Плотность состояний

Квантовохимический подход к прогнозированию гетерогенных катализаторов опирается на методы расчета электронной структуры молекул и твердых тел [7—11]. Наиболее фундаментальными свойствами твердых тел, определяющими характер хемосорбции и катализа на них, являются параметры их энергетической зонной структуры, такие, как энергия уровня Ферми, плотность состояний на границе Ферми, ширина энергетических зон и т. п. Реальная структура катализатора проявляется в деформации энергетических зон вблизи поверхности, наличие дислокационных дефектов, неупорядоченности структуры, а также в изменениях, порождаемых взаимодействием катализатора с субстратом. Все это необходимо принимать во внимание при прогнозировании катализаторов. [c.60]

И ДЛЯ ПЛОТНОСТИ СОСТОЯНИЙ АКТИВНОЙ МОЛЕКУЛЫ /) [c.262]

Гальванические микроэлементы образуются не только при контакте двух различных металлов, но и при наличии примесей, неоднородностей в составе металла (сплава), а также при наличии в металлическом изделии любых участков, отличающихся друг от друга какими-либо параметрами температурой, давлением, плотностью, состоянием поверхности и т, п. Даже предыстория обработки играет роль в возникновении коррозии. Наличие деформированного и недеформированного участков приводит к возникновению разности потенциалов, и деформированный участок корродирует сильнее недеформированного. 27—38. В согнутую под углом ( 90°) стеклянную трубку [c.380]

Для характеристики распределения энергетических уровней в зоне вводят понятие плотности состояний D(E), которая определяется как число энергетических уровней N(E), находящихся в интервале между Е и E+dE [c.530]

Заметим при этом, что для макроскопической системы плотность состояний чрезвычайно велика, и даже при очень малом значении АЕ А0( ) 1. [c.89]

Формула (П.59) определяет объем энергетического слоя в ц,-простран-стве как функцию энергии частицы е. Введем понятие энергетической плотности состояний [c.39]

Величины А Г ( ) и Ай ( ) связаны с допустимым интервалом изменения энергии А и энергетической плотностью состояний соотношениями [c.68]

Определим энергетическую плотность состояний для частицы, движущейся в потенциальном ящике объема V, свободном от действия внешних сил. Мы показали в предыдущем параграфе, что состояние частицы определяется тремя целыми положительными числами Пх, Пу и Иг, составляющими вектора я, а энергия зависит лишь от модуля вектора и дается выражением ( VII. 19). [c.154]

Остановимся теперь на том, как зонная теория определяет различия между изоляторами, полупроводниками и металлами. Будем считать структуру полос квазинепрерывной и введем функцию с (е) — энергетическую плотность состояний [с (е) с1е — число квантовых состояний в интервале значений энергии электрона от е до е + с1г]. Для электронов в кристалле эта функция имеет вид, схематически представленный на рис. 26, а. На рис. 26, б для сопоставления дана кривая [c.186]

Рис. 27. Энергетическая плотность состояний с(е) (занятые состояния

Таким образом, для сплавов переходных металлов с металлами 1В группы необходимо учитывать не только степень заполнения -зоны, но и плотность электронных состояний в различных зонах. Так, например, плотность состояний в -зоне никеля приблизительно в 10 раз выше, чем в -зоне, что должно обеспечить переход около 90% 5-электронов меди в -зону никеля. Вследствие разности плотности состояний не все х-электроны металла 1В группы способны переходить в -зону, и поэтому ее заполнение должно наблюдаться при более высоких критических концентрациях, чем это следует из простейших расчетов. [c.153]

Вследствие лантаноидной контракции атомные радиусы последующих -элементов аномально малы. Аналогично лантаноидной контракции можно отметить и существование -сжатия. Это явление, однако, выражено слабее, что объясняется, во-первых, относительно большим удалением -оболочки от ядра, а во-вторых, меньшей плотностью -состояний по сравнению с /-уровнем. Поэтому эффект -контракции заметен лишь у элементов 1-й вставной декады и проявляется в уменьшении атомного радиуса последующего элемента галлия (0,125 нм) по сравнению с его предшествующим аналогом — алюминием (0,142 нм). На значениях атомных радиусов элементов, следующих за 2-й и 3-й декадами, -контракция практически не сказывается. [c.371]

Исходные данные для определения заряда н плотности состояний на границе 81 — 810 [c.170]

Электроны проводимости в основном скапливаются вокруг положительных ионов и экранируют их [1]. Для характеристики состояния электронов проводимости важно знать функцию распределения энергии Е этих электронов. Эту функцию называют плотностью состояний п Е). Вид этой функции пока что еще не вполне ясен. Существует мнение, что у жидких металлов поверхности Ферми имеют сферическую [c.170]

Рис. 42. Предполагаемый вид плотности вероятности состояний электронов п(Е) как функции их энергии в трехмерной решетке [6] а — приближение почти свободных электронов (имеется хвост плотности состояний, простирающийся в область низких энергий) б—слабое взаимодействие в — сильное взаимодействие г— жидкий полупроводник

Дальнейшее рассмотрение требует введения еще одной плотности состояний, а именно р (Ех) — плотность состояний с определенным значением энергии Ех. При поступательном движении вдоль координаты реакции эту величину можно подсчитать. Для этого нужно представить движение вдоль координаты реакции как движение в одномерном потенциальном ящике длиной б, как это уже делалось при выводе основного уравнения теории переходного состояния. Энергия такого движения равна [c.125]

По фотоэлектронному спектру Is линии углерода с участком спектра, соответствующего спектру характеристических потерь энергии электронов (потери в области энергий до 40eV) можно определить энергии возбуждения коллективных (плазменных) колебаний и одночастичных (межзонных и экситонных) переходов. Используя преобразование Крамерса-Кронига можно выделить из функции потерь спектр одночастичных возбуждений, который является комбинированной плотностью состояний (свертка валентной зоны с зоной проводимости). Спектр одночастичных возбуждений в линейно-цепочечном углероде имеет узкий пик экситонного поглощения, интенсивность которого напрямую связана с качеством кристалла (с отсутствием межцепочечных сшивок). [c.202]

Соотношения (57.10) — (57,14), полученные феноменологическим путем, можно обосновать на основе теории реорганизации растворителя, Как вытекает из этой теории, вероятность квантовомеханического перехода электрона из полупроводника на реагирующую частицу в растворе пропорциональна произведению р(е)л(е)ехр[—ир,(е)/кТ, где р(е) — плотность электронных уровней (плотность состояний электрона). В металлах вблизи уровня Ферми p(e) si onst, а потому уровень е, обеспечивающий наиболее вероятный переход электрона, определяется максимумом произведения п(е) ехр 1— 7д(е)/АЯ (см, 56), Для полупроводниковых электродов в конкуренцию вступает третий фактор —р (е), который равен нулю в запрещенной зоне и резко возрастает при переходе в валентную зону или в зону проводимости. Так, например, в зоне проводимости [c.295]

ЭТО число на два, получаем полное число электронов в данной энергетической зоне. На рис. 14.8 показана суммарная алотность состояний для полимера, состоящего из фрагментов (PtH )- Полная плотность состояний D(E) может быть разложена на локальные плотности состояний, т. е. на вклады отдельных атомов или орбиталей в полную плотность состояний, выделением из всех молекулярных орбиталей, заполненных электронами, соответствующих членов, относящихся к данному атому или орбитали. Так, на рис. 14.10 штриховой линией показана плотность состояний атома марганца. [c.531]

Для линейного полимера [Р1(СК)4 ] качественно изобразите график плотности состояний [E — E(dkjdE)], учитывая только 5d- и 6/7г-электроны атомов Р1 (структуру полимера см. в задаче 13.17). [c.67]

В настоящей главе обсуждаются особенности статистики фермионов и бозонов. Будем рассматривать идеальный газ, образованный элементарными частицами (электроны, ( зотоны) или свободными атомами, движущимися в объеме V. Энергия частиц представляет кинетическую энергию поступательного движения, так что энергетический спектр является квазинепрерывным и можно исходить из формулы (VIII.23). Для энергетической плотности состояний используем формулу (VI 1.25). Наличие внутренних степеней свободы учтем с помощью фактора 0- Для частицы до = 2 в + 1, где 5 — спин частицы для атома 0 = Ро . 1 Дб Ро вырождение основного электронного состояния, [c.174]

При невысоких температурах доля электронов, переп1едших в возбужденные состояния, невелика. Поэтому у полупроводников с собственной проводимостью валентная зона почти заполнена (свободные состояния имеются лишь у верхнего края зоны), а зона проводимости почти свободна (заняты состояния у дна 301И11). Соответственно почти пустая зона проводимости у полупроводника /г-типа и почти заполненная валентная зона у полупроводника / -типа. Как мы уже отмечали, поведение электронов почти пустой зоны аналогично поведению свободных электронов с массой т [формула (УП1. 47) для кинетической энергии и формула (УИ1.45) для энер[ етической плотности состояний]. Состояние электронов почти заполненной валентной зоны может быть. описано путем рассмотрения движения свободных квазичастиц — дырок [формулы (УП1.48) и (УП1.49)]. Соответственно говорят об электронной проводимости, обусловленной электронами зоны проводимости, и дырочной проводимости, обусловленной движением электронов ( дырок ) валентной зоны. В случае полупроводников с собственной проводимостью осуществляются оба механизма проводимости — электронный и дырочный. В случае полупроводников п-типа имеет мес- [c.194]

Учитывая, что для энергетической плотности состояний справедлива зависимость (VIII.45), определяем среднее число дырок с кинетической энергией от е до е/ 4- с1а [c.197]

Смотреть страницы где упоминается термин Плотность состояний: [c.70] [c.26] [c.26] [c.138] [c.508] [c.530] [c.531] [c.530] [c.531] [c.197] [c.40] [c.61] [c.61] [c.68] [c.79] [c.154] [c.188] [c.188] [c.189] [c.195] [c.170] [c.124] [c.125]

Химическая связь (0) -- [ c.223 , c.227 ]

Аналитическая химия Том 2 (2004) -- [ c.2 , c.317 , c.370 ]

Применение длинноволновой ИК спектроскопии в химии (1970) -- [ c.231 ]

Химическая связь (1980) -- [ c.223 , c.227 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.527 ]

Химия несовершенных кристаллов (1969) -- [ c.162 ]

Структура и симметрия кристаллов (0) -- [ c.100 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология