульса однозначно определяет относительную кинетическую энергию возникающих молекул, для которой оказывается справедливым выражение [c.279]

Угловое распределение продуктов, характерное для срывных реакций, может быть обусловлено взаимодействиями различ1гы с видов. Для реакции щелочных металлов М с молекулами галогенов М. Полани в 1935 г. и Маги в 1940 г. предложили модель реакции с переходом электрона, позднее получившей название модели гарпунирования [139, 318) при сближении М и Х2 на некотором расстоянии происходит перескок электрона, приводящий к образованию ионной пары 1М+Х7. Затем отрицательный ион дис- [c.138]

Для срывных реакций металлов М с молекулами галогенов предложена модель гарпунирования при сближении М и сначала происходит перескок электрона с образованием и Х , а затем Хг диссоциирует в поле М" с образованием МХ и X [c.84]

Долгоживущие комплексы, не приводящие к химическому взаимодействию, наблюдались при рассеянии атомов щелочных металлов на СО2, SO2 и NO2. Поперечные сечения этих процессов достигают м [54]. По-видимому, для больщинства атомов щелочных металлов и их солей характерны значительные поперечные сечения образования комплексов с солями. Это в значительной мере связано с особенностями передачи электрона от атома к молекуле. В отличие от рикошетных или срывных реакций, где электрон переводит молекулу в сильное отталкиватель-ное состояние а, в случае образования комплексов электрон переходит на слабую антисвязывающую орбиталь типа я, которая ослабляет связь в молекуле. Такая картина, по мнению авторов [55], может возникнуть как для комплексов типа М+СО2, M+NO i и М+О2, которые не приводят к химической реакции, так н для комплексов, распадающихся с образованием продуктов типа M+SFe, M+Sn 17, M(i)M(2)X, где M, M(i), М(2) —атомы щелочных металлов и X — атом галогена. [c.70]

Угловое распределение продуктов, характерное для срывных реакций, может быть обусловлено взаимодействиями различных видов. Для реакции щелочных металлов М с молекулами галогенов М. Полани еще в 1935 г. и Маги в 1940 г. (см. [498]) предложили модель реакции с переходом электрона, позднее получившей название модели гарпунирования [372] при сближении М и иа некотором расстоянии происходит перескок электрона, приводящий к образованию ионной пары М" " — Хз. Затем отрицательный ион Хг диссоциирует в поле положительного иона М" образующаяся при этом ионная пара М Х представляет собой молекулу МХ М + Хз М" + Хз -> МХ + X (подробности см. в работах [504, 1113]). Эта модель позволяет оценить порядок величины сечения реакции. Переход электрона происходит на расстоянии Не, которое соответствует квазинересечениго начальной ковалентной поверхности потенциальной энергии с ионной поверхностью пары М — Х (см. 10). Условие квазипересечения записывается в виде равенства кулоновского притяжения ионов и разности потенциала ионизации /м атома М и электронного сродства Ах, молекулы Хз [c.273]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология