Структура деления

Химические процессы на Земле, имеющие значение для биолога, начались приблизительно 25 млрд. лет тому назад. Грубо можно разделить биохимическую эволюцию на три больших периода период формирования простых соединений, период образования сложных органических молекул и период развития структур. Деление это очень несовершенно, так как нет возможности провести границу между вторым и третьим периодами, да и первый от второго отделен не резко, а в разных точках земной поверхности все эти стадии проходили неодновременно. Тем не менее каждый период имел свои определенные химические тенденции и преимущественные направления реакций, поэтому такое деление не лишено смысла и практически удобно. [c.41]

Структура деления возникает, когда в одной из подрешеток соединения постоянного состава больше узлов, чем соответствующих атомов в формуле соединения. При этом часть узлов оказывается не занятой постоянными заместителями (рис. 71, д). Атомы в подрешетке распределяются статистически между большим числом узлов. Структура имеет постоянный состав, но отличается от структуры вычитания. [c.220]

В связи с принятой на магистральных газопроводах организационной структурой — делением на районные управления — в каж- дом из них имеются инженер и монтеры электрохимической защиты газопровода от коррозии. Количество монтеров определяется числом действующих СКЗ и в соответствии с нормативами принимается из расчета обслуживания одним монтером десяти СКЗ. [c.189]

В связи с принятой на магистральных газопроводах организационной структурой — деления на районные управления эксплуатации — служба защиты имеет аналогичное построение. [c.148]

Если вакансии образуются в структурах разрыхления (по Шоттки) или внедрения, их лучше обозначать стехиометрическим индексом Z, например [ ] . Это же относится к вакансиям в структурах деления. [c.379]

Вакансии в структурах деления не связаны с зарядом, ибо в реакции не участвуют атомы, приобретающие или теряющие заряд. [c.381]

ПОЛУПРОВОДНИКИ со СТРУКТУРОЙ ДЕЛЕНИЯ и их СВОЙСТВА [c.382]

Полупроводники со структурой деления и их свойства 552 [c.553]

Полупроводники СО структурой деления И ИХ свойства [c.553]

Структуры деления возникают при расхождении между соотношением числа узлов в двух подрешетках (металла и неметалла) и числом атомов металла и неметалла в формуле соединения. Например, в корунде AI2O3 на три атома кислорода приходится всего два атома алюминия, а в его решетке атомы кислорода образуют гранецентрированную кубическую упаковку, в которой атомы алюминия занимают октаэдрические пустоты (тип Na l). Однако октаэдрических пустот в гранецентрированном кубе столько же, сколько и занятых атомами кислорода узлов, т. е. 4. Это означает, что одна треть таких пустот остается не занятой атомами алюминия. В соединении Ag2Hgl4, кристаллизующемся по типу сфалерита, атомы иода занимают все узлы гранецентрированного куба, а два атома Ag и один атом Hg распределены по четырем тетраэдрическим пустотам. [c.138]

Конформационные параметры Рц, Рр и Р( представляют собой частоты встречаемости данной аминокислоты в составе а-спирали, р-структуры или р-изгиба (по данным для 15 белков с известной структурой), деленные на среднюю частоту встречаемости данной аминокислоты в молекуле. Аминокислотные остатки в таблице расположены в порядке убывания их способности образовывать спираль. Символы - —1- , + , сл. , безр. , анти. и анти.+ означают, что аминокислота характеризуется соответственно сильной тенденцией к образованию данной структуры, умеренной тенденцией, слабой тенденцией, что ей безразлично, в какой структуре она будет находиться, что она противодействует нли сильно противодействует образованию структуры данного типа [29]. [c.100]

Структуры деления (рис. II. 2, Ь). Если в одной из подрешеток соединения постоянного состава число узлов больше, чем число соответствующих атомов в формуле соединения, то возникают структуры деления. При взаимодействии 2AgI Hglj образующееся соединение Ag2Hgl4 кристаллизуется в решетке типа сфалерита (рис. 1.60, h). Все 4 узла в элементарной ячейке подрешетки серы заняты атомами [c.102]

Кристаллохимические формуны структур деления. При взаимодействии 2AgI + HgI2 = А 2Н 14 возникает структура деления (в решетке сфалерита) (см. рис. 11.2, Ь). В кристаллохимическом отношении эту реакцию правильно описать уравнением [c.380]

Полупроводники типа СадЗез, показано в ряде работ (см., например, [10, стр. 146 и след.], [27]),—структуры деления. Они [c.380]

Полупроводники СО структурой деления представляют собой интереснейший класс веществ, проникновению в который мы многим обязаны советским исследователям [28], [29], [30]. В этом классе полупроводников открыты необычные и важные факты. К сожалению, остался в тени важный для понимания их полупроводниковых свойств вопрос, не налагается лп на структуру деления структура вычитания иначе говоря, действительно ли являются соединениями постоянного состава GajSeg, GajT g и т. п. Ниже мы к этому вернемся. [c.382]

Допустим, что соединение АС кристаллизуется в структуре, например, типа сфалерита или каменной соли, где в каждой из подрешеток А и С число узлов отвечает числу атомов и в принципе может возникнуть бездефектный кристалл. Растворение в АС соединения ВзС с другим формульным составом приведет к образованию структуры замещения и деления, ибо в нашем примере придется разместить в подрешетке А больше атомов, чем в подрешетке С. Если, например, предел растворимости наступает ири следующих концентрациях ВдС АС -1- 0,1В./ , = (АВ 2)05,1, то этот состав в кри-сталлохимпческом смысле сводится к составу (Ао з Вц ) Со,917 1о,о8з [найденному путем деления всех индексов на 1,2 для приведения индексов при (А Ви . ) к един11це]. В свою очередь только что полученный реальный состав может быть выражен так (АВ) Со,91,[ 1о,о8з> т. е. иа 1000 атомов А + В приходится 917 атомов С. Если, следовательно, все узлы подрешетки А растворителя будут заполнены атомами А и В (в соотношении 834 166), то из каждых тысячи узлов иодрешетки С будут заполнены только 917 (статистически равномерно). В подрешетке А возникнет структура замещения, в подрешетке же С — структура деления на 917 атомов С придутся 83 вакансии. [c.384]

Вакансии с индексами x и у связаны с зарядами, т. е. с донор-ныд и 1 акцепторными уровням , ваканс с индексом Z не связаны с зарядами — это элемент структуры деления, возникающей постольку, поскольку в решетку сфалерхтта или вюрцита вход1 т (с растворением сульфида меди) больше атомов металла, чем неметалла. Сложная реакция (VI.47) может быть нредставлена более наглядно числен ым примером. Примем, что х = у = 0,010, а г = 0,100. [c.401]

Полупроводники типа ОагЗсз (см., например, [10а, стр. 146 и след.], [27], [30]) — структуры деления. Они образуют решетку типа сфалерита, в которой полностью заняты позиции неметалла, в позициях же металла остаются вакансии. Формула Ga2Ses непригодна для характеристики соединения в кристаллохимическом отношении. В ней следует согласовать стехиометрические индексы с числом позиций в каждой подрешетке элементарной ячейки сфалерита, т. е. 4. Значит, [c.551]

Вакансии с индексами х и у связаны с зарядами, т. е. с донорными и акцепторными уровнями, вакансии с индексом г генетически не связаны с зарядами — это элемент структуры деления, возникающей постольку, поскольку в решетку сфалерита или вюрцита входит (с растворением сульфида меди) больше атомов металла, чем неметалла. Сложная реакция (VIII.59) может быть представлена более наглядно численным примером. Примем, что [c.579]

Напишите кристаллохимическую формулу соединений со структурой деления, которым обычно приписывается химическая формула типа GazSea или GajTeg [c.630]

Структуры деления обнаружены во многих случаях, когда один из видов структурных узлсв, например а, содержится в формуле вещества в количестве, недостаточном для заполнения всех предоставленных ему позиций и вынужден распределяться по этим позициям статистически (рис. 148, г). [c.220]

Структура является хорошим примером структур деления в кубической элементарной ячейке в предельном случае имеется 16 атомов серы и 12 атомов металла. Если все позиции металла полностью заняты, вещество имеет состав М3Х4. Позиции атолюв (ООО) ( /2 7з 72) + 12Се в (74 0)0(74 Д 0)016 8 в (х X х) 72 —а , а )0(2 + 74, 2 + 74. [c.457]

Вещества, подобные V AI2O3, могут образовывать лишь шпинельные структуры деления, подобно Y FooOg. [c.628]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология